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運(yùn)動(dòng)追蹤+沖擊檢測(cè)雙感知！意法半導(dǎo)體微型AI傳感器開啟智能設(shè)備新維度
意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）推出業(yè)界首款集成運(yùn)動(dòng)追蹤與高重力沖擊測(cè)量的微型AI慣性測(cè)量單元（IMU），采用3.3mm×2.8mm緊湊封裝。該傳感器支持沖擊檢測(cè)精度與動(dòng)態(tài)角度解析，可精準(zhǔn)重構(gòu)智能設(shè)備運(yùn)動(dòng)軌跡與沖擊事件，適配移動(dòng)設(shè)備、可穿戴設(shè)備、消費(fèi)醫(yī)療產(chǎn)品以及智能家居、智能工業(yè)和智能駕駛設(shè)備等場(chǎng)景，推動(dòng)消費(fèi)電子、醫(yī)療監(jiān)護(hù)及工業(yè)4.0設(shè)備邁向高可靠感知新階段。
2025-05-22
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中微公司在TechInsights 2025半導(dǎo)體供應(yīng)商獎(jiǎng)項(xiàng)調(diào)查中榮獲兩項(xiàng)第一
在全球技術(shù)分析和知識(shí)產(chǎn)權(quán)服務(wù)提供商TechInsights舉辦的2025年半導(dǎo)體供應(yīng)商獎(jiǎng)項(xiàng)調(diào)查(Semiconductor Supplier Awards Survey)中榮獲六大獎(jiǎng)項(xiàng)，其中在WFE基礎(chǔ)芯片制造商（WFE to Foundation Chip Makers）、薄膜沉積設(shè)備（Deposition Equipment）兩個(gè)榜單中位列第一。
2025-05-19
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破局PMIC定制困境：無代碼方案加速產(chǎn)品落地
電源管理集成電路(PMIC)有益于簡(jiǎn)化最終應(yīng)用并縮小其尺寸，也因此備受青睞。然而，當(dāng)默認(rèn)啟動(dòng)時(shí)序和輸出電壓與應(yīng)用要求不符時(shí)，就需要定制上電設(shè)置。大多數(shù)情況下，電路沒有可以存儲(chǔ)這些設(shè)置的非易失性存儲(chǔ)器(NVM)。對(duì)此，低功耗微控制器是一個(gè)很好的解決方案，其功能特性和所包含的工具可以在上電時(shí)對(duì)PMIC控制寄存器進(jìn)行編程，而不需要開發(fā)固件。本文將探討如何使用工具鏈來解決集成難題。該工具鏈無需開發(fā)固件，能夠簡(jiǎn)化PMIC的定制過程，并顯著縮短開發(fā)周期。
2025-05-18
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貿(mào)澤電子聯(lián)合ADI與Samtec發(fā)布工業(yè)AI/ML電子書：探索工業(yè)自動(dòng)化未來
業(yè)界知名新品引入 (NPI) 代理商貿(mào)澤電子宣布與ADI和Samtec合作推出全新電子書《9 Experts Discuss Robotics, AI, and ML in Industrial Applications》（9位專家探討工業(yè)應(yīng)用中的機(jī)器人、AI和ML），探討機(jī)器人、人工智能 (AI) 和機(jī)器學(xué)習(xí) (ML) 如何改變制造業(yè)、物流業(yè)等領(lǐng)域的格局。通過精密運(yùn)動(dòng)控制、基于傳感器的感知和自適應(yīng)功能，這些領(lǐng)域的自動(dòng)化程度將得到進(jìn)一步增強(qiáng)，從而助力設(shè)計(jì)人員打造出新一代機(jī)器人解決方案，在動(dòng)態(tài)環(huán)境中實(shí)現(xiàn)更可靠、更安全的實(shí)時(shí)操作。
2025-05-16
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隔離SEPIC轉(zhuǎn)換器如何破解反激式拓?fù)涞腅MI與調(diào)節(jié)困局？
?在低功耗隔離電源設(shè)計(jì)中，反激式拓?fù)潆m因結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單被廣泛應(yīng)用，但其漏感引發(fā)的FET振鈴、EMI干擾及多路輸出調(diào)節(jié)難題始終困擾工程師。本文通過實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)驗(yàn)證，提出隔離SEPIC（單端初級(jí)電感轉(zhuǎn)換器）作為更優(yōu)解，其獨(dú)特的能量傳輸機(jī)制可顯著改善系統(tǒng)性能。
2025-05-14
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薄膜電阻技術(shù)深度解析與產(chǎn)業(yè)應(yīng)用指南
薄膜電阻（Thin Film Resistor）通過物理/化學(xué)氣相沉積（PVD/CVD）工藝，在陶瓷基板（Al?O?或AlN）表面形成納米級(jí)（50-250nm）金屬或合金薄膜（如NiCr、TaN）。
2025-05-10
