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突破傳統(tǒng)的新型IGBT系統(tǒng)電路保護(hù)設(shè)計
目前在使用和設(shè)計IGBT的過程中，基本上都是采用粗放式的設(shè)計模式，所需余量較大，系統(tǒng)龐大，但仍無法抵抗來自外界的干擾和自身系統(tǒng)引起的各種失效問題。本文將突破傳統(tǒng)的保護(hù)方式，探討IGBT系統(tǒng)電路保護(hù)設(shè)計的解決方案。
2012-04-19
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AUIRGDC0250：IR推出優(yōu)化的車用1200V IGBT
國際整流器公司IR推出為軟開關(guān)應(yīng)用，比如電動車和混合動力汽車中的正溫度系數(shù)（PTC）加熱器應(yīng)用而優(yōu)化的車用 IGBT AUIRGDC0250。1200V AUIRGDC0250 采用緊湊的 Super TO-220 封裝，低 VCE(on) 可讓該器件降低功耗并實(shí)現(xiàn)更高的功率密度。
2012-04-18
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ML610Q380：羅姆推出單芯片低功耗家電用微控制器
羅姆集團(tuán)旗下的LAPIS Semiconductor Co., Ltd.開發(fā)出一款單芯片的低功耗微控制器“ML610Q380系列”產(chǎn)品，此產(chǎn)品將以往用于家電的控制IGBT的PWM電路和LCD驅(qū)動器等微控制器功能、以及高音質(zhì)、低功耗的語音播放功能集于一枚芯片，這在業(yè)內(nèi)尚屬首家。由于以往用于家電的微控制器沒有語音播放功能，因此想追加語音功能時，語音合成功能和功放需要由不同的芯片組成。而使用本LSI產(chǎn)品，不僅可以芯片一體化，而且可以替換掉以往用于家電的微控制器，輕松實(shí)現(xiàn)語音功能，是需要語音輸出的家用電器和遙控器的最佳選擇。
2012-04-13
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高能效設(shè)計——中國北車永濟(jì)IGBT性能探秘
我國電傳動系統(tǒng)的龍頭企業(yè)——北車永濟(jì)于2012年4月10日出席了由CNT Networks、中國電子展組委會和China Outlook Consulting在深圳舉辦的第九屆高能效設(shè)計研討會。
2012-04-11
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高能效設(shè)計研討會聚焦新能源/新能源汽車四大設(shè)計熱點(diǎn)
在科技部發(fā)布的《十二五科技發(fā)展規(guī)劃》中，新能源系統(tǒng)和新能源汽車是十二五規(guī)劃的產(chǎn)業(yè)重點(diǎn)之一。同時，積極利用新能源，發(fā)展新能源汽車也符合國際社會對節(jié)能減排的環(huán)保訴求。為了幫助新能源系統(tǒng)和新能源汽車廠商提高設(shè)計能力，CNT Networks攜手中國電子展、China Outlook Consulting召開高能效設(shè)計研討會，聚焦新能源和新能源汽車，講解動力電池管理、IGBT應(yīng)用、薄膜電容和超級電容應(yīng)用、MCU應(yīng)用、逆變器設(shè)計和系統(tǒng)測試等技術(shù)要點(diǎn)。
2012-04-10
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聚焦電池管理與元器件替換 突破新能源/新能源汽車效率瓶頸
在科技部發(fā)布的《十二五科技發(fā)展規(guī)劃》中，新能源系統(tǒng)和新能源汽車是十二五規(guī)劃的產(chǎn)業(yè)重點(diǎn)之一。同時，積極利用新能源，發(fā)展新能源汽車也符合國際社會對節(jié)能減排的環(huán)保訴求。高能效設(shè)計研討會聚焦新能源和新能源汽車的關(guān)鍵技術(shù)問題，通過動力電池管理、IGBT應(yīng)用、薄膜電容和超級電容應(yīng)用、系統(tǒng)測試四大技術(shù)熱點(diǎn)的分享幫助工程師解決設(shè)計難題。
2012-04-09
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650V:飛兆半導(dǎo)體IGBT提高功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的效率和系統(tǒng)可靠性
太陽能功率逆變器、不間斷電源(UPS)以及焊接應(yīng)用的設(shè)計人員面臨提高能效，滿足散熱法規(guī)，同時減少元件數(shù)目的挑戰(zhàn)。有鑒于此，飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)開發(fā)了一系列針對光伏逆變器應(yīng)用的650V IGBT產(chǎn)品，幫助設(shè)計人員應(yīng)對這一行業(yè)挑戰(zhàn)。
2012-03-29
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IGBT模塊的作用
對IGBT的特性及使用時的注意事項(xiàng)進(jìn)行了探討，提出了選擇和安裝過程中應(yīng)該注意的方面。
2012-03-15
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IGBT整流器功率因數(shù)控制方法及CT損壞對整流器的影響
IGBT整流器是一種電壓型PWM整流器，具有能量雙向流動、恒定直流電壓控制，以及高功率因數(shù)控制（cosφ≈1.0）等特點(diǎn)。使用該類型整流器除了實(shí)現(xiàn)高功率因數(shù)節(jié)省電能外，還能夠減少電網(wǎng)諧波，省去電網(wǎng)側(cè)無功補(bǔ)償svc裝置。本文介紹IGBT整流器功率因數(shù)控制的方法及CT損壞對整流器的影響。
2012-02-29
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基于EXB841的IGBT驅(qū)動與保護(hù)電路設(shè)計
多絕緣柵雙極型晶體管IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種由雙極型晶體管與MOSFET組合的器件，它既具有MOSFET的柵極電壓控制快速開關(guān)特性，又具有雙極型晶體管大電流處理能力和低飽和壓降的特點(diǎn)，近年來在各種電能變換裝置中得到了廣泛應(yīng)用。但是，IGBT的門極驅(qū)動電路影響IGBT的通態(tài)壓降、開關(guān)時間、快開關(guān)損耗、承受短路電流能力及du/dt等參數(shù)，并決定了IGBT靜態(tài)與動態(tài)特性。因此設(shè)計高性能的驅(qū)動與保護(hù)電路是安全使用IGBT的關(guān)鍵技術(shù)。
2012-02-21
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逆變H橋IGBT單管驅(qū)動+保護(hù)詳解
本文給逆變器的后級H橋電路換上IGBT管，從IGBT的驅(qū)動電路、電流采集電流和保護(hù)機(jī)制三個角度，深入了解IGBT的相關(guān)特性，發(fā)現(xiàn)采用峰值電流保護(hù)的措施能讓逆變H橋電路中的IGBT不會炸。
2012-02-07
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大功率變流器系統(tǒng)H橋低感疊層母線排設(shè)計
本文從實(shí)際出發(fā)，針對80kva/400a變流系統(tǒng)h橋母線排提出一種新的優(yōu)化設(shè)計方案，從igbt布局，母排結(jié)構(gòu)設(shè)計，緩沖吸收電路選擇等方面全方位保證母排電感參數(shù)達(dá)到最優(yōu)，在實(shí)際應(yīng)用中有很好的可行性和可靠性。
2012-02-07
- 克服碳化硅制造挑戰(zhàn)，助力未來電力電子應(yīng)用
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