高溫對功率密度高的電源模塊的可靠性影響極其大。高溫會導致電解電容的壽命降低，變壓器漆包線的絕緣特性降低，晶體管損壞，材料熱老化，焊點脫落等現(xiàn)象。有統(tǒng)計資料表明，電子元件溫度每升高2℃，可靠性下降10%。

對于電源模塊的熱設(shè)計，它包括兩個層面：降低損耗和改善散熱條件。

一、元器件的損耗

損耗是產(chǎn)生熱量的直接原因，降低損耗是降低發(fā)熱的根本。市面上有些廠家把發(fā)熱元件包在模塊內(nèi)部，使得熱量散不出去，這種方法有點自欺欺人。降低內(nèi)部發(fā)熱元件的損耗和溫升才是硬道理。

電源模塊熱設(shè)計的關(guān)鍵器件一般有：MOS管、二極管、變壓器、功率電感、限流電阻等。其損耗如下：

1、MOS管的損耗：導通損耗、開關(guān)損耗（開通損耗和關(guān)斷損耗）；

2、整流二極管的損耗：正向?qū)〒p耗；

3、變壓器、功率電感：鐵損和銅損；

4、無源器件（電阻、電容等）：歐姆熱損耗。

二、熱設(shè)計

在設(shè)計的初期，方案選擇、元器件選擇、PCB設(shè)計等方面都要考慮到熱設(shè)計。

1、方案的選擇

方案會直接影響到整體損耗和整體溫升的程度。

2、元器件的選擇

元器件的選擇不僅需要考慮電應(yīng)力，還要考慮熱應(yīng)力，并留有一定降額余量。降額等級可以參考《國家軍用標準——元器件降額準則GJB/Z35-93》，該標準對各類元器件的各等級降額余量作了規(guī)定。設(shè)計一個穩(wěn)定可靠的電源，實在不能任性，必須好好照著各元件的性子，設(shè)計、降額、驗證。圖1為一些元件降額曲線，隨著表面溫度增加，其額定功率會有所降低。
有時，電路參數(shù)和性能看似正常，但實際上隱藏很大的問題。某電路基本性能沒有問題，但在常溫下，用紅外熱成像儀一測，不得了了，MOS管的驅(qū)動電阻表面溫度居然達到95.2℃。長期工作或高溫環(huán)境下，極易出現(xiàn)電阻燒壞、模塊損壞的問題?？梢?，研發(fā)過程中使用熱成像儀測試元器件的溫度尤其重要，可及時發(fā)現(xiàn)并定位問題點。通過調(diào)整電路參數(shù)，降低電阻的歐姆熱損耗，且將電阻封裝由0603改成0805，大大降低了表面溫度。 3、PCB設(shè)計

PCB的銅皮面積、銅皮厚度、板材材質(zhì)、PCB層數(shù)都影響到模塊的散熱。常用的板材FR4（環(huán)氧樹脂）是很好的導熱材料，PCB上元器件的熱量可以通過PCB散熱。特殊應(yīng)用情況下，也有采用鋁基板或陶瓷基板等熱阻更小的板材。

PCB的布局布線也要考慮到模塊的散熱：

（1）發(fā)熱量大的元件要避免扎堆布局，不要哪里“熱”鬧，就往哪里湊，盡量保持板面熱量均勻分布；

（2）熱敏感的元件尤其應(yīng)該“哪邊涼快哪邊去”；

（3）必要時采用多層PCB；

（4）功率元件背面敷銅平面散熱，并用“熱孔”將熱量從PCB的一面?zhèn)鞯搅硪幻妗峥椎目讖綉?yīng)很小，大約0.3mm左右，熱孔的間距一般為1mm~1.2mm。功率元件背面敷銅平面加熱孔的方法，可以起到很好的散熱效果，降低功率元件的表面溫升。沒有采用此方法時，MOS管表面溫度和背面PCB的溫度；下面兩圖為采用“背面敷銅平面加熱孔”方法后，MOS管表面溫度和背面銅平面的溫度。可以看出：

a）MOS管表面溫度由98.0℃降低了22.5℃；

b）MOS管與背面的銅平面的溫差大大減小，熱孔的傳熱性能良好。 熱設(shè)計時，還須注意：

1、對于寬壓輸入的電源模塊，高壓輸入和低壓輸入的發(fā)熱點和熱量分布完全不同，需全面評估。短路保護時的發(fā)熱點和熱量分布也要評估。

2、在灌封類電源模塊中，灌封膠是一種良好的導熱的材料。模塊內(nèi)部元件的表面溫升會進一步降低。即便如此，我們?nèi)砸獪y試高溫環(huán)境下內(nèi)部元件的表面溫升，來確保模塊的可靠性。

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