【導(dǎo)讀】通訊電源是服務(wù)器，基站通訊的能源庫，為各種傳輸設(shè)備提供電能，保證通訊系統(tǒng)正常運行，通信電源系統(tǒng)在整個通信行業(yè)中占的比例比較小，但它是整個通信網(wǎng)絡(luò)的關(guān)鍵基礎(chǔ)設(shè)施，是通信網(wǎng)絡(luò)上一個完整而又不可替代的關(guān)鍵部件。
通信電源產(chǎn)品種類繁多，一般集中放在機房里，如圖1所示。
圖1：通訊電源機房
目前主流的通訊電源，其參數(shù)如下：
•輸入電壓AC:90-264V 50/60Hz
•輸出功率：2kw
•輸出：最大電壓12V/164.2A
•功率密度：26.14w/Cu.Inch.
•效率：93%
在通訊電源中要求高效，功率密度高、體積小、重量輕、成本低，有些工程師采用多種功率段并級成大功率，通訊電源主要由可控整流PFC，逆變和整流三大塊組成，要提高效率和功率密度必須要降低損耗，在前端的可控整流PFC部分會有幾種拓撲，ZVT PFC，無橋PFC,交錯并聯(lián)PFC以及SiC的硬開關(guān)PFC。在這么多拓撲中，除了SiC硬開關(guān)PFC以外，其他幾種控制方式都十分復(fù)雜，因此在新一代的主流設(shè)計中工程師們對SiC的硬開關(guān)PFC更感興趣。由SiC器件組成硬開關(guān)電路如下圖2所示：
圖2：SIC管的硬開關(guān)boost電路
因為SiC器件的特性，SiC二極管的反向恢復(fù)時間接近0，因此開關(guān)損耗很低。將SiC用于PFC中可以帶來的好處是：高頻化、在較高的開關(guān)頻率下依然可以得到較低的開關(guān)損耗，電感的體積可以減小，同時還提高了功率密度。
在六管組成三相VIENNA拓撲的PFC，采用全6管SiC的MOSFET，可以省掉快恢復(fù)二極管，如下圖3所示：
圖3：由6個SIC MOSFET組成的PFC電路
上圖的6管PFC，如果選用6個900V的65毫歐的SiC MOSFET或者1200V的160毫歐/80毫歐的SiC MOSFET，目標開關(guān)頻率是100Khz，最大可以做到20KW功率。
圖4：SIC MOSFET開通和關(guān)管的波形
從圖4的仿真模型中可以看出，在開通和關(guān)斷的交越區(qū)域非常小，因此損耗非常小，CREE的SiC產(chǎn)品可以實現(xiàn)在通訊電源上的高效、低成本、小體積以及高可靠性的要求。
