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中電網(wǎng)絡(luò)技術(shù)隆重推出電子元件技術(shù)網(wǎng)
在第72屆中國(guó)電子展（CEF）召開之際，深圳市中電網(wǎng)絡(luò)技術(shù)有限公司與中電會(huì)展與信息傳播有限公司（簡(jiǎn)稱：中電會(huì)展）結(jié)成戰(zhàn)略合作伙伴，隆重推出“電子元件技術(shù)網(wǎng)”（m.anotherwordforlearning.com）。
2008-11-13
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BH1620FVC與BH1720FVC：羅姆最新照度傳感器
羅姆株式會(huì)社(ROHM)最近開發(fā)出超小型電流輸出型模擬照度傳感器IC BH1620FVC和16bit串行輸出型數(shù)字照度傳感器IC BH1720FVC，以適應(yīng)以移動(dòng)電話手機(jī)為首的便攜式機(jī)器和液晶電視等的要求。
2008-11-12
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美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體涉足太陽能電池業(yè)務(wù)
美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體（NI）宣布涉足太陽能電池業(yè)務(wù)，并開發(fā)成功提高太陽能電池系統(tǒng)整體輸出功率的技術(shù)“SolarMagic”。利用該技術(shù)，即使在多塊并列的太陽能電池板有污垢或板間錯(cuò)位時(shí)，也能夠?qū)崿F(xiàn)各太陽能電池板發(fā)電效率的最大化。
2008-11-10
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安森美半導(dǎo)體完整時(shí)鐘解決方案滿足時(shí)鐘市場(chǎng)更高要求
安森美半導(dǎo)體（ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ONNN）不斷開發(fā)和拓展完整的時(shí)鐘解決方案。基于在雙極型、CMOS和0.18μm硅鍺（SiGe）BiCMOS工藝上先進(jìn)的鎖相環(huán)（PLL）電路布局和設(shè)計(jì)專業(yè)技術(shù)，安森美半導(dǎo)體25年來一直在最低抖動(dòng)和skew時(shí)鐘分配性能方面領(lǐng)先業(yè)界
2008-11-07
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新一代MicroTCA連接器
標(biāo)準(zhǔn)的AdvancedTCA?和MicroTCA?硬件平臺(tái)在電信和數(shù)據(jù)通訊應(yīng)用中日益流行，它們現(xiàn)在也吸引了工業(yè)應(yīng)用的注意。雅迪HARTING提供兩種可確保系統(tǒng)經(jīng)受工業(yè)環(huán)境考驗(yàn)的不同連接策略——具有con:card+質(zhì)量認(rèn)證的AdvancedMC?連接器和AdvancedMC? Plug連接器。
2008-11-05
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安森美半導(dǎo)體專家分享ESD保護(hù)的先進(jìn)技術(shù)
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ONNN)今日在臺(tái)北舉行的第七屆靜電放電保護(hù)技術(shù)研討會(huì)上，針對(duì)如何防止靜電放電(ESD) 所帶來的損失，從元件、制造和系統(tǒng)三個(gè)層級(jí)的技術(shù)面加以探討，為業(yè)界提供實(shí)質(zhì)建議。要有效降低ESD所帶來的損害，除了可選擇在制程中直接控制ESD之外，也可以在電子元件中加強(qiáng)抵抗ESD的裝置。安森美半導(dǎo)體長(zhǎng)期投入于研發(fā)ESD保護(hù)技術(shù)，通過先進(jìn)的ESD保護(hù)技術(shù)和完整的產(chǎn)品系列，使電子元件具備優(yōu)異的電路保護(hù)性能。
2008-11-04
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倍頻式IGBT高頻感應(yīng)加熱電源負(fù)載短路的保護(hù)
本文倍頻式ICBT高頻感應(yīng)加熱電源電路保護(hù)為例，通過對(duì)負(fù)載短路時(shí)的電路特性的研究，提出了電路參數(shù)的選擇原則，更好的實(shí)現(xiàn)電路的保護(hù)。
2008-11-03
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射頻MEMS開關(guān)技術(shù)的最新進(jìn)展
數(shù)字測(cè)試、儀器和無線通信領(lǐng)域的新興應(yīng)用需要高性能的開關(guān)產(chǎn)品。未來的應(yīng)用將延續(xù)這一趨勢(shì)——需要更寬的帶寬、更低的損耗、更高的電阻可重復(fù)性和更高的線性度。以TeraVicta為代表的開關(guān)產(chǎn)品供應(yīng)商將繼續(xù)利用MEMS開關(guān)技術(shù)的優(yōu)勢(shì)，推動(dòng)新一代開關(guān)產(chǎn)品的發(fā)展，滿足最新應(yīng)用的需求。
2008-11-01
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采用PCTF技術(shù)降低微波/射頻器件成本
本文主要介紹了一種經(jīng)濟(jì)的射頻器件封裝技術(shù)——通鍍厚膜PCTF(Plated Copper on Thick Film)技術(shù)，該技術(shù)為無引腳SMT元件、模塊設(shè)計(jì)者提供了一個(gè)經(jīng)濟(jì)的封裝方案，對(duì)于中小批量生產(chǎn)尤其適用。PCTF具有技術(shù)電學(xué)性能穩(wěn)定、散熱效率高、耐高溫、可靠性高等優(yōu)點(diǎn)。
2008-11-01
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中芯國(guó)際推出0.11μm圖像傳感器制造技術(shù)
中國(guó)的中芯國(guó)際（SMIC）開發(fā)出了生產(chǎn)0.11μm CMOS圖像傳感器的工藝技術(shù)。其0.11μm工藝技術(shù)的布線層所用金屬材料既可使用鋁（Al）也可使用銅（Cu）。該公司已開始了0.11μm工藝技術(shù)的試生產(chǎn)，可采用200mm或300mm晶圓生產(chǎn)。
2008-10-30
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設(shè)計(jì)非隔離型反激LED驅(qū)動(dòng)器
反激型LED驅(qū)動(dòng)器比較通用，因?yàn)樵摻Y(jié)構(gòu)可以用于輸入電壓高于或低于所要求的輸出電壓。本文所描述的電路基于高度集成的MAX16802 PWM LED驅(qū)動(dòng)器IC，是一個(gè)驅(qū)動(dòng)高亮度LED的簡(jiǎn)單電路，只需很少的外圍元件，而且提供了線性和PWM亮度調(diào)節(jié)的功能。
2008-10-29
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iSuppli：09年太陽能電池用硅材料將開始降價(jià)
“2010年，太陽能電池用硅材料的供求關(guān)系將緩解。在此之前，2009年現(xiàn)貨市場(chǎng)的價(jià)格將大幅下降”?！绹?guó)iSuppli公司高級(jí)主管和總分析師（Senior Director and Principal Analyst）Henning Wicht在該公司主辦的研討會(huì)“iSuppli Japan Seminar 2008”上，對(duì)結(jié)晶硅太陽能電池單元原料——多晶硅材料的供求關(guān)系情況作了如此預(yù)測(cè)。
2008-10-26
- 800V牽引逆變器：解鎖電動(dòng)汽車?yán)m(xù)航與性能躍升的工程密鑰
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