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OptiMOS P2:英飛凌推出高能效單P溝道40V汽車電源MOSFET

發(fā)布時間:2011-09-19 來源:佳工機電網

產品特性:

  • 無需額外的電荷泵器件,可大幅節(jié)約成本
  • 低柵極電荷、低電容、低開關損耗、大電流、高能效
  • 多種標準封裝,符合RoHS標準的無鉛電鍍的要求

應用范圍:

  • 汽車電源管理應用領域


英飛凌科技股份公司近日宣布推出采用先進溝道工藝制造的全新單P溝道40V汽車電源MOSFET產品系列。全新的40V OptiMOS P2產品為能效改進、碳減排和成本節(jié)約樹立了行業(yè)新標桿,從而進一步鞏固英飛凌在新一代汽車電源管理應用領域的領導地位。

新推出的器件系列采用多種標準封裝,電流范圍為50A至180A,囊括30多個器件型號,其中包括通態(tài)電阻最低的車用P溝道40V MOSFET。180A是P溝道工藝的基準。P溝道40V OptiMOS P2產品用作汽車橋式電路中的高邊開關,無需額外的電荷泵器件,從而可大幅節(jié)約成本,改進電磁干擾性能。新器件與PWM(脈寬調制)控制裝置結合使用,可具備優(yōu)于N溝道 MOSFET的熱性能和抗雪崩性能。這使它成為汽車電池反接保護和電機控制應用的理想之選,例如EPS(電動助力轉向)電機控制裝置、三相電機和H橋電機(如擋風玻璃雨刮器、電動駐車制動裝置、空調風扇控制裝置和電動水泵以及電動燃油泵等)。

鑒于溝道型MOSFET所具備的成本和能效優(yōu)勢,整個行業(yè)都明顯看好這種技術?;谟w凌的第二代溝道工藝,OptiMOS P2器件具備低柵極電荷、低電容、低開關損耗、大電流和出色的性能系數(shù)指標(性能系數(shù):RDS(on) x Qg),從而使電機具備高能效,同時最大程度地降低電磁輻射。例如,僅2.4mΩ的行業(yè)最低通態(tài)電阻(采用D2PAK封裝,電壓10V)不足市場上同類MOSFET的三分之一。

通過推出全新的P溝道40V器件,英飛凌壯大了適用于采用橋式配置的電機控制裝置的產品陣容。這種采用橋式配置的電機控制裝置廣泛應用于各種汽車系統(tǒng)。橋式配置需要高邊MOSFET和低邊MOSFET。相對于N溝道MOSFET,新型P溝道器件不需要額外的電荷泵執(zhí)行驅動直流有刷電機或直流無刷三相電機的高邊開關的功能。這可節(jié)省成本,因為P溝道也可通過一個簡單的驅動電路驅動。對于H橋電機而言,平均可節(jié)省大約5%至10%的成本。

舉例來說,傳統(tǒng)的液壓助力轉向系統(tǒng)依靠發(fā)動機提供動力,這意味著電機必須持續(xù)不斷地運行。對于電動助力轉向系統(tǒng)而言,只是在需要助力時才使用電機,這有助于降低油耗。利用電控水和油泵代替液壓水和油泵還可使車身重量減輕多達4公斤,從而提高燃油效率。從環(huán)保的角度而言,電動泵也具備優(yōu)勢,因為在車輛回收時沒有什么油需要處理。此外,電動水泵絕對是混合動力汽車必備的裝置。

在MSL1(潮濕敏感度等級1)條件下,采用結實耐用封裝(Robust Package)的OptiMOS P2器件可承受高達260℃的回流焊接溫度。OptiMOS P2器件還采用符合RoHS標準的無鉛電鍍的要求。這種功率MOSFET完全符合汽車電子委員會的AEC-Q101規(guī)范。

供貨情況

包含34種型號,電流范圍為50A至180A的OptiMOS P2 40V系列器件現(xiàn)已投產。采用包括TO-220、DPAK、D2PAK、TO-262和7引腳D2PAK封裝在內的標準功率封裝的所有產品樣片現(xiàn)已開始供貨。在樣片訂購量極少的情況下,采用DPAK封裝的5毫歐姆OptiMOS P2 40V (IPD90P04P4-05)的定價為1.02歐元(約合1.43美元)。

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