【導(dǎo)讀】IR近日推出創(chuàng)新的IRFH4251D和IRFH4253D電源模塊組件，它采用IR的新一代硅技術(shù)和嶄新的5x6mm PQFN封裝，提供行業(yè)領(lǐng)先功率密度的新標(biāo)準(zhǔn)。該組件適用于DC-DC同步降壓應(yīng)用，包括先進(jìn)的電信和網(wǎng)絡(luò)通訊設(shè)備、服務(wù)器、顯卡、臺(tái)式電腦、超極本和筆記本電腦等。
IR近日推出首套創(chuàng)新的電源模塊組件系列產(chǎn)品——IRFH4251D和IRFH4253D，適用于DC-DC同步降壓應(yīng)用，包括先進(jìn)的電信和網(wǎng)絡(luò)通訊設(shè)備、服務(wù)器、顯卡、臺(tái)式電腦、超極本 (Ultrabook) 和筆記本電腦等。
新款25V IRFH4251D和IRFH4253D采用IR新一代硅技術(shù)和嶄新的5x6 mm PQFN封裝，提供功率密度的新標(biāo)準(zhǔn)。全新電源模塊組件配有高度集成的單片式FETKY®，其創(chuàng)新的封裝采用頂尖的翻模 (flipped-die) 技術(shù)，可以將同步MOSFET源直接連接到電路板的地線層以實(shí)現(xiàn)有效散熱。由于具有更強(qiáng)的散熱性能和功率密度，任何采用5x6 mm封裝的新組件都可以替換采用5x6 mm封裝的兩個(gè)標(biāo)準(zhǔn)獨(dú)立組件。全新封裝還采用已在PowIRStage和SupIRBuck中廣泛使用的IR專利技術(shù)單銅夾，以及經(jīng)過(guò)優(yōu)化的布線，有助于大幅減少雜散電感以降低峰值鳴震，這樣設(shè)計(jì)師就可以用25V MOSFET代替效率較低的30V組件。
圖1：IR Power Block
IR亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示：“IRFH4251D和IRFH4253D電源模塊組件采用頂級(jí)的硅技術(shù)和突破性封裝，具有多項(xiàng)嶄新功能，為高性能DC-DC開關(guān)應(yīng)用提供行業(yè)領(lǐng)先的功率密度。這些組件采用更高效的布線，必可樹立DC-DC雙MOSFET的行業(yè)新標(biāo)準(zhǔn)。”
IRFH4251D和IRFH4253D針對(duì)5V柵極驅(qū)動(dòng)應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化，給設(shè)計(jì)帶來(lái)靈活性，可與各種控制器或驅(qū)動(dòng)器結(jié)合使用。與采用兩個(gè)分立式30V功率MOSFET的同類方案相比，能以較小占位面積實(shí)現(xiàn)更高的電流、效率和頻率。
規(guī)格
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組件編號(hào) |
封裝 |
電流額定值 |
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IRFH4251D |
PQFN 5 X 6 |
45A |
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IRFH4253D |
PQFN 5 X 6 |
35A |
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