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飛兆用于高功率感應(yīng)加熱應(yīng)用的陽極短路型IGBT

發(fā)布時間:2013-02-03 來源:電子元件技術(shù)網(wǎng) 責任編輯:hedyxing

【導讀】高功率和高頻率感應(yīng)加熱(IH)家用電器需要更低的傳導損耗和卓越的開關(guān)性能,以便在IH電飯煲、臺式電磁爐和基于逆變器的微波爐等應(yīng)用中實現(xiàn)更高的效率和系統(tǒng)可靠性。 飛兆半導體的高電壓場截止陽極短路(Shorted Anode) trench IGBT可針對這些設(shè)計挑戰(zhàn)為設(shè)計人員提供經(jīng)濟實惠且高效的解決方案。


該款全新產(chǎn)品系列針對軟開關(guān)應(yīng)用,在1000V至1400V的電壓范圍內(nèi),利用固有的反并聯(lián)二極管進行了優(yōu)化。

隨著超越典型非穿通型(NPT) IGBT技術(shù)的不斷進步,飛兆半導體的陽極短路硅技術(shù)可提供更低的飽和電壓,比額定功率相同的NPT-trench IGBT要低12%以上。 此外,如果與競爭對手的IGBT產(chǎn)品相比,該產(chǎn)品系列的拖尾電流速率要低20%以上。 由于具有這些豐富特性,飛兆半導體先進的IGBT因而能提供更佳的熱性能、更高的效率以及更低的功耗。

特點與優(yōu)勢:

高速開關(guān)頻率范圍: 10至50 kHz
業(yè)界最低的拖尾電流,可改進開關(guān)損耗(FGA20S140P)
與現(xiàn)有的NPT trench IGBT相比,飽和壓降更低
電位計檢測抗噪能力強健,可提高可靠性
高溫穩(wěn)定特性: Tj(max) = 175 ºC
符合RoHS標準(無鉛引腳電鍍)

封裝和報價信息

(1,000片起訂,價格單位:美元)
按請求提供樣品。交貨期:收到訂單后8-12周內(nèi)

采用TO-3P 3L封裝:

1250V FGA20S125P     $2.03
1250V FGA25S125P     $2.03
1300V FGA30S120P     $5.25
1400V FGA20S140P     $2.25

采用TO-247 3L封裝:

1300V FGH30S130P    $3.40

飛兆半導體的場截止陽極短路trench IGBT提供業(yè)界領(lǐng)先的技術(shù),以應(yīng)對在當今設(shè)計中遇到的能效和形狀因數(shù)挑戰(zhàn)。 這些應(yīng)用都是飛兆半導體節(jié)能型功率模擬IC、功率分立式器件和光電子器件解決方案的一部分,而這些解決方案可在功率敏感型應(yīng)用中實現(xiàn)最大限度的節(jié)能。
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