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探索高壓輸電——第2部分：電壓源換流器
VSC目前已成為首選實施對象，原因如下：VSC具有較低的系統(tǒng)成本，因為它們的配站比較簡單。VSC實現(xiàn)了電流的雙向流動，更易于反轉(zhuǎn)功率流方向。VSC可以控制AC側(cè)的有功和無功功率。VSC不像LCC那樣依賴于AC網(wǎng)絡(luò)，因此它們可以向無源負載供電并具有黑啟動能力。使用絕緣柵雙極晶體管（IGBT）閥，則無需進行晶閘管所需的換流操作，并可實現(xiàn)雙向電流流動。
2021-07-08
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用NTC為功率模塊做溫控效果如何？
溫度控制是 MOSFET 或 IGBT 功率模塊有效工作的關(guān)鍵因素之一。盡管某些 MOSFET 配有內(nèi)部溫度傳感器 (體二極管)，但其他方法也可以用來監(jiān)控溫度。半導(dǎo)體硅 PTC 熱敏電阻可以很好進行電流控制，或鉑基或鈮基(RTD)電阻溫度檢測器可以用較低阻值，達到更高的檢測線性度。無論傳感器采用表面貼裝器件、引線鍵合裸片還是燒結(jié)裸片，NTC 熱敏電阻仍是靈敏度優(yōu)異，用途廣泛的溫度傳感器。只要設(shè)計得當(dāng)，可確保模塊正確降額，并最終在過熱或外部溫度過高的情況下關(guān)斷模塊。
2021-07-04
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什么是柵極－源極電壓產(chǎn)生的浪涌？
MOSFET和IGBT等功率半導(dǎo)體作為開關(guān)元件已被廣泛應(yīng)用于各種電源應(yīng)用和電力線路中。其中，SiC MOSFET在近年來的應(yīng)用速度與日俱增，它的工作速度非?？?，以至于開關(guān)時的電壓和電流的變化已經(jīng)無法忽略SiC MOSFET本身的封裝電感和外圍電路的布線電感的影響。特別是柵極-源極間電壓，當(dāng)SiC MOSFET本身的電壓和電流發(fā)生變化時，可能會發(fā)生意想不到的正浪涌或負浪涌，需要對此采取對策。
2021-06-10
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如何使用有源米勒鉗位電路來減輕寄生效應(yīng)
本文主要介紹了由于米勒電容器引起的寄生導(dǎo)通效應(yīng)，以及如何使用有源米勒鉗位電路來減輕寄生效應(yīng)。在操作IGBT時面臨的常見問題之一是由于米勒電容器而導(dǎo)致的寄生導(dǎo)通。在0至+15 V型柵極驅(qū)動器（單電源驅(qū)動器）中，這種影響是明顯的。
2021-05-19
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瑞能半導(dǎo)體將攜IGBT和碳化硅等功率器件新品亮相2021慕尼黑上海電子展覽會
中國上海 - 2021年4月7日 — 2021慕尼黑上海電子展覽會即將于4月14日至16日在上海新國際博覽中心舉辦。慕尼黑上海電子展作為電子行業(yè)展覽，是行業(yè)內(nèi)重要的盛事。本屆慕尼黑上海電子展覽會將匯聚近千家國內(nèi)外優(yōu)質(zhì)電子企業(yè)，涵蓋從產(chǎn)品設(shè)計到應(yīng)用落地的上下游產(chǎn)業(yè)，展示內(nèi)容包括了半導(dǎo)體、傳感器、物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)、汽車電子及測試等。
2021-04-08
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IGBT雙脈沖測試詳解
電源設(shè)備硬件主功率部分的電路性能直接影響產(chǎn)品品質(zhì)，但開發(fā)過程中，在樣機測試階段才能對其性能進行評測。有些公司為保證產(chǎn)品開發(fā)進度，僅采取不得已的補救措施，產(chǎn)品不僅非最優(yōu)設(shè)計，甚至?xí)o產(chǎn)品的質(zhì)量埋下隱患。而我司在產(chǎn)品設(shè)計初期就采用IGBT雙脈沖測試，提前對硬件電路設(shè)計進行多維度測試評估，在保證產(chǎn)品是最優(yōu)設(shè)計的基礎(chǔ)上，提高產(chǎn)品開發(fā)效率。
2021-02-07
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使用 IGBT模塊簡化電機驅(qū)動裝置和逆變器的設(shè)計
電機和逆變器的使用在工業(yè)自動化、機器人、電動汽車、太陽能、白色家電和電動工具等應(yīng)用中日漸增長。隨著這種增長是對提高效率、降低成本、縮小封裝和簡化整體設(shè)計的需求。雖然使用分立式絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) 設(shè)計定制電機和逆變器功率電子器件以滿足特定要求很有誘惑力，但從長遠來看，這樣做的成本很高，而且會延誤設(shè)計進度。
