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有效防止IGBT短路新設計
短路故障是IGBT裝置中常見的故障之一，本文針對高壓大容量IGBT的短路故障，分析了IGBT的短路特性，基于已有的IGBT驅(qū)動器和有源電壓箝位技術，設計了一種閉環(huán)控制IGBT關斷過電壓的驅(qū)動電路。通過實驗證明，這種電路可以提高IGBT短路保護的可靠性。
2013-05-29
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英飛凌推出節(jié)約20%PCB面積的高壓IGBT門極驅(qū)動器
近日，英飛凌科技股份有限公司推出新一代應用于新能源汽車的高壓IGBT門級驅(qū)動器--EiceDRIVER SIL和EiceDRIVER Boost，與目前的解決方案相比可顯著節(jié)約高達20%PCB面積，可替代目前的解決方案中高達60%的分立元件，極大降低整體系統(tǒng)成本。使汽車系統(tǒng)供應商便能夠更輕松地設計出更具成本效益的HEV電力傳動傳動子系統(tǒng)。
2013-05-28
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半月談：探究光伏發(fā)電 深入解析逆變技術
盡管近年來光伏行業(yè)形勢不容樂觀，但有預測顯示，到2015年，光伏組件、逆變器營收將出現(xiàn)強勁增長。因此，光伏發(fā)電逆變技術前景十分看好。本文將主要針對高壓、大容量逆變器的關鍵技術進行講解，并分析該如何正確地為光伏逆變器應用選擇IGBT。
2013-05-22
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igbt模塊和igbt電源模塊
電源模塊，相信大家一定不會陌生了。不知道大家對igbt模塊是否有了解呢？什么是igbt電源模塊呢？以下，小編將與大家分享igbt模塊和igbt電源模塊的相關方面知識。
2013-05-19
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新型電源柵極驅(qū)動器設計
高功率電平帶來更高的系統(tǒng)電壓，轉(zhuǎn)換器內(nèi)所用各種組件的切斷電壓也更高。單通道UCC27531作為一種小型、非隔離式柵極驅(qū)動器，它的高電源/輸出驅(qū)動電壓范圍為10到35V，讓其成為12V Si MOSFET應用和IGBT/SiC FET應用的理想選擇。
2013-05-17
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安森美推出降低30%開關損耗的截止型IGBT器件
近日，安森美半導體推出新的第二代場截止型(FSII)IGBT器件，降低開關損耗達30%，因而提供更高能效，并轉(zhuǎn)化為更低的外殼溫度，為設計人員增強系統(tǒng)總體性能及可靠性的選擇。這些新器件針對目標應用進行了優(yōu)化，相比現(xiàn)有器件能降低外殼溫度達20%。
2013-05-16
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IGBT在太陽能應用中的高能效設計
對于太陽能逆變器來說，絕緣柵雙極晶體管(IGBT)能比其他功率元件提供更多的效益，其中包括高載流能力、以電壓而非電流進行控制，并能使逆并聯(lián)二極管與IGBT配合。本文將介紹如果利用全橋逆變器拓撲及選用合適的IGBT，使太陽能應用的功耗降至最低。
2013-05-14
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IGBT在風光互補發(fā)電設計中新型應用
風光互補系統(tǒng)主要由風力發(fā)電機、太陽能電池板、風光互補控制器、逆變系統(tǒng)等組成，是新型的環(huán)保能源系統(tǒng)。逆變器是風光互補發(fā)電系統(tǒng)的關鍵設備，直接關系到供電質(zhì)量和系統(tǒng)運行的可靠性。本文提出一種新的IGBT逆變器控制方法，能夠較好的控制逆變器系統(tǒng)的穩(wěn)定，提供高質(zhì)量的供電。
2013-05-11
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一種更精確的IGBT防護設計探究
在使用和設計IGBT的過程中，基本上都是采用粗放式的設計模式——所需余量較大，系統(tǒng)龐大，但仍無法抵抗來自外界的干擾和自身系統(tǒng)引起的各種失效問題，這一直是IGBT領域的研究熱點，給廣大設計者帶來了不少麻煩。本文將突破傳統(tǒng)的保護方式，探討IGBT系統(tǒng)電路保護設計的解決方案。
2013-05-10
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第二講：基于IGBT的高能效電源設計
時至今日，綠色、環(huán)保、低能耗、高能效等理念時刻影響著消費者的決策。為此，廣大設計人員在設計產(chǎn)品時就需要盡量降低能耗，實現(xiàn)高能效。絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）能夠幫助產(chǎn)品設計者應對他們所面臨的設計具有更高電路效率和性能的產(chǎn)品的挑戰(zhàn)。本文就為大家分析基于IGBT的高能效電源設計。
2013-05-10
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半月談：IGBT應用設計全面剖析
IGBT是電力電子重要大功率主流器件之一，已經(jīng)廣泛應用于家用電器、交通運輸、電力工程、可再生能源和智能電網(wǎng)等領域。那么該如何做好IGBT的保護及設計呢？國內(nèi)市場需求急劇上升曾使得IGBT市場一度被看好，今后的發(fā)展趨勢又將如何？
2013-05-09
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SiC BJT：比同類產(chǎn)品實現(xiàn)高達40%的輸出功率提升
飛兆半導體最近推出的碳化硅(SiC)雙極結(jié)型晶體管(BJT)將成為IGBT的下一個替代技術，它可以在更高的溫度下轉(zhuǎn)換更高的電壓和電流。SiC BJT允許更高的開關頻率，傳導和開關損耗降低(30-50%)，從而能夠在相同的尺寸的系統(tǒng)中實現(xiàn)高達40%的輸出功率提升。
2013-05-08
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