【導(dǎo)讀】本文介紹了早期 蘇聯(lián)晶體三極管[1] 的外觀和內(nèi)部結(jié)構(gòu)。這些內(nèi)容可以幫助我們對晶體三極管工作原理產(chǎn)生直觀印象。對于上個(gè)世紀(jì)出生的人來說，這些都是滿滿的回憶，也見證電子學(xué)是如何從電子管過渡到晶體管時(shí)代的。
01 早期蘇聯(lián)晶體管
圖1 早期的蘇聯(lián)批量生產(chǎn)的晶體三極管
● 本文翻譯自：First transistors USSR[2]
● 參考文件：[2] : http://www.155la3.ru/aktiv.htm
1.1 點(diǎn)接觸三極管
這是前蘇聯(lián)第一個(gè)晶體三極管系列，其中沒有包括被長久使用過的KC1-KC8（1959），他們屬于P-N-P點(diǎn)接觸鍺三極管 C1、C2（1954-1960）。不算上引腳，晶體管機(jī)械參數(shù)：
? ● 晶體管機(jī)械參數(shù):
???長度：12mm
???直徑：4mm
???重量：2g
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仔細(xì)看會發(fā)現(xiàn)這些三極管從外觀上看很像常見到的鋁電解電容，如果不是上面印制器件型號很難把它們與通常具有三個(gè)管腳的晶體三極管聯(lián)系起來。
圖2 鍺晶體三極管
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下面是原展示網(wǎng)站將該三極管外殼打開逐步展現(xiàn)其中的結(jié)構(gòu)。
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去掉鋁殼之后，可以看到其中的金屬圓柱以及內(nèi)部的半導(dǎo)體芯片。這說明最外面的鋁板僅僅起到加固作用，保護(hù)內(nèi)部銅質(zhì)圓柱體。
圖3 去掉鋁殼之后，可以看到其中的金屬圓柱以及內(nèi)部的半導(dǎo)體芯片
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通過銅柱上的圓孔可以看到內(nèi)部隱藏著半導(dǎo)體芯片以及兩個(gè)對外的引腳。
圖4 關(guān)鍵的半導(dǎo)體鍺片深藏在圓柱體內(nèi)部
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半導(dǎo)體內(nèi)部結(jié)構(gòu)以及俄文說明書：
圖5 半導(dǎo)體內(nèi)部結(jié)構(gòu)以及俄文說明書
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與蘇聯(lián)C1，C2晶體管對應(yīng)的美國西電公司生產(chǎn)的2N25（1953）也是點(diǎn)接觸P-N-P型三極管，CS結(jié)構(gòu)上來看他們很相似，但2N25僅僅使用一個(gè)塑料環(huán)來封閉金屬孔，因此重量輕了1克。
? ● 2N25機(jī)械參數(shù)：
???長度：12mm
???直徑：5.5mm
???重量：1g
圖1.6 美國西電公司的2N25晶體管
圖1.7 密封金屬孔的塑料環(huán)以及內(nèi)部結(jié)構(gòu)
1.2 結(jié)型三極管
P1、P2是第一款民品結(jié)型鍺三極管（1955-1960），它的機(jī)械尺寸：
? ● 結(jié)型三極管機(jī)械尺寸：
???長度：19mm
???直徑：9mm
???重量：2.5g
???引腳長度：30mm
圖1.2.1 結(jié)型鍺晶體三極管
圖1.2.2 鍺三極管說明書
1.3 平面功率三極管
P3是蘇聯(lián)第一代功率三極管。
? ● 功率三極管參數(shù)：
???長：24mm
???直徑：27mm
???核心直徑：25mm
???重量：8g
圖1.3.1 平面功率三極管
圖1.3.2 功率三極管的說明書
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P4BE 是一款10瓦的功率平面P-N-P型鍺三極管，大約在1957出品。
? ● 大功率三極管P4BE尺寸：
???直徑：30mm
???高度：9mm（不帶引腳）
???重量：14g
圖1.3.3 P4BE功率三極管
圖1.3.4 P4BE功率三極管的固定散熱面
1.4 微波管