2020-12-28
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具有集成式驅(qū)動器和自我保護功能的GaN FET如何實現(xiàn)下一代工業(yè)電源設(shè)計
氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體的物理特性與硅器件不相上下。傳統(tǒng)的電源供應(yīng)器金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)和絕緣柵極雙極晶體管(IGBT)只有在犧牲效率、外形尺寸和散熱的前提下才能提高功率密度。
2020-12-16
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更高能效、穩(wěn)定可靠的工業(yè)驅(qū)動模塊和開箱即用的電機開發(fā)套件
功率集成模塊(PIM)被廣泛用于驅(qū)動、泵、暖通空調(diào) (HVAC)、能源轉(zhuǎn)換等各個領(lǐng)域，實現(xiàn)對能源的調(diào)制及高效利用。安森美半導(dǎo)體的創(chuàng)新的壓鑄模PIM (TMPIM)，集成最佳的IGBT / FRD技術(shù)，采用可靠的基板和環(huán)氧樹脂壓鑄模技術(shù)，比普通的凝膠填充功率模塊提高熱循環(huán)使用壽命10倍，提高功率回環(huán)使用壽命3倍，有利于逆變器系統(tǒng)實現(xiàn)更高能效、更長的使用壽命及更高可靠性，適用于工業(yè)電機驅(qū)動、泵、風(fēng)扇、熱泵、HVAC、伺服控制等多種應(yīng)用。
2020-12-09
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隔離式柵極驅(qū)動器的峰值電流
當(dāng)考慮使用何種柵極驅(qū)動器時，一個常見問題是：驅(qū)動器可以提供的峰值電流是多少？峰值電流是柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊中最重要的參數(shù)之一。此指標(biāo)一般被視為決定柵極驅(qū)動器驅(qū)動強度的終極因素。MOSFET/IGBT的導(dǎo)通、關(guān)斷時間與柵極驅(qū)動器可以提供的電流有關(guān)，但并不能說明全部問題。峰值電流一詞在業(yè)界使用非常普遍，許多柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊的標(biāo)題中包含這一術(shù)語。盡管如此，其定義還是會因器件而異。本文討論為特定應(yīng)用選擇柵極驅(qū)動器時使用峰值電流作為決定性因素的問題，并比較數(shù)據(jù)手冊中一些較常見的峰值電流表示形式。本文對標(biāo)題中峰值電流數(shù)值相似的柵極驅(qū)動器進行了比較，并對柵極驅(qū)動強度做了討論。
2020-12-02
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雙電壓整流電路設(shè)計，IGBT模塊適用于整流電路嗎？
不用兩個整流橋。用一個即可，把2個18伏交流接到整流橋的交流輸入端，把變壓器抽頭0伏接地線（線路板的地線），整流橋直流輸出+ -端接電容器濾波，電容器2個串聯(lián)之后正極接整流橋正極+，電容器負極接整流橋負極-，2個串聯(lián)的電容器中間引出一根線接地線，也就是雙18伏交流的抽頭，這樣就可以在直流輸出端得到正負20伏的雙電源了。
2020-11-26
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GaN基電源性能的簡易測試技術(shù)
今天，大多數(shù)電源路線圖都將GaN晶體管作為一個關(guān)鍵平臺集成到其中。與Si-mosfet、igbt和SiC-mosfet相比，GaN晶體管的優(yōu)點意味著工程師們正在將它們廣泛地設(shè)計到他們的系統(tǒng)中。然而，GaN晶體管在開關(guān)電源中的這些進步也使得表征這些電源的性能變得越來越具有挑戰(zhàn)性。在半橋上測量高邊VGS是診斷晶體管交叉導(dǎo)通的一種傳統(tǒng)方法，對于基于GaN的設(shè)計來說是一項艱巨的任務(wù)。典型的解決方案是使用高成本的測量設(shè)備，這并不總是產(chǎn)生有用的結(jié)果。本文介紹了一種利用GaN晶體管的獨特特性測量交叉導(dǎo)通的簡單而經(jīng)濟的方法。
2020-11-03
- 如何解決在開關(guān)模式電源中使用氮化鎵技術(shù)時面臨的挑戰(zhàn)？
- 不同拓撲結(jié)構(gòu)中使用氮化鎵技術(shù)時面臨的挑戰(zhàn)有何差異？
- 集成化柵極驅(qū)動IC對多電平拓撲電壓均衡的破解路徑
- 多通道同步驅(qū)動技術(shù)中的死區(qū)時間納米級調(diào)控是如何具體實現(xiàn)的？
- 電壓放大器：定義、原理與技術(shù)應(yīng)用全景解析
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