【導(dǎo)讀】反激變壓器的優(yōu)點(diǎn)自是不必多說,很多新手都通過反激電源的制作來熟悉電源設(shè)計(jì),目前網(wǎng)絡(luò)上關(guān)于反激變壓器的學(xué)習(xí)資料五花八門且比較零散,本文就將對反激變壓器的設(shè)計(jì)進(jìn)行從頭到尾的梳理,將零散的知識進(jìn)行整合,并配上相應(yīng)的分析,幫助大家盡快掌握。
今天將進(jìn)行一個(gè)較為完整的分析,KRP作為反激變壓器中的靈魂參數(shù),該如何對其進(jìn)行取舍,值得我們深入探討。
首先先對文章當(dāng)中的將要提到的一些名詞進(jìn)行解釋。
工作模式:即電感電流工作狀態(tài),一般分DCM、CCM、BCM三種(定性分析)。
KRP:描述電感電流工作狀態(tài)的一個(gè)量(定量計(jì)算);
KRP定義:
KRP的意義:只要原邊電感電流處于連續(xù)狀態(tài),都稱之為CCM模式。而深度CCM模式(較小紋波電流)與淺度CCM模式(較大紋波電流)相比較,電感量相差好幾倍,而淺度CCM模式與BCM、DCM模式的各種性能、特點(diǎn)可能更為相似。顯然需要一個(gè)合適的參數(shù)來描述所有電感電流的工作狀態(tài)。通過設(shè)置KRP值,可以把變壓器的電感電流狀態(tài)與磁性材料、環(huán)路特性等緊密聯(lián)系起來。我們也可以更加合理的評估產(chǎn)品設(shè)計(jì)方案,例如:
KRP較大時(shí)(特別是DCM模式),
磁芯損耗一般較大(NP較小),氣隙較小(無氣隙要求,僅滿足LP值),LP較小,漏感會較大,紋波電流較大(電流有效值較高);
KRP較小時(shí)(特別是深度CCM模式),磁芯損耗一般較小(NP較大),氣隙較大(有氣隙要求,平衡直流磁通),LP較大,漏感會較小,紋波電流較小(電流有效值較低);
注:KRP較小時(shí),氣隙也是可以做到較小,但這需要更大的磁芯和技巧;
KRP較大時(shí),磁芯損耗也是可以做的較小,但這同樣需要更大的磁芯和技巧;
這里說一點(diǎn)題外話,大部分人通常認(rèn)為,相同磁芯、開關(guān)頻率,DMAX,DCM模式比CCM模式下的輸出功率更大;其實(shí)這是不完全對的(至少不符合實(shí)際,因?yàn)樾枰拗艱MAX,導(dǎo)致空載容易異常),原因在于DCM模式下磁芯損耗會超出你的想象(電應(yīng)力也會如此);DCM模式下,如果想大幅度降低磁芯損耗,唯一的方法是增大NP,而過大的NP會與LP形成現(xiàn)實(shí)沖突(DCM模式下,LP一般較小),造成磁芯氣隙超出你的想象(漏感也會如此);有沒有方法解決這種現(xiàn)實(shí)矛盾?答案應(yīng)該是肯定的,即選擇合適的磁芯結(jié)構(gòu),如長寬比小且AE大的磁芯(PQ、POT系列),或許會比長寬比大且AE小的磁芯(EER、EEL系列)更加有優(yōu)勢。(補(bǔ)充:在DCM模式下,如果限制DMAX,則會比CCM模式下輸出更大的功率)
KRP較大時(shí),增大DMAX可以在一定程度上降低原邊的紋波電流及有效電流值,但是次級的電流應(yīng)力會更加惡劣,這種方法(增大/減小DMAX)只適合平衡初次級的電壓、電流應(yīng)力,應(yīng)該不是一種很好的設(shè)計(jì)手段。
KRP較大時(shí),空載啟動困難,特別是低壓大電流輸出,且空載無跳頻(寬范圍AC輸入時(shí)尤其如此,如3.3V10A,特別是超低壓輸入);
KRP較小時(shí),開關(guān)損耗較大,特別是高壓小電流輸出,且開關(guān)頻率較高(窄范圍AC輸入時(shí)尤其如此,如100V0.5A,特別是超高壓輸入);
注:非低壓大電流產(chǎn)品(如12V5A),KRP較大時(shí),DMAX不能設(shè)計(jì)的過小,否則空載也會啟動困難,且空載無跳頻(寬范圍AC輸入時(shí)尤其如此);
