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什么情況下應該從硅片轉換到寬帶隙技術?
自從寬帶隙 (WBG) 器件誕生以來,為功率變換應用帶來了一股令人激動的浪潮。但是,在什么情況下從硅片轉換到寬帶隙技術才有意義呢?迄今為止,屏蔽柵極 MOSFET、超級結器件和 IGBT等基于硅的功率器件已經很好地在業(yè)界得到大規(guī)模應用。這些器件在品質因數 (FoM) 方面不斷改進,加上在拓撲架構和開關機理等方面的進步,使工程師能夠實現更高的系統(tǒng)效率。
2021-09-15
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仿真看世界之650V混合SiC單管的開關特性
英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD續(xù)流二極管,取代了傳統(tǒng)Si的Rapid1快速續(xù)流二極管,配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5),進一步優(yōu)化了系統(tǒng)效率、性能與成本之間的微妙平衡。
2021-09-08
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大功率晶閘管參數解析之開關特性
功率二極管晶閘管廣泛應用于AC/DC變換器、UPS、交流靜態(tài)開關、SVC和電解氫等場合,但大多數工程師對這類雙極性器件的了解不及對IGBT的了解,為此我們組織了6篇連載,包括正向特性,動態(tài)特性,控制特性,保護以及損耗與熱特性。內容摘自英飛凌英文版應用指南AN2012-01《雙極性半導體技術信息》。
2021-09-08
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板子上的MOSFET莫名炸機,多半是這個原因!
MOSFET、IGBT是開關電源最核心也是最容易燒壞的器件!其原因大多是過壓或過流導致功耗大增,從而使器件損壞,甚至可能會伴隨爆炸。而SOA安全工作區(qū)測試,就是保障其安全工作的重要測試項目!
2021-09-07
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仿真看世界之IPOSIM的散熱器熱阻Rthha解析
如何評估IGBT模塊的損耗與結溫?英飛凌官網在線仿真工具IPOSIM,是IGBT模塊在選型階段的重要參考。這篇文章將針對IPOSIM仿真中的散熱器熱阻參數Rthha,給大家做一些清晰和深入的解析。
2021-09-05
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IGBT模塊及散熱系統(tǒng)的等效熱模型
功率器件作為電力電子裝置的核心器件,在設計及使用過程中如何保證其可靠運行,一直都是研發(fā)工程師最為關心的問題。功率器件除了要考核其電氣特性運行在安全工作區(qū)以內,還要對器件及系統(tǒng)的熱特性進行精確設計,才能既保證器件長期可靠運行,又充分挖掘器件的潛力。
2021-08-23
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利用SiC FET降低電磁干擾和開關損耗
器件緩沖似乎是處理開關過沖、振鈴和損耗的一種“野蠻”解決方案,而這對于諸如IGBT之類較老的技術來說確實如此。但是,寬禁帶器件,尤其是SiC FET,可以將該技術用為柵極電阻調諧的優(yōu)良替代方案,以提供較低的總損耗。
2021-08-20
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大功率晶閘管參數解析之正向特性
功率二極管晶閘管廣泛應用于AC/DC變換器、UPS、交流靜態(tài)開關、SVC和電解氫等場合,但大多數工程師對這類雙極性器件的了解不及對IGBT的了解,為此我們組織了6篇連載,包括正向特性,動態(tài)特性,控制特性,保護以及損耗與熱特性。
2021-08-16
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IGBT驅動器的電流隔離
通常,以以下方式描述IGBT(絕緣柵雙極晶體管):“ IGBT是場效應晶體管和雙極晶體管的組合,其中N溝道FET控制雙極晶體管”。盡管這句話很好地描述了基礎知識,但在高功率范圍的IGBT應用中,IGBT控制電路的復雜性實際上要比控制小MOSFET時要高得多。
2021-08-13
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非隔離型柵極驅動器與功率元器件
ROHM不僅提供電機驅動器IC,還提供適用于電機驅動的非隔離型柵極驅動器,以及分立功率器件IGBT和功率MOSFET。我們將先介紹羅姆非隔離型柵極驅動器,再介紹ROHM超級結MOSFET PrestoMOSTM。
2021-08-05
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瑞能半導體憑碳化硅器件躋身行業(yè)前列 聚焦新賽道持續(xù)研發(fā)穩(wěn)固核心競爭力
近日,瑞能半導體CEO Markus Mosen(以下簡稱Markus)的媒體溝通會在上海靜安洲際酒店舉行,瑞能半導體全球市場總監(jiān)Brian Xie同時出席本次媒體溝通會。溝通會上首先回顧了瑞能半導體自2015年從恩智浦分離出后,從全新的品牌晉升為如今的知名國際品牌的過程中,在六年內保持的相當規(guī)模的成長,并取得的驕人成績;結合瑞能半導體近期推出的第六代碳化硅二極管、碳化硅MOSFET、IGBT、TVS/ESD等多種系列產品,明確了在碳化硅器件行業(yè)內的領先地位;在分享后續(xù)發(fā)展策略的同時,強調了瑞能半導體未來的產品規(guī)劃,會從傳統(tǒng)消費市場擴展到工業(yè)和汽車領域應用布局,更加著眼在消費電子、可再生能源、大數據和汽車電子領域,以及針對與國內外眾多知名客戶的合作內容和解決方案展開了交流。
2021-08-04
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如何提高汽車芯片進化電池管理系統(tǒng)的可靠性?
新能源汽車最核心和最貴的兩個器件是 IGBT 和電芯,圍繞這兩個器件其實在三電系統(tǒng)檢測和保護中芯片起到了很大的作用,隨著汽車內電壓從 12V、48V、200V+、400V+最后到 800V,監(jiān)測和保護的芯片電路的功能重要性也越來越重要。當然這部分成本在 BMS、逆變器里面也占了不小的成本比例。
2021-08-03
- 如何解決在開關模式電源中使用氮化鎵技術時面臨的挑戰(zhàn)?
- 不同拓撲結構中使用氮化鎵技術時面臨的挑戰(zhàn)有何差異?
- 集成化柵極驅動IC對多電平拓撲電壓均衡的破解路徑
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