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IGBT換流回路中雜散電感的測量
換流回路中的雜散電感會引起波形震蕩，EMI或者電壓過沖等問題。因此在電路設(shè)計的時候需要特別留意。本文給出了電路雜散電感的測量方法以及模塊數(shù)據(jù)手冊中雜散電感的定義方法。
2021-10-14
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什么情況下應(yīng)該從硅片轉(zhuǎn)換到寬帶隙技術(shù)？
自從寬帶隙 (WBG) 器件誕生以來，為功率變換應(yīng)用帶來了一股令人激動的浪潮。但是，在什么情況下從硅片轉(zhuǎn)換到寬帶隙技術(shù)才有意義呢？迄今為止，屏蔽柵極 MOSFET、超級結(jié)器件和 IGBT等基于硅的功率器件已經(jīng)很好地在業(yè)界得到大規(guī)模應(yīng)用。這些器件在品質(zhì)因數(shù) (FoM) 方面不斷改進，加上在拓?fù)浼軜?gòu)和開關(guān)機理等方面的進步，使工程師能夠?qū)崿F(xiàn)更高的系統(tǒng)效率。
2021-09-15
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仿真看世界之650V混合SiC單管的開關(guān)特性
英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD續(xù)流二極管，取代了傳統(tǒng)Si的Rapid1快速續(xù)流二極管，配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5)，進一步優(yōu)化了系統(tǒng)效率、性能與成本之間的微妙平衡。
2021-09-08
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大功率晶閘管參數(shù)解析之開關(guān)特性
功率二極管晶閘管廣泛應(yīng)用于AC/DC變換器、UPS、交流靜態(tài)開關(guān)、SVC和電解氫等場合，但大多數(shù)工程師對這類雙極性器件的了解不及對IGBT的了解，為此我們組織了6篇連載，包括正向特性，動態(tài)特性，控制特性，保護以及損耗與熱特性。內(nèi)容摘自英飛凌英文版應(yīng)用指南AN2012-01《雙極性半導(dǎo)體技術(shù)信息》。
2021-09-08
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板子上的MOSFET莫名炸機，多半是這個原因！
MOSFET、IGBT是開關(guān)電源最核心也是最容易燒壞的器件！其原因大多是過壓或過流導(dǎo)致功耗大增，從而使器件損壞，甚至可能會伴隨爆炸。而SOA安全工作區(qū)測試，就是保障其安全工作的重要測試項目！
2021-09-07
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仿真看世界之IPOSIM的散熱器熱阻Rthha解析
如何評估IGBT模塊的損耗與結(jié)溫？英飛凌官網(wǎng)在線仿真工具IPOSIM，是IGBT模塊在選型階段的重要參考。這篇文章將針對IPOSIM仿真中的散熱器熱阻參數(shù)Rthha，給大家做一些清晰和深入的解析。
2021-09-05
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IGBT模塊及散熱系統(tǒng)的等效熱模型
功率器件作為電力電子裝置的核心器件，在設(shè)計及使用過程中如何保證其可靠運行，一直都是研發(fā)工程師最為關(guān)心的問題。功率器件除了要考核其電氣特性運行在安全工作區(qū)以內(nèi)，還要對器件及系統(tǒng)的熱特性進行精確設(shè)計，才能既保證器件長期可靠運行，又充分挖掘器件的潛力。
2021-08-23
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利用SiC FET降低電磁干擾和開關(guān)損耗
器件緩沖似乎是處理開關(guān)過沖、振鈴和損耗的一種“野蠻”解決方案，而這對于諸如IGBT之類較老的技術(shù)來說確實如此。但是，寬禁帶器件，尤其是SiC FET，可以將該技術(shù)用為柵極電阻調(diào)諧的優(yōu)良替代方案，以提供較低的總損耗。
2021-08-20
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大功率晶閘管參數(shù)解析之正向特性
功率二極管晶閘管廣泛應(yīng)用于AC/DC變換器、UPS、交流靜態(tài)開關(guān)、SVC和電解氫等場合，但大多數(shù)工程師對這類雙極性器件的了解不及對IGBT的了解，為此我們組織了6篇連載，包括正向特性，動態(tài)特性，控制特性，保護以及損耗與熱特性。
2021-08-16
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IGBT驅(qū)動器的電流隔離
通常，以以下方式描述IGBT（絕緣柵雙極晶體管）：“ IGBT是場效應(yīng)晶體管和雙極晶體管的組合，其中N溝道FET控制雙極晶體管”。盡管這句話很好地描述了基礎(chǔ)知識，但在高功率范圍的IGBT應(yīng)用中，IGBT控制電路的復(fù)雜性實際上要比控制小MOSFET時要高得多。
2021-08-13
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非隔離型柵極驅(qū)動器與功率元器件
ROHM不僅提供電機驅(qū)動器IC，還提供適用于電機驅(qū)動的非隔離型柵極驅(qū)動器，以及分立功率器件IGBT和功率MOSFET。我們將先介紹羅姆非隔離型柵極驅(qū)動器，再介紹ROHM超級結(jié)MOSFET PrestoMOSTM。
2021-08-05
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瑞能半導(dǎo)體憑碳化硅器件躋身行業(yè)前列 聚焦新賽道持續(xù)研發(fā)穩(wěn)固核心競爭力
近日，瑞能半導(dǎo)體CEO Markus Mosen（以下簡稱Markus）的媒體溝通會在上海靜安洲際酒店舉行，瑞能半導(dǎo)體全球市場總監(jiān)Brian Xie同時出席本次媒體溝通會。溝通會上首先回顧了瑞能半導(dǎo)體自2015年從恩智浦分離出后，從全新的品牌晉升為如今的知名國際品牌的過程中，在六年內(nèi)保持的相當(dāng)規(guī)模的成長，并取得的驕人成績；結(jié)合瑞能半導(dǎo)體近期推出的第六代碳化硅二極管、碳化硅MOSFET、IGBT、TVS/ESD等多種系列產(chǎn)品，明確了在碳化硅器件行業(yè)內(nèi)的領(lǐng)先地位；在分享后續(xù)發(fā)展策略的同時，強調(diào)了瑞能半導(dǎo)體未來的產(chǎn)品規(guī)劃，會從傳統(tǒng)消費市場擴展到工業(yè)和汽車領(lǐng)域應(yīng)用布局，更加著眼在消費電子、可再生能源、大數(shù)據(jù)和汽車電子領(lǐng)域，以及針對與國內(nèi)外眾多知名客戶的合作內(nèi)容和解決方案展開了交流。
2021-08-04
- 克服碳化硅制造挑戰(zhàn)，助力未來電力電子應(yīng)用
- 了解交流電壓的產(chǎn)生
- 單結(jié)晶體管符號和結(jié)構(gòu)
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- Vishay推出負(fù)載電壓達(dá)100 V的業(yè)內(nèi)先進的1 Form A固態(tài)繼電器
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