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IGBT主要供應商和分銷商大盤點
由于工業(yè)與消費領域的需求增長，中國絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)市場未來幾年將快速增長。需求擺在這里，IGBT要從哪里采購呢？本文盤點了IGBT主要供應商和分銷商，包括Top 15海外供應商和Top 8國內供應商。
2013-08-05
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八大步驟輕松搞定IGBT選型
提高IGBT的導通效率往往需要付出代價：IGBT通常具備相對較高的開關損耗，這可降低應用開關頻率。面對眾多的IGBT產(chǎn)品，選擇的正確與否決定著你得到的電氣性能和成本。應該如何選型？八大步驟，輕松搞定。
2013-08-03
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Vishay開發(fā)出可承受1850A電流尖峰沖擊的緩沖電容
中高功率逆變器中的IGBT切換時會引起很大的電壓和電流尖峰，這種尖峰是導致嚴重EMI的重要原因。Vishay最新開發(fā)的緩沖電容可承受2500V/μs的高能脈沖和1850A的峰值電流，壽命超過30萬小時，可耐105℃高溫。
2013-07-20
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IGBT管的萬用表檢測方法
IGBT管，我們在日常生活、工作中都經(jīng)常用到，但不知道大家對“IGBT管的萬用表檢測方法”是否知道呢？本文收集整理了一些資料，希望本文能對各位讀者有比較大的參考價值。
2013-07-12
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BJT重獲新生？SiC BJT讓光伏逆變器系統(tǒng)成本顯著降低
過去30 年，基于硅的 BJT在大多數(shù)電源設計中被MOSFET和IGBT等CMOS替代產(chǎn)品逐漸取代，但是今天，碳化硅賦予 BJT 新的生命，以更高的效率特別是能夠使用更便宜的元件，收復失地，重新成為受歡迎的替代產(chǎn)品。SiC BJT真的這么厲害嗎？讓我們用事實和數(shù)據(jù)來說話。
2013-06-25
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有效防止IGBT短路新設計
短路故障是IGBT裝置中常見的故障之一，本文針對高壓大容量IGBT的短路故障，分析了IGBT的短路特性，基于已有的IGBT驅動器和有源電壓箝位技術，設計了一種閉環(huán)控制IGBT關斷過電壓的驅動電路。通過實驗證明，這種電路可以提高IGBT短路保護的可靠性。
2013-05-29
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英飛凌推出節(jié)約20%PCB面積的高壓IGBT門極驅動器
近日，英飛凌科技股份有限公司推出新一代應用于新能源汽車的高壓IGBT門級驅動器--EiceDRIVER SIL和EiceDRIVER Boost，與目前的解決方案相比可顯著節(jié)約高達20%PCB面積，可替代目前的解決方案中高達60%的分立元件，極大降低整體系統(tǒng)成本。使汽車系統(tǒng)供應商便能夠更輕松地設計出更具成本效益的HEV電力傳動傳動子系統(tǒng)。
2013-05-28
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半月談：探究光伏發(fā)電 深入解析逆變技術
盡管近年來光伏行業(yè)形勢不容樂觀，但有預測顯示，到2015年，光伏組件、逆變器營收將出現(xiàn)強勁增長。因此，光伏發(fā)電逆變技術前景十分看好。本文將主要針對高壓、大容量逆變器的關鍵技術進行講解，并分析該如何正確地為光伏逆變器應用選擇IGBT。
2013-05-22
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igbt模塊和igbt電源模塊
電源模塊，相信大家一定不會陌生了。不知道大家對igbt模塊是否有了解呢？什么是igbt電源模塊呢？以下，小編將與大家分享igbt模塊和igbt電源模塊的相關方面知識。
2013-05-19
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新型電源柵極驅動器設計
高功率電平帶來更高的系統(tǒng)電壓，轉換器內所用各種組件的切斷電壓也更高。單通道UCC27531作為一種小型、非隔離式柵極驅動器，它的高電源/輸出驅動電壓范圍為10到35V，讓其成為12V Si MOSFET應用和IGBT/SiC FET應用的理想選擇。
2013-05-17
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安森美推出降低30%開關損耗的截止型IGBT器件
近日，安森美半導體推出新的第二代場截止型(FSII)IGBT器件，降低開關損耗達30%，因而提供更高能效，并轉化為更低的外殼溫度，為設計人員增強系統(tǒng)總體性能及可靠性的選擇。這些新器件針對目標應用進行了優(yōu)化，相比現(xiàn)有器件能降低外殼溫度達20%。
2013-05-16
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IGBT在太陽能應用中的高能效設計
對于太陽能逆變器來說，絕緣柵雙極晶體管(IGBT)能比其他功率元件提供更多的效益，其中包括高載流能力、以電壓而非電流進行控制，并能使逆并聯(lián)二極管與IGBT配合。本文將介紹如果利用全橋逆變器拓撲及選用合適的IGBT，使太陽能應用的功耗降至最低。
2013-05-14
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