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熱管理:突破功率密度障礙的 3 種方法

發(fā)布時間:2022-11-01 來源:TI 責任編輯:wenwei

【導讀】實現(xiàn)更高功率密度的障礙是什么?實際上,熱性能是電源管理集成電路 (IC) 在電氣方面的附加特性,既無法忽略也不能使用系統(tǒng)級過濾元件“優(yōu)化”。要緩解系統(tǒng)過熱問題,需要在開發(fā)過程的每個步驟中進行關(guān)鍵的微調(diào),以便設(shè)計能夠滿足給定尺寸約束下的系統(tǒng)要求。以下是 TI 專注于優(yōu)化熱性能和突破芯片級功率密度障礙的三個關(guān)鍵領(lǐng)域。


幾乎每個應(yīng)用中的半導體數(shù)量都在成倍增加,電子工程師面臨的諸多設(shè)計挑戰(zhàn)都歸結(jié)于需要更高的功率密度。例如下面這幾類應(yīng)用: 


●   超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心:機架式服務(wù)器工作使用的功率讓人難以置信,這讓公用事業(yè)公司和電力工程師難以跟上不斷增長的電力需求。

●   電動汽車:從內(nèi)燃機到 800V 電池包的過渡會導致動力總成的半導體組件數(shù)量呈指數(shù)增加。

●   商業(yè)和家庭安防應(yīng)用:隨著可視門鈴和互聯(lián)網(wǎng)協(xié)議攝像頭變得越來越普遍,它們的尺寸越來越小,這對必要的散熱解決方案增加了約束。


實現(xiàn)更高功率密度的障礙是什么?實際上,熱性能是電源管理集成電路 (IC) 在電氣方面的附加特性,既無法忽略也不能使用系統(tǒng)級過濾元件“優(yōu)化”。要緩解系統(tǒng)過熱問題,需要在開發(fā)過程的每個步驟中進行關(guān)鍵的微調(diào),以便設(shè)計能夠滿足給定尺寸約束下的系統(tǒng)要求。以下是 TI 專注于優(yōu)化熱性能和突破芯片級功率密度障礙的三個關(guān)鍵領(lǐng)域。


工藝技術(shù)創(chuàng)新


許多全球半導體制造商都在競相提供電源管理產(chǎn)品,這些產(chǎn)品利用工藝技術(shù)節(jié)點在業(yè)界通用封裝中實現(xiàn)更高的性能。例如,TI 持續(xù)投資 45nm 和 65nm 工藝技術(shù),利用內(nèi)部技術(shù)開發(fā)以及 300mm 制造效能來提供針對成本、性能、功率、精度和電壓電平進行優(yōu)化的產(chǎn)品。我們的工藝技術(shù)進步也幫助我們創(chuàng)造出在各種熱條件下保持高性能的產(chǎn)品。例如,降低集成金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 的特定導通狀態(tài)電阻 (RSP) 或漏源導通狀態(tài)電阻 (RDS(on)),可以更大限度地減小芯片尺寸,同時提高熱性能。氮化鎵 (GaN) 或碳化硅等其他半導體開關(guān)也是如此。


以 TPS566242 降壓轉(zhuǎn)換器為例,如圖 1 中所示。新的工藝節(jié)點通過集成功能并提供額外的接地連接優(yōu)化了引腳布局,有助于在 1.6mm x 1.6mm SOT-563 封裝中提供 6A 輸出電流。如果您五年前問我微型引線式簡易封裝是否實現(xiàn)這種類型的性能,我會表示懷疑。但現(xiàn)在,這已經(jīng)成為了可能。這就是工藝技術(shù)的魅力。


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圖 1:TPS566242 同步降壓轉(zhuǎn)換器可提供高達 6A 的連續(xù)電流


電路設(shè)計技術(shù)


除了在工藝技術(shù)層面提高效率之外,創(chuàng)造性的電路設(shè)計在提高功率密度方面也發(fā)揮著重要作用。設(shè)計人員歷來使用分立式熱插拔控制器來保護大電流企業(yè)應(yīng)用。這些元件可以提供可靠的保護功能,但隨著終端設(shè)備制造商(和消費者)需要更大的電流能力,分立式電源設(shè)計可能會變得過大,尤其是對于服務(wù)器電源單元 (PSU) 等通常需要 300A 或更高電流的應(yīng)用。


TPS25985 電子保險絲將集成式 0.59mΩ FET 與電流檢測放大器搭配使用。這個放大器,加上一種新的有源電流共享方法,可讓您輕松進行溫度監(jiān)控。通過結(jié)合使用高效的開關(guān)與創(chuàng)新的集成方法,TPS25985 可以提供高達 70A 的峰值電流,并且您可以輕松堆疊多個電子保險絲,獲得更高的功率。


熱優(yōu)化封裝研發(fā)


盡管減少散發(fā)到印刷電路板 (PCB) 或系統(tǒng)中的熱量是一項基本要求,但現(xiàn)實情況是,過多的熱量仍然存在,尤其是在功率要求更高或系統(tǒng)環(huán)境溫度升高的情況下。TI 最近增強了其 HotRodTm Quad-Flat-No lead (QFN) 封裝的性能,包含更大的裸片連接焊盤 (DAP),可實現(xiàn)更好的散熱。圖 2 顯示了 6A、36V TLVM13660 降壓電源模塊的總 DAP 面積和引腳易用性。


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圖 2:TLVM13660 底部包括四個導熱墊,所有信號和電源引腳均分布在外圍,便于布局和處理


要了解有關(guān)這些封裝演變的更多信息,請參閱模擬設(shè)計期刊文章,“采用小型直流/直流轉(zhuǎn)換器進行設(shè)計:HotRod QFN 與增強型 HotRod QFN 封裝”。


系統(tǒng)級散熱解決方案


對于服務(wù)器 PSU 等大功率應(yīng)用,具有頂部冷卻功能的 GaN 是一種非常有效的散熱方法,可以在不使 PCB 變熱的情況下去除 IC 中的熱量。LMG3522R030-Q1 GaN FET 在頂部冷卻封裝中集成了柵極驅(qū)動器和保護功能。圖 3 顯示了具有有源鉗位、功率密度大于 270W/in3 的 3kW 相移全橋參考設(shè)計的“隔離式直流/直流”部分,該設(shè)計利用 LMG3522 實現(xiàn)了 97.74% 的峰值效率。


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圖 3:具有有源鉗位的 3kW 相移全橋參考設(shè)計


當然,考慮到諸如 PCB 層數(shù)或組裝流程和系統(tǒng)成本限制等不同,您可能希望擁有靈活的冷卻選項。在這些情況下,LMG3422R030 集成式 GaN FET 等底部冷卻 IC 可能更適用。


結(jié)語


只有采用多方面的工藝和封裝技術(shù)并具備電源設(shè)計專業(yè)知識,才能在降低熱影響的同時保持高性能。在 TI,我們的產(chǎn)品設(shè)計人員、系統(tǒng)工程師、封裝研發(fā)和制造團隊都密切關(guān)注散熱問題,從而在不影響熱性能的情況下實現(xiàn)更高的功率密度。



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