- 與傳統(tǒng)產(chǎn)品相比,損耗約降低40%
- 小型封裝有助于節(jié)省空間
- 高溫環(huán)境下亦無(wú)熱失控
- 車載、電源設(shè)備、非常適合電動(dòng)車(EV)和混合動(dòng)力車(HEV)等要求更低功耗的電路節(jié)能
日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆(總部位于日本京都)近日面向車載、電源設(shè)備,開發(fā)出高溫環(huán)境下亦可使用的超低IR肖特基勢(shì)壘二極管“RBxx8系列”。與傳統(tǒng)的車載用整流二極管相比,可降低約40%的功耗,非常有助于電動(dòng)車(EV)和混合動(dòng)力車(HEV)等要求更低功耗的電路節(jié)能。
本產(chǎn)品已從1月份開始銷售樣品(樣品價(jià)格50~200日元/個(gè)),從5月份開始以月產(chǎn)100萬(wàn)個(gè)的規(guī)模進(jìn)行量產(chǎn)。關(guān)于生產(chǎn)基地,前期工序在羅姆ROHM Wako Co., Ltd.(日本岡山縣),后期工序在ROHM-Wako Electronics (Malaysia) Sdn. Bhd.(馬來(lái)西亞),ROHM Integrated Systems (Thailand) Co.,Ltd.(泰國(guó))、ROHM Korea Corporation(韓國(guó))進(jìn)行。
高溫環(huán)境下使用的車載、電源設(shè)備的電路中,由于擔(dān)心熱失控,因此普遍采用整流二極管和快速恢復(fù)二極管(FRD)。但是由于整流二極管和FRD的VF值較高,因此很難實(shí)現(xiàn)EV和HEV所要求的更低功耗。在這種背景下,VF值較低的肖特基勢(shì)壘二極管(SBD)在高溫環(huán)境下亦可安全使用的產(chǎn)品的開發(fā)需求逐年高漲。
此次,羅姆通過采用最適合高溫環(huán)境的金屬,實(shí)現(xiàn)了業(yè)界頂級(jí)低IR化。與傳統(tǒng)的SBD相比,IR降低到約1/100,使高溫環(huán)境下的使用成為可能。
由此,整流二極管和FRD的替換成為可能,VF特性得以大幅改善(與傳統(tǒng)的FRD相比,VF降低約40%)。另外,更低VF可以抑制發(fā)熱,成功實(shí)現(xiàn)小型化封裝,有助于不斷電子化、小型化需求高漲的EV、HEV節(jié)省空間。
羅姆今后還會(huì)進(jìn)一步推進(jìn)整流二極管的替換帶來(lái)的低VF化、小型化,不斷為提高車載、電源設(shè)備的效率做出貢獻(xiàn)。
<特點(diǎn)>
1) 與傳統(tǒng)產(chǎn)品相比,損耗約降低40%
與一般用于車載的FRD相比,VF降低約40%。有助于降低功耗。
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2) 小型封裝有助于節(jié)省空間
與傳統(tǒng)產(chǎn)品相比,可實(shí)現(xiàn)小一號(hào)尺寸的封裝設(shè)計(jì)。
3) 高溫環(huán)境下亦無(wú)熱失控
實(shí)現(xiàn)了超低IR,因此Ta=150℃也不會(huì)發(fā)生熱失控,可在車載等高溫環(huán)境下使用。
<規(guī)格>
<術(shù)語(yǔ)解說>
?肖特基勢(shì)壘二極管(Schottky-Barrier Diode:SBD)
使金屬和半導(dǎo)體接觸從而形成肖特基結(jié),利用其可得到整流性(二極管特性)的二極管。具有“正向壓降少、開關(guān)速度快”的特點(diǎn)。主要用于開關(guān)電源等。
?快速恢復(fù)二極管(Fast Recovery Diode: FRD)
正向施加的電壓向反向切換時(shí),反向電流瞬間流過。這種電流到零之間的時(shí)間―即反向恢復(fù)時(shí)間快的一種二極管。
?VF ( Forward Voltage)
是指正向電流經(jīng)過時(shí)二極管產(chǎn)生的電壓值。數(shù)值越小功耗越少。
?IR(Reverse Current)
是指施加反向電壓時(shí)發(fā)生的反向電流。數(shù)值越小功耗越少。
?熱失控
反向損耗超過散熱,損耗進(jìn)一步增加,產(chǎn)品溫度呈指數(shù)級(jí)上升的狀態(tài)。