功率晶體管的產(chǎn)品特性：

• 32伏的直流電壓中生成10:1 VSWR的額定功率
• 提供集成的靜電放電（ESD）保護
• -6至+10 V廣泛的門限電壓范圍

功率晶體管的應用范圍：

• 滿足Doherty放大器體系結構的特殊要求

飛思卡爾半導體推出3款新型RF LDMOS功率晶體管，提供在無線基站收發(fā)器里使用Doherty多載波功率放大器（MCPA）要求的超高輸出電平。

飛思卡爾 MRF8S18260H/S、 MRF8P18265H/S和MRF8S19260H/S 產(chǎn)品是飛思卡爾RF功率放大器中高壓第8代（HV8）產(chǎn)品系列的最新成員。 它們在1800和1900MHz頻段中，提供飛思卡爾RF LDMOS 功率晶體管產(chǎn)品組合的最高輸出電平。

MCPA支持無線服務提供商提高現(xiàn)有基站的覆蓋面和功率，不用像過去那樣經(jīng)常要在每載波里提供一個專用放大器。 MCPA技術允許單個放大器處理多個載波，從而減少終端產(chǎn)品尺寸和組件數(shù)量。 此外，Doherty配置提高了功率放大器的能源效率，并減少了基站每年的運營成本。

飛思卡爾副總裁兼RF部門總經(jīng)理Gavin P. Woods表示， “我們設計飛思卡爾HV8組合來幫助設計人員提高運營效率，降低基站系統(tǒng)的整體能耗和運營成本。 由于增加了先進的MCPA、 MRF8S18260H/S、 MRF8P18265H/S和 MRF8S19260H/S產(chǎn)品，我們的LDMOS產(chǎn)品得到進一步擴展，從而為客戶帶來更多選擇，以滿足他們的設計需求，特別是滿足大量無線服務提供商的要求。”

新產(chǎn)品滿足了Doherty放大器體系結構的特殊要求，該體系結構將以AB級模式運行的載波放大器與以效率更高的C類模式運行的峰值放大器相組合到一起。 它們的這些特性還能夠特別滿足數(shù)字預失真（DPD）電路的要求，從而保證了高階預制方案規(guī)定的高線性。

晶體管通過內(nèi)部匹配提供簡化的總成，性能十分牢固，而且在32伏的直流電壓中生成10:1 VSWR的額定功率。 它們被安裝到飛思卡爾NI1230陶瓷氣腔封裝包里，提供集成的靜電放電（ESD）保護，從而更好地防止在總成線上所遇到雜散電壓；當以C類模式操作時，-6至+10 V這樣廣泛門限電壓范圍則能提高其性能。

MRF8P18265H/S 是雙路徑器件，在單個封裝中需要同時集成載波和峰值放大器來實施Doherty末級別放大器。

特性：

MRF8S18260H/S
 

• 1805 至1880 MHz
• P1dB 功率為260W CW
• 平均輸出功率達到74W時，AB類漏極效率為31.6%
• 增益為17.9 dB

MRF8S19260H/S
 

• 1930 至1,990 MHz
•  P1dB 功率為245W CW
• 平均輸出功率達到74W時，AB類漏極效率為 34.5%
• 增益為18.2 dB

MRF8P18265H/S
 

• 1805 至1880 MHz
• 峰值（P3dB）功率為280W
• 平均輸出功率達到72W 時，Doherty漏極效率為43.7%
• Doherty增益為16dB