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SiC MOSFET的短溝道效應(yīng)
Si IGBT和SiC溝槽MOSFET之間有許多電氣及物理方面的差異,Practical Aspects and Body Diode Robustness of a 1200V SiC Trench MOSFET 這篇文章主要分析了在SiC MOSFET中比較明顯的短溝道效應(yīng)、Vth滯回效應(yīng)、短路特性以及體二極管的魯棒性。直接翻譯不免晦澀難懂,不如加入自己的理解,重新梳理一遍,希望能給大家?guī)?lái)更多有價(jià)值的信息。今天我們著重看下第一部分——短溝道效應(yīng)。
2023-04-24
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Boost變換器的二極管
對(duì)于Boost電路,跟Buck電路一樣都有同步與非同步。如圖6.19所示,非同步Boost是有一個(gè)開(kāi)關(guān)管和一個(gè)二極管,而同步Boost是兩個(gè)開(kāi)關(guān)管。
2023-04-21
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E-RSSI技術(shù)助力更精確的短距離測(cè)距應(yīng)用
RSSI是Received Signal Strength Indicator(接收信號(hào)強(qiáng)度指示器)的縮寫,用于測(cè)量接收到的信號(hào)強(qiáng)度。在低功耗藍(lán)牙設(shè)備中,RSSI也具有重要的作用。
2023-04-19
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【活動(dòng)邀請(qǐng)】2023電子思想者(深圳)大會(huì)
2023年,全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)仍然面臨“需求創(chuàng)新困境”,疊加中美戰(zhàn)略博弈對(duì)抗升級(jí),2023年的全球半導(dǎo)體行業(yè)是極其艱難的一年。WSTS、ICinsights、Gartner等知名分析機(jī)構(gòu)都給出了悲觀預(yù)測(cè),甚至認(rèn)為全球半導(dǎo)體行業(yè)正走向自2000年互聯(lián)網(wǎng)泡沫后的最大衰退。在對(duì)2023年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展悲觀預(yù)期如此一致的情況下,最大的不確定性可能就在于國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)將會(huì)如何發(fā)展?行業(yè)拐點(diǎn)會(huì)在什么時(shí)候?
2023-04-11
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無(wú)刷直流電機(jī)及其驅(qū)動(dòng):設(shè)計(jì)考慮因素和挑戰(zhàn)
電機(jī)最早出現(xiàn)在十八世紀(jì),之后迅速全面普及,根據(jù)國(guó)際能源署 IEA-4E 組織 EMSA 數(shù)據(jù),其消耗了全球生產(chǎn)能源的一半以上,數(shù)據(jù)來(lái)源:Electric Motor Systems - 4E Energy Efficient End-use Equipment (iea-4e.org)。國(guó)際能源署(IEA) 也表示,通常 95% 的電機(jī)生命周期成本,來(lái)自為其提供動(dòng)力的電力,因此任何能夠提高電機(jī)運(yùn)行效率的技術(shù)方法都會(huì)受市場(chǎng)歡迎。
2023-04-11
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如何通過(guò)優(yōu)化模塊布局解決芯片縮小帶來(lái)的電氣性能挑戰(zhàn)
在本文的第一部分——《如何通過(guò)改進(jìn)IGBT模塊布局來(lái)克服芯片縮小帶來(lái)的熱性能挑戰(zhàn)》,我們提到尺寸和功率往往看起來(lái)像硬幣的兩面。當(dāng)你縮小尺寸時(shí),你不可避免地會(huì)降低功率。在那篇文章中,我們介紹了芯片縮小對(duì)熱性能的影響,以及如何通過(guò)優(yōu)化芯片位置和模塊布局來(lái)減輕這種影響?,F(xiàn)在,讓我們來(lái)看看我們?nèi)绾文軌蚋纳齐姎庑阅?。同樣,我們將以采用TRENCHSTOP? IGBT 7技術(shù)的新型1200V、600A EconoDUAL? 3模塊為例,該模塊針對(duì)通用驅(qū)動(dòng)(GPD)、商業(yè)、建筑和農(nóng)業(yè)車輛(CAV)、不間斷電源(UPS)和太陽(yáng)能等應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。
2023-04-10
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貿(mào)澤加大Panasonic新品備貨力度 涉及多種模塊、電容器及繼電器
