- 電磁干擾濾波器的構(gòu)造原理及應(yīng)用
- EMI濾波器在開關(guān)電源中的應(yīng)用
- EMI濾波器的技術(shù)參數(shù)及測試方法
隨著電子設(shè)備、計(jì)算機(jī)與家用電器的大量涌現(xiàn)和廣泛普及,電網(wǎng)噪聲干擾日益嚴(yán)重并形成一種公害。特別是瞬態(tài)噪聲干擾,其上升速度快、持續(xù)時間短、電壓振幅度高(幾百伏至幾千伏)、隨機(jī)性強(qiáng),對微機(jī)和數(shù)字電路易產(chǎn)生嚴(yán)重干擾,常使人防不勝防,這已引起國內(nèi)外電子界的高度重視。
電磁干擾濾波器(EMIFilter)是近年來被推廣應(yīng)用的一種新型組合器件。它能有效地抑制電網(wǎng)噪聲,提高電子設(shè)備的抗干擾能力及系統(tǒng)的可靠性,可廣泛用于電子測量儀器、計(jì)算機(jī)機(jī)房設(shè)備、開關(guān)電源、測控系統(tǒng)等領(lǐng)域。
1電磁干擾濾波器的構(gòu)造原理及應(yīng)用
1.11構(gòu)造原理
電源噪聲是電磁干擾的一種,其傳導(dǎo)噪聲的頻譜大致為10kHz~30MHz,最高可達(dá)150MHz。根據(jù)傳播方向的不同,電源噪聲可分為兩大類:一類是從電源進(jìn)線引入的外界干擾,另一類是由電子設(shè)備產(chǎn)生并經(jīng)電源線傳導(dǎo)出去的噪聲。這表明噪聲屬于雙向干擾信號,電子設(shè)備既是噪聲干擾的對象,又是一個噪聲源。若從形成特點(diǎn)看,噪聲干擾分串模干擾與共模干擾兩種。串模干擾是兩條電源線之間(簡稱線對線)的噪聲,共模干擾則是兩條電源線對大地(簡稱線對地)的噪聲。
因此,電磁干擾濾波器應(yīng)符合電磁兼容性(EMC)的要求,也必須是雙向射頻濾波器,一方面要濾除從交流電源線上引入的外部電磁干擾,另一方面還能避免本身設(shè)備向外部發(fā)出噪聲干擾,以免影響同一電磁環(huán)境下其他電子設(shè)備的正常工作。此外,電磁干擾濾波器應(yīng)對串模、共模干擾都起到抑制作用。
1.2基本電路及典型應(yīng)用
電磁干擾濾波器的基本電路如圖1所示。
該五端器件有兩個輸入端、兩個輸出端和一個接地端,使用時外殼應(yīng)接通大地。電路中包括共模扼流圈(亦稱共模電感)L、濾波電容C1~C4。L對串模干擾不起作用,但當(dāng)出現(xiàn)共模干擾時,由于兩個線圈的磁通方向相同,經(jīng)過耦合后總電感量迅速增大,因此對共模信號呈現(xiàn)很大的感抗,使之不易通過,故稱作共模扼流圈。它的兩個線圈分別繞在低損耗、高導(dǎo)磁率的鐵氧體磁環(huán)上,當(dāng)有電流通過時,兩個線圈上的磁場就會互相加強(qiáng)。L的電感量與EMI濾波器的額定電流I有關(guān),參見表1。
[page]需要指出,當(dāng)額定電流較大時,共模扼流圈的線徑也要相應(yīng)增大,以便能承受較大的電流。此外,適當(dāng)增加電感量,可改善低頻衰減特性。C1和C2采用薄膜電容器,容量范圍大致是0.01Μf~0.47μF,主要用來濾除串模干擾。C3和C4跨接在輸出端,并將電容器的中點(diǎn)接地,能有效地抑制共模干擾。C3和C4亦可并聯(lián)在輸入端,仍選用陶瓷電容,容量范圍是2200Pf~0.1μF。
為減小漏電流,電容量不得超過0.1μF,并且電容器中點(diǎn)應(yīng)與大地接通。C1~C4的耐壓值均為630VDC或250VAC。圖2示出一種兩級復(fù)合式EMI濾波器的內(nèi)部電路,由于采用兩級(亦稱兩節(jié))濾波,因此濾除噪聲的效果更佳。針對某些用戶現(xiàn)場存在重復(fù)頻率為幾千赫茲的快速瞬態(tài)群脈沖干擾的問題,國內(nèi)外還開發(fā)出群脈沖濾波器(亦稱群脈沖對抗器),能對上述干擾起到抑制作用。
