【導讀】ADI公司推出三款高性能16/14位發(fā)射DAC,高速DAC可在擴展溫度范圍內工作,并采用更可靠的NiPdAu和含鉛BGA封裝。特別適合用于雷達、安全通信、航空電子和其他防務電子應用等領域。目前三款產品均已量產,可提供樣品供貨
對于引腳架構封裝,除了擴展溫度范圍,一些航空航天和防務應用要求采用其他解決方案代替亞光錫(Sn),以便消除對于鍍錫工藝中產生錫須問題的擔憂。這些DAC可采用NiPdAu引腳架構或含鉛BGA封裝,不存在錫須問題。NiPdAu引腳架構封裝采用符合RoHS標準的低鹵/無鹵材料,并且整個引腳架構進行預電鍍處理。
用于基帶頻率合成的AD9117雙通道DAC的特性與優(yōu)勢:
SFDR(至奈奎斯特頻率):
86 dBc(1 MHz輸出)
85 dBc(10 MHz輸出)
NSD(10 MHz輸出,125 MSPS,20 mA):−157 dBc/Hz
差分電流輸出:4 mA至20 mA
工作溫度范圍:-40° C至+85° C
NiPdAu引腳架構封裝
用于中頻合成的AD9122EP雙通道DAC的特性與優(yōu)勢:
SFDR性能:72 dBc(fDAC = 800 MSPS,fOUT = 70 MHz)
可調模擬輸出:8.7 mA至31.7 mA,RL = 25 Ω至50 Ω
新穎的2×/4×/8×插值器/復數調制器允許將載波放在DAC帶寬中的任意位置
工作溫度范圍:-55° C至+105° C
NiPdAu引腳架構封裝
用于RF合成的AD9739單通道DAC的特性與優(yōu)勢:
業(yè)界領先的單/多載波IF或RF合成
SFDR性能:60 dBc(fDAC = 2400 MSPS,fOUT = 950 MHz)
工作溫度范圍:-40° C至+85° C
含鉛BGA封裝
報價、供貨與配套產品
配套產品包括:AD9266-EP 16位、65 MSPS、1.8 V ADC,集成片內采樣保持電路,在高達200 MHz的輸入頻率下器件依然保持良好的性能。該器件工作溫度范圍為−55°C至+125° C的整個軍用溫度范圍,設計具有低成本、低功耗、小尺寸和使用方便的特性。