2023年4月10日 – 提供超豐富半導(dǎo)體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 備貨Panasonic Corporation各類創(chuàng)新產(chǎn)品。這些產(chǎn)品擁有出色的性能、質(zhì)量和可靠性,為幾乎所有行業(yè)的客戶提供了出色的解決方案,包括汽車、工業(yè)、電源和傳感器系統(tǒng)以及智能家居應(yīng)用。貿(mào)澤備有Panasonic及其子公司Panasonic Batteries、Panasonic Electronic Components和Panasonic Industrial Devices的近25000種元器件,為客戶產(chǎn)品開(kāi)發(fā)提供持續(xù)支持。
2023-04-10
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監(jiān)控外部輸入時(shí)降低 MCU 能耗
現(xiàn)如今幾乎沒(méi)有應(yīng)用程序能夠避免降低能耗的需求。對(duì)于便攜式和電池供電設(shè)備的設(shè)計(jì)人員來(lái)說(shuō),這是一個(gè)影響其產(chǎn)品性能和可用性的限制因素。在國(guó)內(nèi),EnergyStar 等計(jì)劃讓消費(fèi)者更加意識(shí)到這個(gè)問(wèn)題,不僅是在使用設(shè)備時(shí),而且在設(shè)備處于待機(jī)模式時(shí)。能源越來(lái)越被認(rèn)為是一種珍貴而有限的商品。
2023-03-23
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NST112x-CWLR溫度傳感器 可穿戴設(shè)備溫度檢測(cè)硬件設(shè)計(jì)指南
NST112x是一款工作電壓范圍在1.5V至3.6V的低功耗數(shù)字溫度傳感器。片上集成了14位模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)提供低至0.015625℃的分辨率。該傳感器規(guī)定的工作溫度范圍為-40℃至125℃。其通過(guò)靈活的兩線I2C接口與主機(jī)進(jìn)行通信,該接口與SMBus兼容,并支持4個(gè)設(shè)備地址。該傳感器在高精測(cè)溫范圍(25℃~45℃)內(nèi)的典型精度為0.1°C,高度線性,不需要復(fù)雜的計(jì)算或查找表來(lái)獲得溫度。
2023-03-22
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盛思銳加入ST合作伙伴計(jì)劃,為智能應(yīng)用場(chǎng)景提供更先進(jìn)的傳感器
全球智能傳感器解決方案提供商盛思銳(瑞士證交所代碼:SENS)宣布,其已加入ST合作伙伴計(jì)劃。兩家公司的客戶都將受益于更先進(jìn)的高質(zhì)量組件,用于創(chuàng)新和相當(dāng)可靠的應(yīng)用。
2023-03-13
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汽車朝向電子化發(fā)展帶來(lái)龐大的商機(jī)
傳統(tǒng)的汽車產(chǎn)業(yè)已經(jīng)逐漸朝向電子化、電氣化發(fā)展,除了各式各樣的電動(dòng)汽車之外(混合動(dòng)力與純電動(dòng)車),就算是燃油車也在車身內(nèi)部與外觀上使用越來(lái)越多的電子零組件。本文將為您介紹汽車電子化、電氣化的發(fā)展方向,以及由ST(意法半導(dǎo)體)所推出相關(guān)產(chǎn)品的功能特性。
2023-03-09
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人機(jī)共駕時(shí)代,我們需要什么樣的座艙監(jiān)測(cè)系統(tǒng)?
據(jù)CDC統(tǒng)計(jì),全美每天就有9個(gè)人死于分心駕駛。歐洲已經(jīng)將駕駛員監(jiān)測(cè)系統(tǒng)(DMS,Driver Monitoring System)列入了新車安全評(píng)估標(biāo)準(zhǔn)(Euro NCAP)的項(xiàng)目中,未來(lái)幾年歐盟將在所有新車型中強(qiáng)制配置DMS。
2023-03-02
- 授權(quán)代理商貿(mào)澤電子供應(yīng)Same Sky多樣化電子元器件
- 使用合適的窗口電壓監(jiān)控器優(yōu)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)
- ADI電機(jī)運(yùn)動(dòng)控制解決方案 驅(qū)動(dòng)智能運(yùn)動(dòng)新時(shí)代
- 倍福推出采用 TwinSAFE SC 技術(shù)的 EtherCAT 端子模塊 EL3453-0090
- TDK推出新的X系列環(huán)保型SMD壓敏電阻
- Vishay 推出新款采用0102、0204和 0207封裝的精密薄膜MELF電阻
- Microchip推出新款交鑰匙電容式觸摸控制器產(chǎn)品 MTCH2120
- 精準(zhǔn)監(jiān)測(cè)電離分?jǐn)?shù)與沉積通量,助力PVD/IPVD工藝與涂層質(zhì)量雙重提升
- ADC 總諧波失真
- 貿(mào)澤電子持續(xù)擴(kuò)充工業(yè)自動(dòng)化產(chǎn)品陣容
- 更高精度、更低噪音 GMCC美芝電子膨脹閥以創(chuàng)新?lián)屨夹袠I(yè)“制高點(diǎn)”
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