超低壓輸入產(chǎn)品(如12V輸入),KRP應(yīng)該較小,且開關(guān)頻率也不能過高,否則LP過小(漏感過大)無法正常工作(或者效率極低)。
KRP較大時(shí),動態(tài)響應(yīng)較快,環(huán)路補(bǔ)償比較容易(特別是采用電流模式控制);
KRP較小時(shí),動態(tài)響應(yīng)較慢,環(huán)路補(bǔ)償相對困難(特別是采用電壓模式控制);
KRP較大時(shí),電感電流斜率較急,CS采樣端對噪聲影響不明顯;
KRP較小時(shí),電感電流斜率較緩,CS采樣端可能會受到噪聲影響;
注:電流模式芯片通常會比電壓模式控制芯片的性能更加優(yōu)異,但并非所有情況下都是如此。如果輸入電壓較高,輸出功率較小,電流模式芯片可能無法檢測CS電壓,低壓大電流輸出產(chǎn)品在空載時(shí)也會出現(xiàn)這種情況(再次強(qiáng)調(diào),寬范圍AC輸入,低壓大電流輸出〈甚至非大電流輸出產(chǎn)品〉,如果KRP較大,DMAX又較小,空載極有可能出問題,或許輕載降頻、提高VCC都不一定有效,但是采用某些電壓模式控制芯片,可能會避免此問題)。低壓輸入,輸出功率很大時(shí),電感電流斜率較緩,CS采樣電壓(電阻/互感器)可能很容易受到干擾,如果負(fù)載變化較大,也可能會因此CS端采樣異常。也不是所有電流模式芯片均比電壓模式芯片優(yōu)秀,這需要綜合考慮各種因素,包括外圍電路的復(fù)雜程度。
超高壓輸入時(shí),KRP應(yīng)該設(shè)置較大(最好是QR模式),開關(guān)損耗會較低;
超低壓輸入時(shí),KRP應(yīng)該設(shè)置較小(最好是深度CCM模式),漏感會較低;
注:關(guān)于這兩條,后續(xù)有必要專門展開分析。
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KRP選取法則
電感紋波電流如何設(shè)置,主要取決于輸入電壓范圍、輸入電壓幅度、輸出電壓幅度、輸出電流范圍、漏感百分比(氣隙)四個(gè)量。
1、寬范圍輸入時(shí),盡量選擇深度CCM模式;
注:在所有輸入電壓范圍內(nèi),功率器件的電壓電流應(yīng)力會有一個(gè)較好的折中;
2、輸入電壓非常低時(shí)(如12/24V),請選擇深度CCM模式(KRP≤0.40);
注:此時(shí)如何降低漏感擺在第一位,深度CCM模式下,自然會獲得最小的漏感量;
3、輸入電壓非常高時(shí)(如400VDC),請選擇DCM模式(或者QR模式);
注:此時(shí)如何降低開關(guān)損耗擺在第一位,在QR模式下,自然會獲得最小開關(guān)損耗;
4、輸出電壓非常高時(shí),請選擇DCM模式(或者QR模式);
注:此時(shí)如何降低開關(guān)損耗擺在第一位,在QR模式下,自然會獲得最小開關(guān)損耗;
5、輸出電流非常大時(shí),盡量選擇CCM模式,KRP值視輸入電壓范圍及幅值決定;
注:CCM模式下,峰值電流、紋波電流、有效電流都會相對較小,且盡量避免采用單個(gè)肖特基二極管去處理高有效值電流,也要想辦法去避免空載問題。
6、小電流輸出,盡量采用DCM(QR)模式。
注:功率小,效率較高。
7、如果要求最小漏感設(shè)計(jì),盡量選擇CCM模式,KRP盡可能的小。
8、采用較小磁芯輸出較大功率的前提條件是:較小DMAX、較高電感紋波電流(有效電流),空載問題好解決
9、KRP小于0.66時(shí),電感電流峰值、有效值,不再跟隨KRP值的減小而明顯減小,但是Bdc及氣隙上升非常明顯;
KRP小于0.40時(shí),電感電流紋波電流將會出現(xiàn)過小而導(dǎo)致CS采樣困難,且飽和的10電感電流上升不明顯;
