【導(dǎo)讀】在本指南中，將介紹通過活用PI（電源完整性）模擬將2端子MLCC（積層陶瓷貼片電容）改為低ESL產(chǎn)品，以降低電源線路阻抗和減少去耦電容數(shù)量的技術(shù)支持。
近年來，隨著各類電子系統(tǒng)的高功能和高性能化，IC的消耗電流量越來越大。 另一方面，IC的高功能化推動了內(nèi)部結(jié)構(gòu)的精細(xì)化，因此IC的耐電壓下降，電源電壓值下降。 看近年來的趨勢，需要減少電壓波動，而另一方面，IC 消耗電流變化又在增加。 因此，需要進(jìn)一步降低另一個因素——阻抗。
不斷提高的降低阻抗及削減去耦電容數(shù)量的要求
隨著電源電壓值的下降，降低電源線路的阻抗顯得越來越重要。
為了抑制電壓波動，需要降低阻抗。此處將介紹為了在基板尺寸以及貼裝區(qū)域等受到嚴(yán)格限制的情況下實(shí)現(xiàn)所需要的阻抗特性，TDK所提出的通過替換為低ESL產(chǎn)品來減少去耦電容數(shù)量的方案。
低電壓/大電流電源線的去耦電容
近年來，隨著電子設(shè)備系統(tǒng)的高功能化和高速動作化，系統(tǒng)內(nèi)部數(shù)字IC用電源線路的特性(PI:電源完整性)顯得越來越重要。
提高PI的關(guān)鍵在于降低電源線路的阻抗，因此，在電源線路中使用了大量的MLCC作為去耦電容。
但是，隨著安裝小型化，對基板尺寸和貼裝區(qū)域的限制越發(fā)嚴(yán)格，已很難為了得到期望的阻抗特性而大量貼裝必要的MLCC。
圖1：不同并聯(lián)貼裝數(shù)量的MLCC阻抗頻率特性圖
通過并聯(lián)多個電容可實(shí)現(xiàn)低阻抗
在低電壓且大電流的電源回路中，
為了抑制電壓波動，會使用多個去耦用MLCC
課題：數(shù)量較多 貼裝面積無空余 成本增加(貼裝費(fèi))
采用少量的低ESL產(chǎn)品，實(shí)現(xiàn)低阻抗
因此，TDK建議采用低ESL型電容來降低去耦電容的數(shù)量和減少貼裝面積。低ESL型電容是低電感成分(ESL)的產(chǎn)品，在從低頻到高頻的寬頻帶實(shí)現(xiàn)了低阻抗。因此，大量使用通常型電容才能實(shí)現(xiàn)的阻抗特性，低ESL型電容只需很少的數(shù)量即可實(shí)現(xiàn)。
圖2：典型低ESL產(chǎn)品的阻抗頻率特性
采用少量的低ESL產(chǎn)品，實(shí)現(xiàn)低阻抗
課題：數(shù)量較多 貼裝面積無空余 成本增加(貼裝費(fèi))
圖3：通常2端子產(chǎn)品 10 個 vs 低ESL產(chǎn)品 1~2 個的阻抗頻率特性
采用少量的低ESL產(chǎn)品，實(shí)現(xiàn)低阻抗
基板配線圖案也是電路的一部分
除了去耦電容的最佳選定和最佳結(jié)構(gòu)化之外，貼裝基板的圖案設(shè)計對電源線路的低阻抗化也有重要作用。貼裝基板的線路用導(dǎo)體圖案和通孔中存在電阻成分、寄生電感和雜散電容，在電源線路的阻抗設(shè)計中，基板本身的電氣成分也需要作為阻抗成分的一部分在基板圖案設(shè)計中加以考慮。
圖4：通常DCDC轉(zhuǎn)換器和IC（Processor）之間的回路示意圖
TDK可實(shí)現(xiàn)包括基板信息在內(nèi)的電源線阻抗模擬工作。
運(yùn)用PI模擬的電源設(shè)計支持
TDK通過導(dǎo)入貼裝基板信息進(jìn)行PI模擬驗(yàn)證，為最佳的電源線路設(shè)計提供技術(shù)支持。
根據(jù)基板類型/貼裝面/IC Pin Layout/周邊元器件布局等貼裝基板結(jié)構(gòu)，為選定最佳的電容類型、數(shù)量結(jié)構(gòu)、基板線路式樣、元器件排版等提供方案。
圖5：執(zhí)行PI模擬
課題：數(shù)量較多 貼裝面積無空余 成本增加(貼裝費(fèi))
一般來說，隨著基板設(shè)計的深入而會出現(xiàn)各種制約。因此，為了給客戶開發(fā)提供充分的支持，有效活用的最佳時機(jī)在基板圖案設(shè)計前的初期驗(yàn)證階段。
例如，在基板圖案設(shè)計正式開始之前，我們也可對需要的MLCC去耦電容數(shù)量、無法將MLCC配置在IC附近時的容許距離等進(jìn)行驗(yàn)證和提案。因此，如果您有電源線路設(shè)計方面的困擾，請盡可能在開發(fā)的前期階段聯(lián)系我們。
