功率MOSFET的轉(zhuǎn)移特性如圖1所示，VGS與電流ID曲線有一個(gè)溫度系數(shù)為0的電壓值5.5V，通常這個(gè)點(diǎn)就稱為零溫度系數(shù)點(diǎn)ZTC（Zero Temperature Coefficient）。VGS高于5.5V時(shí)，溫度越高電流越小，功率MOSFET的RDS是正溫度系數(shù)；VGS低于5.5V時(shí)，溫度越高電流越大，功率MOSFET的的RDS是負(fù)溫度系數(shù)。

 

功率MOSFET內(nèi)部通常是由許多晶胞單元并聯(lián)而成，如圖2所示。通常假定芯片內(nèi)部處于理想的熱平衡狀態(tài)，整個(gè)硅片的結(jié)溫完全一致。然而在實(shí)際條件下，硅片邊沿?zé)嶙璧?，如圖3所示；由于硅片焊接的不均勻，各局部區(qū)的熱阻也不一致；此外，各局部區(qū)的閾值電壓VTH也不完全相同，它們通過的漏極電流，也就是（VGS-VTH)和跨導(dǎo)乘積，也不完全相同。上述因素導(dǎo)致局部區(qū)溫度也不一樣。

 

功率MOSFET工作在線性區(qū)用來限制電流，VGS電壓低，通常在負(fù)溫度系數(shù)區(qū)，局部單元過熱導(dǎo)致其流過更大的電流，結(jié)果溫度更高，從而形成局部熱點(diǎn)導(dǎo)致器件損壞，這樣就形成一個(gè)熱電不穩(wěn)定性區(qū)域ETI (Electro Thermal Instability)，發(fā)生于VGS低于溫度系數(shù)為0（ZTC）的負(fù)溫度系數(shù)區(qū)。

 

開關(guān)電源中功率MOSFET工作于開關(guān)狀態(tài)，在截止區(qū)和完全導(dǎo)通區(qū)之間高頻切換，由于在切換過程中要經(jīng)過線性區(qū)，因此產(chǎn)生開關(guān)損耗。完全導(dǎo)通時(shí)，RDS處于正溫度系數(shù)區(qū)，局部單元的溫度增加，電流減小溫度降低，具有自動(dòng)的平衡電流的分配能力。但是在跨越線性區(qū)時(shí)，會(huì)產(chǎn)生動(dòng)態(tài)的不平衡。

 

對于熱插撥、負(fù)載開關(guān)、分立LDO的調(diào)整管等這一類的應(yīng)用，MOSFET較長時(shí)間或一直在線性區(qū)工作，因此工作狀態(tài)和快速開關(guān)狀態(tài)不同。功率MOSFET工作在線性狀態(tài)，器件的壓降和電流都較大，功耗大，因此產(chǎn)生高的熱電應(yīng)力，更容易導(dǎo)致熱不平衡的發(fā)生，從而形成局部熱點(diǎn)或局部電流集中，導(dǎo)致器件損壞；而且，也容易導(dǎo)致寄生的三極管導(dǎo)通，產(chǎn)生二次擊穿，從而損壞器件。

 

圖1：AOT462的轉(zhuǎn)移特性

 

圖2：功率MOSFET內(nèi)部晶胞單元

 

圖3：芯片內(nèi)部散熱差異

 

正溫度系數(shù)區(qū)主要處決于載流子的產(chǎn)生，負(fù)溫度系數(shù)區(qū)主要處決于載流子的移動(dòng)，因此表現(xiàn)出來的溫度特性不同。

 

器件的失效處取決于脈沖時(shí)間、散熱條件和功率MOSFET單元平衡性能。通常，ZTC對應(yīng)的電流越大，對應(yīng)的VGS越大，就越容易發(fā)生熱不穩(wěn)定性問題。而且ZTC直接和跨導(dǎo)相關(guān)，跨導(dǎo)增加，ZTC點(diǎn)向更高的VGS點(diǎn)移動(dòng)。

 

