【導(dǎo)讀】很多電子工程師在使用MOS管時都忽略了米勒效應(yīng)。但是米勒效應(yīng)引發(fā)的開通損耗時間增長的明顯現(xiàn)象，給MOS管的正常工作帶來非常不利的影響。本文就來介紹米勒效應(yīng)在MOS柵極驅(qū)動過程中造成的危害都有哪些。
米勒效應(yīng)這個名詞對于很多電子工程師來說，恐怕都不會陌生。作為一種會導(dǎo)致開通損耗時間增長的效應(yīng)現(xiàn)象，它是由米勒電容所引發(fā)的，將會對MOS管的正常工作運行造成不利影響。
在MOS管的日常工作過程中，其柵極驅(qū)動過程可以理解為驅(qū)動源對MOSFET的輸入電容的充放電過程。當(dāng)Cgs達到門檻電壓后MOSFET就會進入開通狀態(tài)。當(dāng)MOSFET開通后，Vds開始下降，Id開始上升，此時MOSFET進入飽和區(qū)。但由于米勒效應(yīng)，Vgs會持續(xù)一段時間不再上升，此時Id已經(jīng)達到最大，而Vds還在繼續(xù)下降，直到米勒電容充滿電，Vgs又上升到驅(qū)動電壓的值，此時MOSFET進入電阻區(qū)，此時Vds徹底降下來，開通結(jié)束。由于米勒電容阻止了Vgs的上升，從而也就阻止了Vds的下降，這樣就會使損耗的時間加長。
圖為出現(xiàn)米勒效應(yīng)后的充放電曲線
這也就可以理解為什么米勒效應(yīng)在MOS驅(qū)動中讓無數(shù)工程師們頭痛不已了。它是由MOS管的米勒電容引發(fā)的，在MOS管開通過程中，當(dāng)GS電壓上升到某一電壓值后GS電壓有一段穩(wěn)定值，過后GS電壓又開始上升直至完全導(dǎo)通。
米勒會嚴(yán)重增加MOS的開通損耗，并造成MOS管不能很快得進入開關(guān)狀態(tài)，所以此時也就會出現(xiàn)所謂的圖騰驅(qū)動。因此，在選擇MOS時Cgd越小開通損耗就越小，然而該效應(yīng)卻不可能完全消失，只有盡可能的進行消除和削弱。
以上就是本文對MOS柵極驅(qū)動過程中米勒效應(yīng)的危害所進行的簡要分析，希望能夠幫助工程師更加充分的進行不良效應(yīng)的規(guī)避和消除。
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