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PCIM-Asia優(yōu)質(zhì)廠商引領IGBT市場格局
PCIM-Asia優(yōu)質(zhì)廠商引領IGBT市場格局
2011-03-24
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IGBT 在不間斷電源（UPS）中的應用
在UPS 中使用的功率器件中IGBT 成為UPS 功率設計的首選，只有對IGBT的特性充分了解和對電路進行可靠性設計，才能發(fā)揮IGBT 的優(yōu)點。本文介紹UPS 中的IGBT 的應用情況和使用中的注意事項。
2011-03-01
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優(yōu)化高電壓IGBT在高效率太陽能逆變器中的應用
多年來的調(diào)查和分析顯示，IGBT比其他功率晶體管有更多優(yōu)點，當中包括更高電流能力，利用電壓而非電流來進行柵極控制，以及能夠與一個超快速恢復二極管協(xié)同封裝來加快關斷速度。此外，工藝技術及器件結構的精細改進也使IGBT的開關性能得到相當?shù)母纳?。其他?yōu)點還包括更好的通態(tài)性能，以及擁有高度耐用性和寬安全工作區(qū)。在考慮這些質(zhì)量之后，這種功率逆變器設計就會選用高電壓IGBT，作為功率開關的必然之選。
2011-02-06
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IGBT驅動與保護電路
多絕緣柵雙極型晶體管IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)是一種由雙極型晶體管與MOSFET組合的器件，它既具有MOSFET的柵極電壓控制快速開關特性，又具有雙極型晶體管大電流處理能力和低飽和壓降的特點，近年來在各種電能變換裝置中得到了廣泛應用。本文基于EXB841設計IGBT的驅動電路如圖2所示，包括外部負柵壓成型電路、過流檢測電路、虛假過流故障識別與驅動信號鎖存電路，故障信息報警電路。
2011-01-24
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IGBT進口替代空間大 電子元器件需求強勁
由于全球金融危機和半導體行業(yè)的周期性波動，全球半導體產(chǎn)品出貨量從 08年4季度到09年1季度經(jīng)歷了大幅下滑，主要經(jīng)濟體的半導體產(chǎn)品出貨量都降到5年以來的最低水平。隨著經(jīng)濟復蘇，半導體行業(yè)實現(xiàn)了強勁復蘇并步入景氣上升階段，到09年4季度半導體產(chǎn)品的出貨量基本恢復到08年的最高水平。
2010-12-31
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變頻器中電路的EMC方案設計
整流電路在輸入側要接抗雷擊過電壓或操作過電壓吸收電路，這種吸收電路由星形連接的高頻、高壓電容器（如470p/2Kv）和壓敏電阻(如20k/1Kv)組成。逆變器部分在高頻開關狀態(tài)時，產(chǎn)生電壓尖脈沖，如果不加以處理將損壞IGBT模塊、干擾驅動電路...
2010-12-23
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中國自主研發(fā)的IGBT產(chǎn)品下線
上周，中國首批具有自主知識產(chǎn)權的大功率絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)產(chǎn)品，在山西北車永濟新時速電機電器公司下線，成功打破了國外對該項技術的長期壟斷。
2010-12-22
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并網(wǎng)發(fā)電光伏逆變器的設計
本文采用16位微處理器和高速IGBT功率模塊實現(xiàn)了中、小容量光伏電站的并網(wǎng)發(fā)電,描述了光伏發(fā)電的并網(wǎng)運行逆變器，不僅具有較高的效率和畸變小的輸出電流波形，而且在電網(wǎng)斷電的情況下能單獨運行，具有一定的推廣應用前景...
2010-12-22
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IGBT的驅動和過流保護電路的研究
本文主要研究了IGBT的驅動和短路保護問題，就其工作原理進行分析，設計出具有過流保護功能的驅動電路，并進行了仿真研究。
2010-12-02
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英飛凌簽署協(xié)議，為PCIM Asia 2011帶來新看點
根據(jù)最新簽署的協(xié)議，金風科技將在兆瓦級風電渦輪機組中采用自產(chǎn)的英飛凌IGBT技術和產(chǎn)品。該技術產(chǎn)品主要應用在變頻器中，完成將風力電機的變化頻率輸出為固定頻率，以適應地方電網(wǎng)的需要。
2010-12-01
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飛兆半導體改進型柵極驅動光耦合器
為了滿足全球各地的能效標準要求，太陽能逆變器、不間斷電源(UPS)和馬達驅動等工業(yè)應用的設計人員需要具備更低功耗和更快開關速度的性能更高的柵極驅動光耦合器。飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor) 為此開發(fā)出一款輸出電流為3A的高速MOSFET/IGBT柵極驅動光耦合器產(chǎn)品FOD3184。該器件適用于工作頻率高達250kHz的功率 MOSFET和IGBT的高頻驅動，相比常用的FOD3120柵極驅動器，新器件的傳輸遲延時間縮短了50%，功耗降低了13%。
2010-11-19
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IR推出新型分立解決方案適用于DC-DC 節(jié)能汽車應用
全球功率半導體和管理方案領導廠商——國際整流器公司推出適用于DC-DC節(jié)能汽車應用的 AUIRS2191S 600V 驅動 IC 和 AUIRGP50B60PD1 600V 非穿通型 (NPT) 絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 。
2010-11-17
- 克服碳化硅制造挑戰(zhàn)，助力未來電力電子應用
- 了解交流電壓的產(chǎn)生
- 單結晶體管符號和結構
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