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憑借存儲密集型產(chǎn)品的支持，NAND產(chǎn)業(yè)經(jīng)受住日本地震的打擊
日本災(zāi)害造成巨大的人員傷亡，一年后，繼續(xù)給日本民眾與經(jīng)濟(jì)留下難以磨滅的印跡。但是，在制造業(yè)方面存在一線希望，即災(zāi)害對于NAND閃存產(chǎn)業(yè)的影響不大而且只是暫時影響。這是日本的主要產(chǎn)業(yè)之一。據(jù)IHS公司的資料與分析，在日本發(fā)生災(zāi)害一年后，由于平板電腦、智能手機(jī)和固態(tài)硬盤(SSD)等需要大量存儲的應(yīng)用需求上升，NAND產(chǎn)業(yè)繼續(xù)增長。
2012-03-16
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2012年平板計算機(jī)銷量上看億萬臺 iPad市占將維持60%左右
在蘋果的iPad 3即上市的的之際，2012年平板計算機(jī)市場的爭奪戰(zhàn)才算正式開打，根據(jù)產(chǎn)業(yè)研究機(jī)集邦科技(TrendForce)統(tǒng)合旗下WitsView(面板)、DRAMeXchange(NAND Flash)的研究數(shù)據(jù)，預(yù)估在2012年時全球平板計算機(jī)銷量將可望達(dá)到9,400萬臺，比起2011年的6,200萬臺，年成長達(dá)53.1%。
2012-02-24
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3D電視滲透率分析及電視出貨量情況
據(jù)DisplaySearch不同的消費行為和電視品牌的市場策略使全球電視產(chǎn)品呈現(xiàn)多元化，區(qū)域性差異也日益突出。根據(jù)NPDDisplaySearch最新季度報告QuarterlyTVDesignandFeaturesReport指出，西歐和中國是3D電視最具發(fā)展活力的地區(qū)；而在北美，第三季度3D電視出貨有所下降。
2011-12-31
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簡化設(shè)計 UniNand增強(qiáng)SOC對閃存兼容性
如何簡化SOC的設(shè)計，降低閃存對SOC的技術(shù)要求，增強(qiáng)SOC對閃存的兼容性，是閃存設(shè)計中值得考慮的問題。硅格半導(dǎo)體“UniNand”嵌入式智能閃存控制器通過創(chuàng)新的UniNand2.0接口，將SOC對閃存(Flash)的訪問操作轉(zhuǎn)變?yōu)镾OC對該控制芯片的訪問操作，而由該控制芯片本身來完成對閃存的管理，成功解決上述問題，使SOC無需關(guān)注ECC及Flash兼容性管理，簡化SOC的設(shè)計。
2011-05-04
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電子供應(yīng)鏈修復(fù)至少4月以上
針對日本強(qiáng)震對電子供應(yīng)鏈的影響，美銀美林證券全球半導(dǎo)體研究部主管何浩銘 (Daniel Heyler)近日表示，由于BT樹脂兩大供貨商三菱瓦斯與日立化成現(xiàn)在已停止接單，而兩家占BT樹脂供給量的九成，使得基板供給影響比想象嚴(yán)重，目前預(yù)估這次震災(zāi)對NAND、LCD面板、太陽能等供給的影響分別為40%、10%、20%，預(yù)期這次電子供應(yīng)鏈修復(fù)期至少4-6個月。
2011-03-21
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日本地震影響電子元件供應(yīng)與價格
日本地震與海嘯可能導(dǎo)致某些電子元件嚴(yán)重短缺，進(jìn)而推動這些元件的價格大幅上漲。雖然目前幾乎沒有關(guān)于電子工廠實際損失的報道，但運(yùn)輸與電力設(shè)施受到破壞將導(dǎo)致供應(yīng)中斷，造成元件供應(yīng)短缺和價格上漲。受到影響的元件將包括NAND閃存、DRAM、微控制器、標(biāo)準(zhǔn)邏輯、液晶顯示器(LCD)面板、LCD元件和材料。
2011-03-18
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F-RAM會帶來RFID標(biāo)簽的革命嗎？
目前市場上的存儲器種類非常多，主要有易失性的RAM和DRAM、非易失性的EEPROM、ROM、EPROM、NOR、NAND閃存、鐵電存儲器等。世界領(lǐng)先的低功耗鐵電存儲器(F-RAM)和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron的MaxArias?系列無線存儲器將非易失性F-RAM存儲器技術(shù)的低功耗、高速度和高耐久性等特性與行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)無線存取功能相結(jié)合，使創(chuàng)新型的數(shù)據(jù)采集能力應(yīng)用更廣泛的領(lǐng)域。
2011-03-01
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2010年半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)將勁揚(yáng)113.2%
Gartner副總裁Klaus Rinnen表示：技術(shù)升級，將帶動 2010年半導(dǎo)體資本設(shè)備市場的成長。對40奈米和45奈米設(shè)備的需求大幅增加，帶動晶圓代工的龐大資本支出。英特爾對3x奈米的投資，NAND 記憶體制造商支出增加，以及升級至下一世代 DDR3 DRAM 記憶體，皆為主要的投資成長動能。
2010-06-21
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內(nèi)存晴雨表-NAND價格穩(wěn)定帶來正面環(huán)境
NAND價格持續(xù)透明，導(dǎo)致2009年第四季度營業(yè)收入創(chuàng)出最高記錄，使得多數(shù)NAND供應(yīng)商對于2010年持有非常樂觀的看法。在智能手機(jī)和microSD卡等高密度應(yīng)用的推動下，市場對于NAND閃存的需求不斷增長，也增強(qiáng)了廠商的信心。這種旺盛需求已促使廠商逐步重新啟動和重新裝備其閑置的工廠。
2010-04-02
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