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超越轉換器的背光效率優(yōu)化設計
長電池壽命是便攜式電子產品市場的關鍵指標。LCD顯示器的LED背光驅動器占了總有效系統功耗的25%至40%。在過去,設計師盡量減少背光顯示器功耗的工具僅限于降低LED驅動電流,同時提高轉換器的效率。今天,高達50%的電力節(jié)省是通過采用優(yōu)化的轉換器利用LED驅動器、環(huán)境光傳感器,以及內容調整背光控制(CABC)方法來實現的。
2011-11-17
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LED行業(yè)又亮紅燈 深圳400多家企業(yè)倒閉
繼LED企業(yè)鈞多立老總跑路之后,深圳另一家小有名氣的LED企業(yè)博倫特光電也宣布倒閉。一時間,LED行業(yè)人心惶惶。
2011-11-17
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配合固態(tài)照明趨勢的安森美半導體高能效LED照明方案
隨著能源價格的進一步走高和環(huán)境問題的增多,世界各國紛紛致力減少溫室氣體排放,加快了用LED替代對環(huán)境有影響的緊湊型熒光燈(CFL)和線性熒光燈 (LFL)的步伐。截至目前,世界上許多國家和地區(qū)都公布了白熾燈“隱退”的時間表和路線圖。中國禁用(禁售)白熾燈計劃也于日前出爐。國家發(fā)改委等部門聯合印發(fā)了《關于逐步禁止進口和銷售普通照明白熾燈的公告》,決定從2012年10月1日起,按照功率大小分階段逐步禁止進口和銷售普通照明白熾燈。
2011-11-16
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LED 過多! 過亮! 過亂!
“不解決行業(yè)標準的問題,就不能夠遏止行業(yè)亂象?!弊蛉眨?高工LED 產業(yè)研究所所長張小飛表示。
2011-11-16
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出租車遠程LED信息發(fā)布系統
廣告是信息服務的一種形式。無線車載LED屏的出現為深度拓展廣告市場、充分展示企業(yè)要素提供了可能。它具有安置方便(隨意移動)、投資省(零布線工程投入)、信息容量大(同一載體作多條廣告)、高效快捷(無論車輛媒體再哪,無論數量多少,若干秒信息即可發(fā)送完畢)、載體利用率高(廣告變更消耗的人力、物力成本近乎于零)、夜視性好的優(yōu)勢,是傳統有線屏幕無法比擬的。
2011-11-15
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LED散熱材料的選擇及散熱方式的比較
散熱是影響LED燈具照明強度的一個主要因素。led燈具比傳統的白熾燈能效高80%,但是其LED組件和驅動器電路散熱量很大。如果這些熱量沒有適當的排放出去,LED燈具的發(fā)光度和壽命將會急劇下降。 本文介紹LED散熱的散熱材料選擇及各種散熱方式的比較
2011-11-15
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適合LED驅動及調光的各種切換式電源拓撲比較
隨著發(fā)光二極管(led)生產成本下降,使用也越來越普遍,應用范圍由手持裝置到汽車、建筑照明等領域。LED的可靠度高(使用壽命超過五萬小時),效率佳(每瓦超過120流明),并具有近乎實時反應的特性,成為極具吸引力的光源。LED可在5奈秒的時間內產生光,而白熱燈泡的反應時間則是200毫秒,因此汽車工業(yè)已將LED運用于煞車燈上。本文將針對LED特性以及驅動LED的折沖情形進行介紹,深入探討適合LED驅動及調光的各種切換式電源拓撲,并詳細說明相關優(yōu)點。
2011-11-15
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OSRAM擴大版圖進一步加強于照明方案市場實力
OSRAM AG(歐司朗)自2011年11月9日起已經從合資企業(yè)伙伴收購Traxon Technologies, Ltd.(簡稱Traxon)的剩余股份。透過是次收購,OSRAM進一步加強其在增長迅速的專業(yè)LED照明解決方案市場的實力。
2011-11-14
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LED護欄管的制作技術
LED照明正越來越受到市場的追捧,現在城市的亮化工程已基本淘汰了霓虹燈而選用LED燈來制作。其中護欄管的應用尤其廣泛,例如成都各個立交橋的亮化都用了大量的LED護欄管,它既裝飾了城市,還照亮了橋身,使整個立交橋更顯宏偉而阿娜多姿。
2011-11-14
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LED加速應用于通用照明領域
國家發(fā)改委于日前正式發(fā)文提出“5年之后中國將基本淘汰白熾燈”,據估算,取代白熾燈形成的市場規(guī)模將高達幾千億元,作為最好的替代品,LED照明產業(yè)五年內有望翻兩番。
2011-11-14
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提升LED照明電路保護高可靠性設計
——AEM科技參加第十屆電路保護與電磁兼容技術研討會電路保護專業(yè)技術與解決方案供應商AEM科技股份有限公司于2011年11月9日出席了由CNT Networks、中國電子展組委會和China Outlook Consulting聯合舉辦的第十屆電路保護與電磁兼容技術研討會。
2011-11-11
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LED驅動設計5大關鍵點
這主要針對內置電源調制器的高壓驅動芯片。假如芯片消耗的電流為2mA,300V的電壓加在芯片上面,芯片的功耗為0.6W,當然會引起芯片的發(fā)熱。驅動芯片的最大電流來自于驅動功率MOS管的消耗,簡單的計算公式為I=cvf(考慮充電的電阻效益,實際I=2cvf,其中c為功率MOS管的cgs電容,v為功率管導通時的gate電壓,所以為了降低芯片的功耗,必須想辦法降低c、v和f.如果c、v和f不能改變,那么請想辦法將芯片的功耗分到芯片外的器件,注意不要引入額外的功耗。再簡單一點,就是考慮更好的散熱吧。
2011-11-11
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