EMI濾波器在開關(guān)電源中的應(yīng)用
為減小體積、降低成本,單片開關(guān)電源一般采用簡易式單級EMI濾波器,典型電路如圖3所示
圖(a)與圖(b)中的電容器C能濾除串模干擾,區(qū)別僅是圖(a)將C接在輸入端,圖(b)則接到輸出端。圖(c)、(d)所示電路較復(fù)雜,抑制干擾的效果更佳。圖(c)中的L、C1和C2用來濾除共模干擾,C3和C4濾除串模干擾。R為泄放電阻,可將C3上積累的電荷泄放掉,避免因電荷積累而影響濾波特性;斷電后還能使電源的進(jìn)線端L、N不帶電,保證使用的安全性。圖(d)則是把共模干擾濾波電容C3和C4接在輸出端。
EMI濾波器能有效抑制單片開關(guān)電源的電磁干擾。圖4中曲線a為不加EMI濾波器時開關(guān)電源上0.15MHz~30MHz傳導(dǎo)噪聲的波形(即電磁干擾峰值包絡(luò)線)。曲線b是插入如圖3(d)所示EMI濾波器后的波形,能將電磁干擾衰減50dBμV~70dBμV。顯然,這種EMI濾波器的效果更佳。[page]
3EMI濾波器的技術(shù)參數(shù)及測試方法
主要技術(shù)參數(shù)
EMI濾波器的主要技術(shù)參數(shù)有:額定電壓、額定電流、漏電流、測試電壓、絕緣電阻、直流電阻、使用溫度范圍、工作溫升Tr、插入損耗AdB、外形尺寸、重量等。上述參數(shù)中最重要的是插入損耗(亦稱插入衰減),它是評價電磁干擾濾波器性能優(yōu)劣的主要指標(biāo)。插入損耗(AdB)是頻率的函數(shù),用dB表示。設(shè)電磁干擾濾波器插入前后傳輸?shù)截?fù)載上的噪聲功率分別為P1、P2,有公式:
AdB=10lgP1/P2(1)
假定負(fù)載阻抗在插入前后始終保持不變,則P1=V12/Z,P2=V22/Z。式中V1是噪聲源直接加到負(fù)載上的電壓,V2是在噪聲源與負(fù)載之間插入電磁干擾濾波器后負(fù)載上的噪聲電壓,且V2<<V1。代入(1)式中得到
AdB=20lg(2)
插入損耗用分貝(dB)表示,分貝值愈大,說明抑制噪聲干擾的能力愈強(qiáng)。鑒于理論計(jì)算比較煩瑣且誤差較大,通常是由生產(chǎn)廠家進(jìn)行實(shí)際測量,根據(jù)噪聲頻譜逐點(diǎn)測出所對應(yīng)的插入損耗,然后繪出典型的插入損耗曲線,提供給用戶。
圖5給出一條典型曲線。由圖可見,該產(chǎn)品可將1MHz~30MHz的噪聲電壓衰減65dB。計(jì)算EMI濾波器對地漏電流的公式為
ILD=2πfCVC(3)
式中,ILD為漏電流,f是電網(wǎng)頻率。以圖1為例,f=50Hz,C=C3+C4=4400pF,VC是C3、C4上的壓降,亦即輸出端的對地電壓,可取VC≈220V/2=110V。由(3)式不難算出,此時漏電流ILD=0.15mA。C3和C4若選4700pF,則C=4700pFX2=9400pF,ILD=0.32mA。顯然,漏電流與C成正比。對漏電流的要求是愈小愈好,這樣安全性高,一般應(yīng)為幾百微安至幾毫安。在電子醫(yī)療設(shè)備中對漏電流的要求更為嚴(yán)格。
需要指出,額定電流還與環(huán)境溫度TA有關(guān)。例如國外有的生產(chǎn)廠家給出下述經(jīng)驗(yàn)公式:
I=I1(4)
式中,I1是40°C時的額定電流。舉例說明,當(dāng)TA=50℃時,I=0.88I1;而當(dāng)TA=25℃時,I=1.1511。這表明,額定電流值隨溫度的降低而增大,這是由于散熱條件改善的緣故。