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射頻信號鏈的原位非線性校準
提出了一種線性化級聯(lián)組合信號IC的新方法，用于原位校正PCB缺陷和相互加載。這樣可以大幅縮短系統(tǒng)設計/原型設計周期，并以可忽略不計的功耗成本最大限度地提高信號鏈性能。報告了使用高達3GHz的RF信號并使用12b/10GSPS ADC進行的實驗結(jié)果，驗證了該方法的有效性。
2023-10-23
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功率逆變器應用采用寬帶隙半導體器件時，柵極電阻選型注意事項
本文為大家介紹氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 等寬帶隙半導體器件用作電子開關的優(yōu)勢，以及如何權(quán)衡利弊。主要權(quán)衡因素之一是開關損耗，開關損耗會被高 di/dt 和 dv/dt 放大，造成電路噪聲。為了減少電路噪聲，需要認真考慮柵極電阻的選擇，從而不必延長死區(qū)時間而造成功率損耗。本文介紹選擇柵極電阻時的考慮因素，如脈沖功率、脈沖時間和溫度、穩(wěn)定性、寄生電感等。同時，將和大家探討不同類型的柵極電阻及其在該應用中的優(yōu)缺點。
2023-10-22
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如何保護電源系統(tǒng)設計免受故障影響
正常運行時間是工業(yè)自動化、樓宇自動化、運動控制和過程控制等應用中保障生產(chǎn)力和盈利能力的關鍵指標。執(zhí)行維護、人為失誤和設備故障都會導致停機。與停機相關的維修成本和生產(chǎn)力損失可能非常高，具體取決于行業(yè)和事件的性質(zhì)。與維護和人為失誤相關的停機無法避免，但大多數(shù)與設備相關的故障是可以預防的。本文重點介紹由電源故障引起的停機，以及如何在設備的電源系統(tǒng)中使用現(xiàn)代保護IC來防止發(fā)生電源故障。
2023-10-21
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給SiC FET設計PCB有哪些注意事項？
SiC FET（即SiC JFET和硅MOSFET的常閉共源共柵組合）等寬帶隙半導體開關推出后，功率轉(zhuǎn)換產(chǎn)品無疑受益匪淺。此類器件具有超快的開關速度和較低的傳導損耗，能夠在各類應用中提高效率和功率密度。然而，與緩慢的舊技術(shù)相比，高電壓和電流邊緣速率與板寄生電容和電感的相互作用更大，可能產(chǎn)生不必要的感應電流和電壓，導致效率降低，組件受到應力，影響可靠性。此外，由于現(xiàn)在SiC FET導通電阻通常以毫歐為單位進行測量，因此，PCB跡線電阻可能相當大，須謹慎降低以保持低系統(tǒng)傳導損耗。
2023-10-21
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低功耗、精準檢測、超長待機，物聯(lián)網(wǎng)設備助力實現(xiàn)“雙碳”目標
在實現(xiàn)“碳達峰”和“碳中和”的“雙碳”目標過程中，廣泛存在的物聯(lián)網(wǎng)設備是一個重要抓手。根據(jù)市場研究機構(gòu)IoT Analytics發(fā)布的報告顯示，2022年全球物聯(lián)網(wǎng)連接數(shù)達到143億；預計到2023年，這一數(shù)量將再增長16%，達到160億個。
2023-10-20
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使用單輸出柵極驅(qū)動器實現(xiàn)高側(cè)或低側(cè)驅(qū)動
在許多隔離式電源應用中，功率 MOSFET 通常采用某種形式的橋配置，用于優(yōu)化電源開關和電源變壓器，從而提高效率。這些橋配置創(chuàng)建了高側(cè) (HS) 和低側(cè) (LS) 兩種開關類型。UCC277xx、UCC272xx 和 LM510x 系列等專用 HS 和 LS 柵極驅(qū)動器 IC 可在單個 IC 中為 HS 開關管以及 LS 開關管提供輸出。
2023-10-20
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如何在SPICE中構(gòu)建鉑RTD傳感器模型
KWIK（技術(shù)訣竅與綜合知識）電路應用筆記提供應對特定設計挑戰(zhàn)的分步指南。對于給定的一組應用電路要求，本文說明了如何利用通用公式應對這些要求，并使它們輕松擴展到其他類似的應用規(guī)格。該傳感器模型支持對電阻溫度檢測器(RTD)的電氣和物理特性進行SPICE仿真。SPICE模型使用了描述RTD（其將溫度轉(zhuǎn)化為電阻）物理行為特性的參數(shù)。它還提供了一個典型的激勵和信號調(diào)理電路，利用該電路可演示RTD模型的行為。
