【導讀】半導體行業(yè)的先驅者Fairchild推出 800V SuperFET® II MOSFET 系列。全新的 SuperFET MOSET 系列將最低的導通電阻 (Rdson)、最低的輸出電容 (Coss) 和廣泛的可選封裝相結合，為設計師提高了靈活性，為制造商提高了產品的效率和可靠性。
美國加州圣何塞 – 2015 年 3 月 10 日— 全球領先的高性能功率半導體解決方案供應商Fairchild (NASDAQ: FCS)今日推出 800V SuperFET® II MOSFET 系列，該系列提供廣泛的可選封裝并擁有業(yè)內最低的導通電阻 (Rdson) 和輸出電容 (Coss)。新系列幫助設計師提高高性能解決方案（需要 600V/650V 以上的擊穿電壓）的效率、成本效益和可靠性，同時通過減少元件的使用從而減少這些設計的電路板空間。
Fairchild最新的SuperFET II MOSFET 系列由 Rdson 范圍為 4.3 歐姆至業(yè)內最低 60 毫歐的26個器件（均以各種標準封裝提供）組成，為設計師在針對特定應用采用最佳器件中提供更多選擇和靈活性。例如，FCD850N80Z 是該系列的主要成員，將 DPAK 中異常低的850 毫歐 Rdson（最大值）與比主要競爭產品低 6~11% 的Rdson （最大值）和低8~13% 的Coss (@400V)相結合，使其成為需要低導通電阻和尺寸受限的 LED 照明應用的理想之選。該系列的關鍵應用包括 LED 照明、LED 電視和家庭影院音響設備的電源、電源適配器、服務器、工業(yè)電源、輔助電源及微型太陽能逆變器。
“借助 Fairchild 的全新 800V SuperFET II MOSFET 系列，制造商可提高產品的效率和可靠性。由于優(yōu)越的開關性能和低導通電阻，此系列的效率明顯優(yōu)于最接近的競爭產品，”Fairchild 的首席技術市場工程師 Wonhwa Lee 說。“新系列采用最新的超級結技術，實現小形狀因數及更勝以往的高效率，其耐用的內置二極管在高 dv/dt 條件下可提高工業(yè)橋式電路的可靠性。”
Fairchild 800V SuperFET II MOSFET 的成員包括：
(*： 開發(fā)中）
800V SuperFET II MOSFET 系列的最佳可靠性，加上出色的效率和熱特性，使其成為各種應用的理想之選。同時，多種可選封裝為設計師帶來巨大的靈活性，在尺寸受限的設計中尤為如此。要了解 Fairchild SuperFET II MOSFET 技術的更多信息，請訪問