10、如果設(shè)置BCM模式下的LP=1,其他工作條件不變,則:
KRP=1.00,LP=1
KRP=0.66,LP=2
KRP=0.50,LP=3
KRP=0.40,LP=4
KRP=0.33,LP=5
我們可以研究不同KRP值下,磁芯的Bdc、Lg的變化趨勢,甚至可以更換不同的磁芯來滿足電氣參數(shù)設(shè)計(jì)(KRP、DMAX、LP均不會發(fā)生改變)。如此一來,KRP(電氣參數(shù))將會與磁芯參數(shù)形成緊密的聯(lián)系,方便量化分析。通過不同的電感紋波電流,來讓我們知道變換器到底需要什么樣的磁芯設(shè)計(jì)參數(shù)(包括磁芯選型)。而不是先來設(shè)計(jì)變壓器參數(shù),然后自動生成KRP等電氣參數(shù)。
簡單的理解,就是先設(shè)計(jì)好電氣參數(shù),如初次級的電壓、電流應(yīng)力,評估各種損耗溫升,考慮到PWM芯片、MOS、二極管各種的特點(diǎn)(先選好),讓反激變換器工作在最佳的工作狀態(tài)。根據(jù)這個(gè)最佳的電氣參數(shù),我們來設(shè)計(jì)變壓器參數(shù),如NP、NS、氣隙等等,最后通過更換磁芯或是微調(diào)變壓器的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),讓整個(gè)變換器都工作在最合理的狀態(tài)。如果開頭就進(jìn)行變壓器設(shè)計(jì),會導(dǎo)致我們產(chǎn)品優(yōu)化的余地較小(不得不重新計(jì)算或是申請樣品)。
不過,不得不承認(rèn),每一個(gè)人的學(xué)習(xí)經(jīng)歷往往很不同,屬于自己的最佳設(shè)計(jì)流程,應(yīng)該是自己最熟練、最能理解的哪一種。那是一種積累、一種磨練,千萬不要輕易去否定。這里提供的方法只是其中一種,諸多技巧中,如果覺得好就用,不好就不用。
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KRP的別名:KRF、r,它們之間存在換算關(guān)系,建議參考相關(guān)資料;
如果設(shè)置BCM模式下的LP=1,其他工作條件不變,則:
(磁芯、匝數(shù)比不變,否則無法完成對此;NP的變化不會改變DMAX、電壓、電流應(yīng)力,NP主要是影響磁芯參數(shù)設(shè)計(jì))
釋疑:
1、KRP從1.00下降至0.66時(shí),峰值電流的下降非常明顯,當(dāng)KRP從0.66向0.33下降時(shí),峰值電流的下降幅度非常有限;
2、KRP從1.00下降至0.33時(shí),紋波電流的下降一直非常明顯,與LP的變化趨勢剛好相反(I=V*TON/LP);
3、KRP從1.00下降至0.66時(shí),有效電流的下降非常明顯,當(dāng)KRP從0.66向0.33下降時(shí),有效電流的下降幅度非常有限;
4、KRP從1.00下降至0.33時(shí),BDC急劇增大,氣隙的大小與磁性元件的設(shè)計(jì)有關(guān),由于對比中的NP會有所不同,所以氣隙、BDC、BAC的變化趨勢僅僅是起有限的參考作用;
關(guān)于BDC、BAC的變化趨勢(二者是由哪些量決定的)分析見《開關(guān)電源手冊》,其中有詳細(xì)描述:
①外加的伏秒值、匝數(shù)、磁芯面積決定了交變磁通量(BAC);
VTon(n)+Np+Ae→△B
②直流平均電流值、匝數(shù)、磁路長度決定了直流磁場強(qiáng)度(BDC);
Idc+Np+Le(lg)→Hdc
③加氣隙和不加氣隙,磁芯飽和磁感應(yīng)強(qiáng)度是一樣的;但加氣隙的磁芯能顯著減小剩磁Br,另外,加氣隙可以承受大的多的直流電流;
