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MGFC50G5867/MGFC47G5867:三菱電機推出最高功率GaN HEMT功率放大器

發(fā)布時間:2011-12-05 來源:三菱電機

產(chǎn)品特性:

  • 大功率、高效率
  • 低失真特性

應用范圍:

  • C波段衛(wèi)星通信地面站


三菱電機株式會社宣布研發(fā)出兩款用于C波段※1衛(wèi)星通信地面站※2的GaN HEMT功率放大器:MGFC50G5867 和MGFC47G5867 ,擁有100W和50W的業(yè)屆最高輸出※5功率,樣品從2012年1月10日開始提供。
※1 頻率4 GHz~8GHz的微波
※2 衛(wèi)星通信時設置在地面的基站
※3 Gallium Nitride:氮化鎵
※4 High Electron Mobility Transistor:高電子遷移率晶體
※5 截至2011年11月29日,根據(jù)本公司調(diào)查。在衛(wèi)星通信地面站用的GaN HEMT中

新產(chǎn)品的特點 

1.大功率、高效率有助于功率放大器的小型化
?采用耐壓性能卓越的GaN,可在40V的高電壓下工作
?大功率,輸出功率分別達到100W(MGFC50G5867)和50W(MGFC47G5867)
?高效率,功率附加效率※6達到43%以上
※6 供電功率轉(zhuǎn)換為輸出功率時的效率。數(shù)值越高,效率越佳。

2.低失真特性有助于提高信號質(zhì)量
?輸出功率為40W(46dBm)時IM3※7=-25dBc,實現(xiàn)低失真特性(MGFC50G5867)
※ 7 Inter Modulation:當2個信號同時輸入到放大器時產(chǎn)生的失真現(xiàn)象。數(shù)值越低,性能越佳。

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