2023-10-18
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碳化硅將推動車載充電技術(shù)隨電壓等級的提高而發(fā)展
雖然“續(xù)航焦慮”一直存在，但混合動力、純電動等各種形式的電動汽車 (EV) 正被越來越多的人所接受。汽車制造商繼續(xù)努力提高電動汽車的行駛里程并縮短充電時間，以克服這個影響采用率的重要障礙。電動汽車的易用性和便利性受到充電方式的顯著影響。由于高功率充電站數(shù)量有限，相當一部分車主仍然需要依賴車載充電器 (OBC) 來為電動汽車充電。為了提高車載充電器的性能，汽車制造商正在探索采用碳化硅 (SiC) 等新技術(shù)。這篇技術(shù)文章將探討車載充電器的重要性，以及半導體開關技術(shù)進步如何推動車載充電器的性能提升到全新水平。
2023-10-18
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保障下一代碳化硅 (SiC) 器件的供需平衡
在工業(yè)、汽車和可再生能源應用中，基于寬禁帶 (WBG) 技術(shù)的組件，比如 SiC，對提高能效至關重要。在本文中，安森美 (onsemi) 思考下一代 SiC 器件將如何發(fā)展，從而實現(xiàn)更高的能效和更小的尺寸，并討論對于轉(zhuǎn)用 SiC 技術(shù)的公司而言，建立穩(wěn)健的供應鏈為何至關重要。
2023-10-17
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電流傳感器磁場干擾管理
本文介紹 Allegro 的 ACS71x 電流傳感器集成電路 (IC)，無需集中器，可控制并地減少外部磁場干擾。這些器件可以通過簡單的布局步驟提高小電流差異化的性能。ACS71x 設備中的當前路徑。電流沿任一方向通過 U 形環(huán)路并繞過霍爾元件 (X)。U 形環(huán)安裝在 SOIC8 封裝中的芯片下方。
2023-10-13
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使用霍爾效應傳感或磁場傳感技術(shù)的應用
隨著支持技術(shù)的增強，使用霍爾效應傳感或磁場傳感技術(shù)的應用目前已變得有效。本技術(shù)文檔介紹了霍爾效應技術(shù)，并對應用進行了回顧，特別是區(qū)分霍爾傳感器 IC 的主要類型以及它們可以支持的各種傳感行為。此外，它還探討了一些使能技術(shù)，例如信號處理方面的進步，這些技術(shù)使該技術(shù)比早期更加強大。這使得非接觸式霍爾應用的極高可靠性優(yōu)勢能夠在比以往更廣泛的范圍內(nèi)得到應用。
2023-10-12
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Microchip FPGA采用量身定制的PolarFire FPGA和SoC解決方案協(xié)議棧
為智能邊緣設計系統(tǒng)正面臨前所未有的困難。市場窗口在縮小，新設計的成本和風險在上升，溫度限制和可靠性成為雙重優(yōu)先事項，而對全生命周期安全性的需求也在不斷增長。要滿足這些同時出現(xiàn)的需求，需要即時掌握特殊技術(shù)和垂直市場的專業(yè)知識。沒有時間從頭開始。Microchip Technology Inc.（美國微芯科技公司）今日宣布在其不斷增長的中端FPGA和片上系統(tǒng)（SoC）支持系列產(chǎn)品中增加了九個新的技術(shù)和特定應用解決方案協(xié)議棧，涵蓋工業(yè)邊緣、智能嵌入式視覺和邊緣通信。
2023-10-11
- 功率器件的熱設計基礎（二）——熱阻的串聯(lián)和并聯(lián)
- 如何利用英飛凌MOTIX? embedded power硬件機制標定小電機ECU
- 采用能量收集技術(shù)為嵌入式系統(tǒng)設計永續(xù)供電
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- 專業(yè)與性能并行：顧邦半導體 GBS60020，為高功率應用量身定制！
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- 貿(mào)澤電子與Analog Devices聯(lián)手推出新電子書探討電子設計中的電源效率與穩(wěn)健性
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- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall