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5、KRP從1.00下降至0.33時(shí),由于BDC、LP急劇增大,所以NP也會較大,間接導(dǎo)致導(dǎo)致BAC較小。
6、KRP從1.00下降至0.33時(shí),LP的變化范圍非常有意思,注意是整數(shù)倍,這為我們評估變壓器的設(shè)計(jì)提供了極好的參考依據(jù),我們可以一開始就設(shè)計(jì)在臨界模式,并且將臨界LP作為參考數(shù)值。需要明白,在保持匝數(shù)比(DMAX)不變的情況下,產(chǎn)品中的各種電壓應(yīng)力不會有任何改變(DMAX決定了電壓應(yīng)力,也不能夠大幅度改變,只適合微調(diào))。我們可以通過研究KRP(LP)變化時(shí),各種電流應(yīng)力與磁芯參數(shù)的變化趨勢,最終找出最優(yōu)設(shè)計(jì)。
7、采用此方法設(shè)計(jì)變壓器時(shí),建議采用V*TON,而不是I²*LP,因?yàn)镈MAX(決定TON)幾乎是固定量變化不大,而LP可以是變化量(由KRP決定),變化量非常大,優(yōu)化分析時(shí)也比較簡單。
8、需要認(rèn)真理解NP與LP不是線性關(guān)系,也要完全明白氣隙的計(jì)算公式;
9、進(jìn)行KRP及變壓器設(shè)計(jì)時(shí),需要緊密聯(lián)系各種參數(shù)(電壓、電流應(yīng)力,磁性參數(shù)),然后進(jìn)行系統(tǒng)分析。這是我極力推薦大家采用軟件的主要原因,手工計(jì)算極易出錯、慢、且無法對全局進(jìn)行優(yōu)化分析。
10、關(guān)于KRP的相關(guān)介紹,可以參考PI的相關(guān)設(shè)計(jì)資料;關(guān)于KRF的相關(guān)介紹,可以參考飛兆的相關(guān)設(shè)計(jì)資料;關(guān)于r的相關(guān)介紹,可以參考《精通開關(guān)電源設(shè)計(jì)》;關(guān)于KRP,其他公司也有各種不同的描述,但他們要表達(dá)的意思其實(shí)都差不多。
控制模式:電壓型、電流型、ON/OFF開關(guān)控制(RCC)
電壓型控制典型芯片:SG3524/3525、TOP22X/23X/24X等等
電流型控制典型芯片:TL494、UC3842/3/4/5、NCP1200、NCP1337等等
ON/OFF開關(guān)控制典型芯片:TNY系列,RCC變換器,安森美有個(gè)系列好像也是的
聲明:后續(xù)可能還會直接引用一些PI的資料,特別是設(shè)計(jì)流程、軟件操作、芯片資料、包括部分設(shè)計(jì)思路等等,并不代表PI的設(shè)計(jì)理念比其他公司更優(yōu)秀,僅僅是我更熟悉些而已,而且這些資料都有中文版本,內(nèi)容詳實(shí),方便初學(xué)者追根溯源。
關(guān)于書籍,推薦大家《新型單片開關(guān)電源設(shè)計(jì)與應(yīng)用》2004版,雖然比較難找,但是對于入門來說非常不錯。PI的變壓器設(shè)計(jì)軟件其實(shí)是非常不錯的入門工具,熟練了也可以把它用來設(shè)計(jì)其它類型的芯片?,F(xiàn)在又可以用來設(shè)計(jì)PFC、正激、LLC等拓?fù)?,太?qiáng)大了,建議初學(xué)者多花點(diǎn)時(shí)間學(xué)習(xí)學(xué)習(xí)。
以上就是反激變壓器的工作狀態(tài)和KRP的定性分析,當(dāng)然如果詳細(xì)分析起來還有更多的內(nèi)容,如PFC、正激類的輸出電感等,這些內(nèi)容都可用KRP來描述,總體來說沒有那么高深莫測,只是作為不同的應(yīng)用時(shí),側(cè)重點(diǎn)也有所不同,只要勤于鉆研和實(shí)踐,這對大家來說將不是什么難題。