【導讀】近年來,一些用電量稍大的便攜式電子產(chǎn)品(如便攜式DVD、礦燈、攝像機、便攜式測量儀器、小型電動工具等)往往采用1500mAh到5400mAh容量的鋰離子電池。若采用500~1000mA充電電流充電器充電,則充電時間太長。若按0.5C充電率來充3000mAh及5400mA時的電池時,其充電電池的容量要求為1500mA及2700mA。
有人提出:能否在1A線性充電器電路中加一個擴流電路,使充電電流擴大到2~2.5A,解決3000~5400mAh容量鋰離子電池的充電問題。如果擴流的充電器性能不錯、電路簡單、成本不高,這是個好主意。筆者就按這一思路設計一個擴流電路。這電路采用型號為CN3056的1A線性充電器為基礎,另外加上擴流電路及控制電路組成。
CN3056簡介
CN3056組成的充電器按恒流、恒壓模式充電,若充電電池電壓<3V,則有小電流預充電模式;充電電流可設定,最大充電電流為1A;精電密度4.2V±1%、有熱調(diào)節(jié)、欠壓鎖存及電池溫度檢測、超溫保護及充電狀態(tài)和溫度超差指示功能;10引腳小尺寸DFN封裝(3mm×3mm)。
若充電率在0.5~1C之間、電池的溫度在0~45℃之間(室溫充電),則CN3056充電器電路中可省去電池溫度檢測電路及電池超溫指示電路(引腳TEMP及FAULT端接地),電路如圖1所示。VIN是電源輸入端、CE是使能端,(高電平有效);RISET為充電電流ICH設定電阻,RISET(Ω)=1800(V)/ICH(A);CHRG為充電狀態(tài)信號輸出端:充電時此端為高電平,LED亮;充電結束時此端為高阻抗,LED滅;電池未裝入或接觸不良,LED閃亮。VIN一般取4.5~5V,10μF及6.8μF為輸入、輸出電容,保證充電器穩(wěn)定工作。
圖1:由CN3056構成的充電電路
電器擴流電路
充電器擴流電路是在原充電器電路上加上擴流電路組成的。擴流電路由兩部分組成:擴流部分及控制部分。采用CN3056充電器為基礎,加上擴流部分及控制部分電路如圖2所示?,F(xiàn)分別介紹其工作原理。
圖2:充電器電路
擴流部分電路
擴流部分電路如圖3所示。它由P溝道功率MOSFET(VT)、R及RP組成的分壓器、肖特基二極管D4組成。利用分壓器調(diào)節(jié)P-MOSFET的-VGS大小,使獲得所需擴流電流[page]
ID.P-MOSFET的輸出特性(以Si9933DY為例)如圖4所示。在-VGS=2.1V、VDS>0.5V時,其輸出特性幾乎是一水平直線;在不同的VDS時,ID是恒流。從圖4也可以看出,在-VGS增加時,ID也相應增加。
圖3:括流部分電路
圖4:P-MOSFET輸出特性
控制部分電路
控制部分電路的目的是要保持原有的三階段充電模式,在預充電階段及恒壓充電階段不擴流,擴流僅在恒流階段,如圖5所示。
圖5:括流電路的電流表現(xiàn)
原充電器以1A電流充電,若擴流電流為1A,則在恒流充電階段時充電電流為2A.圖5中紅線為充電電池電壓特性、黑線為充電電流特性,實線為加擴流特性,虛線為未加擴流特性。從圖5可看出:擴流的充電時間t5比不擴流的時間要短(圖5中的時間坐標并未按比例畫);并且也可以看出:擴流僅在恒流充電階段進行。
為保證擴流在電池電壓3.0V開始,在電池電壓4.15V時結束,控制電路設置了窗口比較器,在電池電壓(VBAT)為3.0~4.15V之間控制P-MOSFET導通。在此窗口電壓外,P-MOSFET截止。
在圖2中,由R5、R6及R7、R8組成兩個電壓分壓器(檢測電池的電壓VBAT),并分別將其檢測的電壓輸入比較器P1及比較器P2組成的窗口比較器。R3、R4分別為P1及P2[page]