P411A是鍺擴(kuò)散微波晶體三極管，屬于P-N-P型，1959年生產(chǎn)，它具有非常奇異的外形設(shè)計(jì)。
圖1.4.1 P411A微波三極管
1.5 硅三極管
P309是在上個(gè)世紀(jì)60年代生產(chǎn)的硅 N-P-N型三極管，一直持續(xù)到近期才被其它型號替代。下圖中的P309是在1964 與1985年生產(chǎn)的型號。
? ● 硅三極管尺寸：
???高度：11mm
???直徑：10mm（加上外緣：13mm）
???重量：2g
圖1.5.1 上個(gè)世紀(jì)60年代和80年代生產(chǎn)的P309硅三極管
02 晶體管內(nèi)部結(jié)構(gòu)
2.1 物理結(jié)構(gòu)
下面是1959年生產(chǎn)的P-N-P型鍺三極管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)。原文作者將他手中唯一保留的三極管金屬外殼打開對其結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)一探究竟。
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下面是P16型 P-N-P型鍺三極管，生產(chǎn)于1959年。
圖2.1.1 P-N-P 鍺三極管內(nèi)部結(jié)構(gòu)
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GT310B P-N-P鍺三極管內(nèi)部結(jié)構(gòu)：
圖2.1.2 GT310B P-N-P鍺三極管內(nèi)部結(jié)構(gòu)
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GT402A 鍺P-N-P型三極管內(nèi)部結(jié)構(gòu)：
圖2.1.3 GT402A P-N-P鍺三極管內(nèi)部結(jié)構(gòu)
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2SB257（60年）鍺P-N-P型三極管內(nèi)部結(jié)構(gòu)：
圖2.1.4 2SB257 鍺晶體管內(nèi)部結(jié)構(gòu)
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OC38 鍺P-N-P型三極管內(nèi)部結(jié)構(gòu)：
圖2.5 OC38 鍺P-N-P型三極管內(nèi)部結(jié)構(gòu)
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下面是OC71A三極管，在1954年出品。它的外殼設(shè)計(jì)非常特別：是玻璃外殼，內(nèi)部填充有保護(hù)膠質(zhì)。
圖2.6 OC71A 晶體三極管：帶有玻璃外殼
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將玻璃外殼黑色保護(hù)漆去除，顯露其內(nèi)部的芯片以及填充的保護(hù)膠。
圖2.7 OC71A 晶體三極管內(nèi)部結(jié)構(gòu)
2.2 晶體二極管
圖2.2.1 晶體二極管結(jié)構(gòu)
圖2.2.2 晶體二極管結(jié)構(gòu)
2.3 結(jié)構(gòu)原理圖
圖2.2.3 點(diǎn)接觸晶體管內(nèi)部結(jié)構(gòu)
圖2.2.4 點(diǎn)接觸晶體管內(nèi)部結(jié)構(gòu)
圖2.3.3 晶體二極管內(nèi)部結(jié)構(gòu)
※ 總??結(jié) ※
本文介紹了早期 蘇聯(lián)晶體三極管[2] 的外觀和內(nèi)部結(jié)構(gòu)。這些內(nèi)容可以幫助我們對晶體三極管工作原理產(chǎn)生直觀印象。對于上個(gè)世紀(jì)出生的人來說，這些都是滿滿的回憶，也見證電子學(xué)是如何從電子管過渡到晶體管時(shí)代的。
從過去看未來，從現(xiàn)在亦可以改變未來。
參考資料
[1]蘇聯(lián)晶體三極管: http://vintage-technics.ru/Eng-First_transistors_ussr.htm
[2]參考文件：: http://www.155la3.ru/aktiv.htm
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