我們已聽(tīng)到我們的行業(yè)代言人宣布，“GaN將迎來(lái)黃金發(fā)展時(shí)間。”這一公告似乎在暗示，GaN已準(zhǔn)備好出現(xiàn)在廣大聽(tīng)眾、用戶或?yàn)閿?shù)眾多的應(yīng)用面前。這也表明，GaN技術(shù)已經(jīng)如此成熟，不能認(rèn)為它是一個(gè)有問(wèn)題的技術(shù)。我會(huì)讓您自己決定哪些東西是正確的。

 

因此，當(dāng)我說(shuō)“GaN已為數(shù)字電源控制做好準(zhǔn)備”時(shí)，您懂我的意思嗎？測(cè)試GaN的一種方法是查看采用GaN的電源的開(kāi)發(fā)過(guò)程。多數(shù)情況下，電源設(shè)計(jì)人員使用數(shù)字控制來(lái)演示GaN應(yīng)用。這可能是因?yàn)閿?shù)字化控制的靈活性較好，能夠讓設(shè)計(jì)人員精確控制開(kāi)關(guān)波形。也可能是數(shù)字控制可以提供克服任意GaN缺點(diǎn)的多個(gè)控制回路和保護(hù)電路。

 

我認(rèn)為，“GaN已為數(shù)字電源控制做好準(zhǔn)備”的含義比我上述提到的更豐富，但它也意味著數(shù)字控制也做好準(zhǔn)備迎接GaN。對(duì)于做好準(zhǔn)備迎接GaN的數(shù)字電源控制來(lái)講，它需要時(shí)間基分辨率、采樣分辨率和計(jì)算馬力用于更高的開(kāi)關(guān)頻率、更窄的占空比和精確的死區(qū)時(shí)間控制。圖1和2所示為硅（Si）MOSFET和GaN MOSFET的上升和下降時(shí)間。圖中數(shù)字顯示死區(qū)時(shí)間存在兩倍的差異，硅 MOSFET速度更慢。此外，GaN MOSFET的上升和下降更加線性。這些屬性使得更精細(xì)的邊緣控制非常可取。

 

GaN可在無(wú)需支付后續(xù)費(fèi)用的情況下增大開(kāi)關(guān)頻率。利用這一優(yōu)點(diǎn)，可以在功率級(jí)中縮小無(wú)源元件尺寸，并加快瞬變響應(yīng)速度。但是，要對(duì)這些較高頻率進(jìn)行所需的控制，控制電路速度必須更快。例如，采樣和轉(zhuǎn)換時(shí)間需要足夠快，才不會(huì)限制占空比寬度或相位延遲。此外，接下來(lái)針對(duì)控制工作的計(jì)算需要足夠快，以不限制開(kāi)關(guān)速度。對(duì)于如今頻率大于1MHz的開(kāi)關(guān)電源，需要在少數(shù)100ns中完成采樣和轉(zhuǎn)換。計(jì)算延遲也必須處于這一范圍。

 

幸運(yùn)的是，多年來(lái)，我們生產(chǎn)的數(shù)字電源控制器一直具備這一能力。并非所有數(shù)字電源控制器都能滿足這些需求，但是至少電源設(shè)計(jì)人員有選擇權(quán)。

 

因此，GaN為數(shù)字電源控制做好準(zhǔn)備了嗎？我們得到的答案更多是數(shù)字電源控制已準(zhǔn)備好迎接GaN。因此，隨著GaN繼續(xù)開(kāi)發(fā)，并應(yīng)用于高密度和高性能電源解決方案，我們不必等待開(kāi)發(fā)控制器時(shí)要借助GaN帶給行業(yè)的優(yōu)勢(shì)。因此，這就是“準(zhǔn)備就緒”的含義：它是指“現(xiàn)在就開(kāi)始”。

 

您對(duì)這個(gè)問(wèn)題有什么看法呢？

 

圖1：諧振LLC硅MOSFET死區(qū)時(shí)間

 

圖2：LLC GaN MOSFET死區(qū)時(shí)間

 

 

免責(zé)聲明：本文為轉(zhuǎn)載文章，轉(zhuǎn)載此文目的在于傳遞更多信息，版權(quán)歸原作者所有。本文所用視頻、圖片、文字如涉及作品版權(quán)問(wèn)題，請(qǐng)聯(lián)系小編進(jìn)行處理。

 

推薦閱讀：