產(chǎn)品特性：

• PowerPAK SO-8 封裝
• 最低導(dǎo)通電阻
• 低導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積
• 無鉛 (Pb)，無鹵素，并且符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)

應(yīng)用范圍：

• 同步降壓轉(zhuǎn)換器以及二級同步整流及 OR-ing 應(yīng)用
• 穩(wěn)壓器模塊 (VRM)、服務(wù)器及使用負(fù)載點 (POL) 功率轉(zhuǎn)換的諸多系統(tǒng)

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）推出一款新型 20V n 通道器件，擴(kuò)展了其第三代 TrenchFET功率MOSFET 系列。該器件采用 PowerPAK SO-8 封裝，在 20V 額定電壓時具有業(yè)界最低導(dǎo)通電阻及導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積。

該SiR440DP在 4.5V 柵極驅(qū)動時最大導(dǎo)通電阻為 2.0m?，在 10V 柵極驅(qū)動時最大導(dǎo)通電阻為 1.55m?。導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積是直流到直流轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中MOSFET 的關(guān)鍵優(yōu)值 (FOM)，在 4.5V 時為 87。

與為實現(xiàn)低傳導(dǎo)損耗及低切換損耗而優(yōu)化的最接近的同類競爭器件相比，這些規(guī)格表示在 4.5V 及 10V 時導(dǎo)通電阻分別降低 23% 與 22.5%，F(xiàn)OM 降低 27%。更低的導(dǎo)通電阻及柵極電荷意味著更低的傳導(dǎo)損耗及切換損耗。

Vishay Siliconix SiR440DP將在同步降壓轉(zhuǎn)換器以及二級同步整流及 OR-ing 應(yīng)用中用作低端 MOSFET。其低傳導(dǎo)及切換損耗將確保穩(wěn)壓器模塊 (VRM)、服務(wù)器及使用負(fù)載點 (POL) 功率轉(zhuǎn)換的諸多系統(tǒng)實現(xiàn)功效更高且更節(jié)省空間的設(shè)計。

Vishay 還推出了新型 20V SiR866DP 和SiR890DP n 通道功率 MOSFET。這些器件在 4.5V 時分別提供 2.5m? 與 4m? 的導(dǎo)通電阻，在 10V 時為 1.9m? 及 2.9m?，典型柵極電荷為 35.3nC 及 20nC。所有這三款新型功率 MOSFET 均采用 PowerPAK SO-8 封裝。這些器件無鉛 (Pb)，無鹵素，并且符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，因此符合有關(guān)消除有害物質(zhì)的國際法規(guī)要求。

目前，SiR440DP, SiR866DP, 和SiR890DP可提供樣品，并已實現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂單的供貨周期為10 至12 周。