產(chǎn)品特性：

• 專用先進高性能PowerTrench® 7 MOSFET技術(shù)
• 出色的低RDS(ON)、總體柵極電荷(QG)和米勒電荷 (QGD)
• FDMC8200高側(cè)RDS(ON) 通常為24mOhm，低側(cè)則為9.5mOhm

市場數(shù)據(jù)：

• 筆記本電腦、上網(wǎng)本、服務器、電信和其它 DC-DC 設(shè)計

飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 為設(shè)計人員帶來業(yè)界領(lǐng)先的雙MOSFET解決方案FDMC8200，可為筆記本電腦、上網(wǎng)本、服務器、電信和其它 DC-DC 設(shè)計提供更高的效率和功率密度。該器件在3mm x 3mm MLP模塊中集成了經(jīng)優(yōu)化的控制 (高側(cè)) 和同步 (低側(cè)) 30V N溝道MOSFET，二者均使用的專用先進高性能PowerTrench® 7 MOSFET技術(shù)，提供出色的低RDS(ON)、總體柵極電荷(QG)和米勒電荷 (QGD)，這些性能最大限度地減少傳導和開關(guān)損耗，帶來更高效率。FDMC8200高側(cè)RDS(ON) 通常為24mOhm，低側(cè)則為9.5mOhm，可提供9A以上電流供主流計算應用，而經(jīng)優(yōu)化的引腳輸出和占位面積，為布局和路由帶來便利，并簡化設(shè)計。
 
 FDMC8200通過先進的封裝技術(shù)和專有PowerTrench 7工藝，節(jié)省空間并提升熱性能，解決DC-DC應用的主要設(shè)計難題。采用緊湊型高熱效3mm x 3mm Power33 MLP封裝和PowerTrench 7技術(shù)，其本身能夠提供高功率密度、高功率效率和出色的熱性能。

 這款雙MOSFET器件是飛兆半導體廣泛的先進MOSFET技術(shù)產(chǎn)品系列的一部分，全系列均擁有廣闊的擊穿電壓范圍和現(xiàn)代化的封裝技術(shù)，實現(xiàn)高效的功率管理和低熱阻的特點。同系列其它產(chǎn)品包括集成了FET模塊的FDMS9600S 和FDMS9620S器件，同樣能夠顯著減少電路板空間，并提升同步降壓設(shè)計以達到更高的轉(zhuǎn)換效率。