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導通電阻比競爭對手低20%的40V N溝道MOSFET

發(fā)布時間:2012-12-05 責任編輯:abbywang

【導讀】飛兆半導體的40V PowerTrench MOSFET,在動力轉(zhuǎn)向應用中的功率控制更強、效率更高,該器件具有最低的導通電阻和較低的柵極電荷,可降低功耗,因此非常適合電動助力轉(zhuǎn)向、懸架控制和傳動系管理等應用。


汽車動力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)的設計工程師需要能夠提供更高效率和更佳功率控制的解決方案。 飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)的40V N溝道PowerTrench MOSFET可幫助設計人員應對這些挑戰(zhàn)。

飛兆半導體的40V PowerTrench MOSFET
圖題:飛兆半導體的40V PowerTrench MOSFET

FDB9403利用飛兆半導體的屏蔽柵極技術,改進了電阻并降低了電容。 該器件的RDS(ON) 比其最直接競爭對手低20%,并具有較低的Qg值,可降低功耗并最終提高總體效率。 FDB9403 MOSFET作為用于電流控制的基本開關,可有效控制電能而不將其浪費,因此非常適合電動助力轉(zhuǎn)向、懸架控制和傳動系管理等應用。

特色及優(yōu)勢:

RDS(ON)典型值 = 1m?(VGS = 10V,ID = 80A時),可降低功耗以實現(xiàn) 更高的效率
Qg(tot)典型值= 164nC(VGS = 10V,ID = 80A時),可降低功耗以實現(xiàn)更高的效率
UIS能力
符合RoHS標準且通過AEC Q101認證

封裝和定價信息(1000片起訂,價格單位:美元)
按請求提供樣品。交貨期:收到訂單后8-12周內(nèi)
采用D2PAK TO-263AB封裝,F(xiàn)DB9403的定價為2.48美元

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