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傳感器+AI+衛(wèi)星：貿(mào)澤電子農(nóng)業(yè)資源中心揭秘精準(zhǔn)農(nóng)業(yè)“黑科技”
?全球半導(dǎo)體與電子元器件分銷商貿(mào)澤電子（Mouser Electronics）近日正式上線農(nóng)業(yè)資源中心，聚焦智慧科技在農(nóng)業(yè)領(lǐng)域的創(chuàng)新應(yīng)用。該平臺(tái)整合了傳感器、無人機(jī)、人工智能等前沿技術(shù)方案，為農(nóng)業(yè)從業(yè)者提供從數(shù)據(jù)采集到智能分析的全鏈路支持。
2025-05-09
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金屬膜電阻技術(shù)解析與產(chǎn)業(yè)應(yīng)用指南
金屬膜電阻（Metal Film Resistor）是在高純度陶瓷基板（通常為Al?O?）表面，通過真空沉積工藝形成鎳鉻合金（NiCr）或氮化鉭（TaN）薄膜，再經(jīng)激光微調(diào)達(dá)到目標(biāo)阻值的精密電阻器。
2025-05-09
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10BASE-T1S如何運(yùn)用以太網(wǎng)重構(gòu)智能工廠的“神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)”
為了使所有這些獨(dú)立的設(shè)備能夠可靠地通信，工廠需要采用安全可靠的協(xié)議。在過去，通信依賴于包括HART、RS-485、Modbus、DeviceNet、Profibus和CAN在內(nèi)的多種網(wǎng)絡(luò)協(xié)議的混合使用。這種碎片化意味著需要昂貴的網(wǎng)關(guān)來連接不同的標(biāo)準(zhǔn)，而且維護(hù)變得既困難又昂貴。
2025-05-08
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驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)（七）——自舉電源在5kW交錯(cuò)調(diào)制圖騰柱PFC應(yīng)用
隨著功率半導(dǎo)體IGBT，SiC MOSFET技術(shù)的發(fā)展和系統(tǒng)設(shè)計(jì)的優(yōu)化，電平位移驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)用場(chǎng)景越來越廣，電壓從600V拓展到了1200V。英飛凌1200V電平位移型頸驅(qū)動(dòng)芯片電流可達(dá)+/-2.3A，可驅(qū)動(dòng)中功率IGBT，包括Easy系列模塊。目標(biāo)10kW+應(yīng)用，如商用HVAC、熱泵、伺服驅(qū)動(dòng)器、工業(yè)變頻器、泵和風(fēng)機(jī)。本文就來介紹一個(gè)設(shè)計(jì)案例，采用電平位移驅(qū)動(dòng)器碳化硅SiC MOSFET 5kW交錯(cuò)調(diào)制圖騰柱PFC評(píng)估板。
2025-05-07
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硅光技術(shù)新突破：意法半導(dǎo)體PIC100開啟數(shù)據(jù)中心高能效時(shí)代
PIC100 是意法半導(dǎo)體的首個(gè)硅光子技術(shù)，是在300 毫米晶片上制造的以高能效為亮點(diǎn)的PIC（光子集成電路），每通道數(shù)據(jù)速率達(dá)到200Gbps，未來甚至有望實(shí)現(xiàn)更高的帶寬。事實(shí)上，此次發(fā)布意義重大，因?yàn)樗_啟了一系列光子集成電路的先河， ST還計(jì)劃推出更多的后續(xù)技術(shù)，助力數(shù)據(jù)中心、人工智能服務(wù)器集群和其他光纖網(wǎng)絡(luò)設(shè)備提升能效。目前，許多可插拔光收發(fā)器都在使用ST的 BiCMOS B55 芯片，因此ST對(duì)市場(chǎng)有一定的了解。利用意法半導(dǎo)體的能效更高的 PIC制造技術(shù)和下一代55 納米硅鍺芯片B55X，可插拔光收發(fā)器廠商將會(huì)在市場(chǎng)上樹立新的能效和性能標(biāo)桿，這對(duì)于推廣普及傳輸速度更快的通信標(biāo)準(zhǔn)至關(guān)重要。
2025-04-30
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交錯(cuò)式反相電荷泵如何破解EMI/紋波雙難題？
集成電路中使用IICP來生成較小的負(fù)偏置軌。ADP5600獨(dú)特地將低噪聲IICP與其他低噪聲特性和高級(jí)故障保護(hù)功能結(jié)合在一起。本文將借助ADP5600深入探討交錯(cuò)式反相電荷泵(IICP)的實(shí)際例子。我們將ADP5600的電壓紋波和電磁輻射干擾與標(biāo)準(zhǔn)反相電荷泵進(jìn)行比較，以揭示交錯(cuò)如何改善低噪聲性能。
2025-04-28
- 從ECU到BMS：厚膜電阻在汽車電子系統(tǒng)中的全應(yīng)用場(chǎng)景
- 從選型到應(yīng)用：熔斷電阻器的全場(chǎng)景解析
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