• 25～200℃溫度下電流等不具溫度依存性
• 實(shí)現(xiàn)0.01μs的高速開(kāi)關(guān)性能
• 損耗較小

• 無(wú)需使用冷卻裝置的電力轉(zhuǎn)換裝置

大阪大學(xué)與產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所宣布，采用金剛石半導(dǎo)體制作出了肖特基勢(shì)壘二極管（SBD），調(diào)查其溫度特性時(shí)發(fā)現(xiàn)，在25～200℃的溫度下關(guān)斷時(shí)的電流特性等不具有溫度依存性。這一消息是在2010年9月14～17日于長(zhǎng)崎大學(xué)舉行的第71屆應(yīng)用物理學(xué)會(huì)學(xué)術(shù)演講會(huì)等上公開(kāi)的。

大阪大學(xué)與產(chǎn)綜研制作出了結(jié)合使用金剛石半導(dǎo)體及基于釕（Ru）的肖特基電極的SBD，并測(cè)量了其開(kāi)關(guān)性能。據(jù)大阪大學(xué)等介紹，現(xiàn)已確認(rèn)，該SBD可實(shí)現(xiàn)0.01μs的高速開(kāi)關(guān)性能，依存于寄生電感及電流變化速度di/dt的恢復(fù)電流僅為40A/cm2，并且損耗較小。

即使在25～200℃的范圍內(nèi)改變溫度，其開(kāi)關(guān)性能也不會(huì)發(fā)生變化。所以采用金剛石的SBD“有望應(yīng)用于無(wú)需使用冷卻裝置的電力轉(zhuǎn)換裝置”（大阪大學(xué)等）。

順便提一下，現(xiàn)已確認(rèn)，采用SiC的功率半導(dǎo)體IC在超過(guò)200℃的高溫下也可穩(wěn)定工作。不過(guò)，在這種高溫環(huán)境下利用時(shí)，存在如何確保焊錫耐熱性以及封裝等元件和周邊電路的耐熱性的課題。