相對傳統(tǒng)的平面工藝，新一代的工藝的MOSFET單元密度大，具有更大的跨導(dǎo)，因此更容易發(fā)生熱不穩(wěn)定性問題。另外，高壓的MOSFET比低壓MOSFET，在ZTC點(diǎn)具有更低的電流和VGS，這是因?yàn)楦邏篗OSFET的epi層厚，單元的Pitch較低，而且摻雜也低，所以RDS隨溫度變化決定著在整個(gè)溫度范圍內(nèi)跨導(dǎo)的變化，因此比低壓MOSFET發(fā)生熱不穩(wěn)定性問題的可能性降低。

 

 

MOSFET的漏極導(dǎo)通特性前面論述過，其工作特性有三個(gè)工作區(qū)：截止區(qū)、線性區(qū)和‍完全導(dǎo)通區(qū)。其中，線性區(qū)也稱恒流區(qū)、飽和區(qū)、放大區(qū)；完全導(dǎo)通區(qū)也稱可變電阻區(qū)。

 

功率MOSFET在完全導(dǎo)通區(qū)和線性區(qū)工作時(shí)候，都可以流過大的電流。理論上，功率MOSFET是單極型器件，N溝道的功率MOSFET，只有電子電流，沒有空穴電流，但是，這只是針對完全導(dǎo)通的時(shí)候；在線性區(qū)，還是會(huì)同時(shí)存在電子和空穴二種電流，如圖4、圖5和圖6分別所示，完全導(dǎo)通區(qū)和線性區(qū)工作時(shí)，電勢、空穴和電流線分布圖。

 

從電勢分布圖，功率MOSFET完全導(dǎo)通時(shí)，VDS的壓降低，耗盡層完全消失；功率MOSFET在線性區(qū)工作時(shí)，VDS的電壓比較高，耗盡層仍然存在，此時(shí)由于在EPI耗盡層產(chǎn)生電子-空穴對，空穴也會(huì)產(chǎn)生電流，參入電流的導(dǎo)通。

 

空穴電流產(chǎn)生后，就會(huì)通過MOSFET內(nèi)部的BODY體區(qū)流向S極，這也導(dǎo)致有可能觸發(fā)寄生三極管，對功率MOSFET產(chǎn)生危害。由空、電流線穴分布圖可見：線性區(qū)工作時(shí)產(chǎn)生明顯的空穴電流，電流線也擴(kuò)散到P型BODY區(qū)。

 

圖4：完全導(dǎo)通（左）和線性區(qū)的電勢分布圖

 

圖5：完全導(dǎo)通（左）和線性區(qū)的空穴分布圖

 

圖6：完全導(dǎo)通（左）和線性區(qū)的電流線分布圖

 

功率MOSFET在線性區(qū)工作時(shí)，器件同時(shí)承受高的電壓和高的電流時(shí)，會(huì)產(chǎn)生下面的問題：

1、內(nèi)部的電場大，注入更多的空穴。

2、有效的溝道寬度比完全導(dǎo)通時(shí)小。

3、改變Vth和降低擊穿電壓。

4、Vth低，電流更容易傾向于局部的集中，形成熱點(diǎn)；負(fù)溫度系數(shù)特性進(jìn)一步惡化局部熱點(diǎn)。

 

功率MOSFET工作在線性區(qū)時(shí)，器件承受高的電壓，耗盡層高壓偏置導(dǎo)致有效的體電荷減?。还ぷ麟妷涸礁?，內(nèi)部的電場越高，電離加強(qiáng)產(chǎn)生更多電子-空穴對，形成較大的空穴電流。特別是如果工藝不一致，局部區(qū)域達(dá)到臨界電場，會(huì)產(chǎn)生非常強(qiáng)的電離和更大的空穴電流，增加寄生三極管導(dǎo)通的風(fēng)險(xiǎn)。

 

圖7為通用Trench和SGT屏蔽柵（分離柵）完全導(dǎo)通的電流線，圖7來源于網(wǎng)絡(luò)。新一代SGT工藝的功率MOSFET局部區(qū)域電流線更密急，更容易產(chǎn)生局部的電場集中，因此，如果不采取特殊的方法進(jìn)行優(yōu)化，很難在線性區(qū)的工作狀態(tài)下使用。

 

圖7：Trench（左）和SGT屏蔽柵電流線分布圖

來源：松哥電源