的上拉電阻,D2、D3為隔離二極管。充電電池電壓VBAT與P1、P2的輸出及P-MOSFET的工作狀態(tài)如表1所示。
表1:充電電池電壓和P-MOSFET工作狀態(tài)
從圖2可看出:P-MOSFET的-VGS電壓是由R2、RP往D1提供的,則P-MOSFET在上電后應是一直導通的。現(xiàn)要求在電池電壓(VBAT)小于3.0V及大于4.15V時P-MOSF ET要關斷,則控制電路要在VBAT<3.0V及VBAT> 4.15V時,在P-MOSFET的柵極G上加上高電平,使其-VGS=0.7V,小于導通閾值電壓-VGS(th),則P-MOSFET截止(關斷)?,F(xiàn)由P1、P2比較器及其他元器件組成窗口比較器實現(xiàn)了這一控制要求:無論是P1或P2輸出高電平時,VIN通過R4或R3及D3或D2加在P-MOSFET的柵極上,迫使柵極電壓為VIN=0.7V,則-VDS=0.7V而截止,滿足了控制的要求(見圖6)。圖中,D1、D2、D3是隔離二極管,是正確控制必不可少的。
圖6:窗口比較器電路
P-MOSFET的功耗及散熱
擴流管P-MOSFET的功耗計算
P-MOSFET在擴流時的功耗PD與輸出電壓VIN電池電壓VBAT、肖特基二極管的正向壓降VF及擴流電流ID有關,其計算公式如下:
PD=VIN-(VBAT+VF)×ID (1)
其最大的功耗是在VIN(max)及VBAT(min)時,即在擴流開始時(VBAT=3V),則上式可寫成:
PDmax=VIN(max)-(3V+VF)×ID (2)
若VIN(max)=5.2V、在ID=1A時,VF=0.4V,則PDmax=1.8W.選擇的P-MOSFET的最大允許功耗應大于計算出的最大功耗。
P-MOSFET的散熱
貼片式功率MOSFET采用印制板的敷銅層來散熱,即在設計印制板時要留出一定的散熱面積。例如,采用DPAK封裝的MTD2955E在計算出PDmax=1.75W時,需11mm2散熱面積;若PDmax=3W時,需26mm2散熱面積。若采用雙面敷銅板(在上下層做一些金屬化孔相互連接,利用空氣流通),則其面積可減小。若散熱不好,功率MOSFET的溫度上升,ID的輸出會隨溫度增加而上升。所以足夠的散熱是要重視的,最好是實驗確定其合適散熱面積,使ID穩(wěn)定。
這里還需要指出的是,不同封裝的P-MOSFET,在同樣的最大功耗時,其散熱面積是不同的。例如采用SO-8封裝的Si99XXDY系列P-MOSFET時,封裝尺寸小、背面無金屬散熱墊,其散熱面積要比用DPAK封裝大得多。具體的散熱面積由實驗確定。
兩種功率MOSFET
這里介紹兩種P-MOSFET:Si9933DY及MTD2955E。
引腳排列
Si9933DY引腳排列如圖7所示,MTD2955E引腳排列如圖8所示。
圖7:Si9933DY引腳排列
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圖8:MTD2955E引腳排列
輸出特性
Si9933DY時可將兩MOSFET并聯(lián)應用,使功率增加一倍,PDS(ON)減小一半。采用Si9933DY可擴流1A.采用MTD2955E可擴流2A或2A以上。
圖9:Si9933DY輸出曲線
圖10:MTD2955E輸出曲線
采用上述簡單的擴流電路可增加充電電流到2~3A.但由于擴流管工作于線性狀態(tài),管耗大,效率60%~70%.若需要更大的充電電流還是用開關電源,它可獲得更高的效率。