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電源設(shè)計更快更好，高效能圖騰柱PFC應(yīng)用須知
現(xiàn)今電源供應(yīng)器市場為因應(yīng)全球減碳活動，已經(jīng)將效能目標(biāo)設(shè)定為更高效率、減少損失、節(jié)省能源、降低成本、提高系統(tǒng)容量為主。安森美(onsemi)提出最新高效能Totem Pole(圖騰柱) 結(jié)合全橋整流器之PFC IC NCP1680/1681設(shè)計方案，相較傳統(tǒng)PFC之轉(zhuǎn)換效率可以提升3%~4%，符合未來電源供應(yīng)器之節(jié)省能源，降低成本，提高系統(tǒng)容量之訴求。加上NCP1680/1681快速的負(fù)載暫態(tài)補償響應(yīng)，以及高規(guī)格安規(guī)等級各式保護功能，特別是具有PFC-OK訊號供應(yīng)后級電源時序控制，NCP1680/1681應(yīng)用達到高效率，高功率因子，以及高穩(wěn)定性PFC應(yīng)用。
2023-07-28
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介紹一款適用于汽車和工業(yè)場合的高效同步SEPIC控制器
LT8711是一款直流-直流控制器，支持同步降壓、升壓、SEPIC、ZETA和非同步降壓-升壓等拓?fù)洹DI有多款同步降壓、升壓變換器和控制器，但支持同步SEPIC拓?fù)涞牟⒉欢?。SEPIC拓?fù)淦鋵嵎浅嵱茫驗闊o論輸入電壓遠低于或遠高于輸出電壓，它都能提供穩(wěn)定的電平輸出。
2023-07-27
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用于SiC MOSFET的隔離柵極驅(qū)動器使用指南
SiC MOSFET 在功率半導(dǎo)體市場中正迅速普及，因為它最初的一些可靠性問題已得到解決，并且價位已達到非常有吸引力的水平。隨著市場上的器件越來越多，必須了解 SiC MOSFET 與 IGBT 之間的共性和差異，以便用戶充分利用每種器件。本系列文章概述了安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 的關(guān)鍵特性及驅(qū)動條件對它的影響，作為安森美提供的全方位寬禁帶生態(tài)系統(tǒng)的一部分，還將提供 NCP51705（用于 SiC MOSFET 的隔離柵極驅(qū)動器）的使用指南。本文為第三部分，將重點介紹NCP51705 SiC 柵極驅(qū)動器的使用指南。
2023-07-26
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全集成汽車USB Type-A和USB Type-C充電器控制芯片
汽車中控系統(tǒng)通常都會提供一個 USB 充電端口，該端口需要在傳輸數(shù)據(jù)的同時為移動設(shè)備充電。對這些系統(tǒng)而言，選擇帶 USB 限流開關(guān)的汽車級 IC 非常重要。本文將介紹 MPS 的 USB 充電端口降壓變換器 MPQ4228-C-AEC1，以及如何將其高效率的優(yōu)勢應(yīng)用于 USB 集線器和其他 USB Type-C 、USB Type-A 應(yīng)用中。
2023-07-25
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如何從正電壓電源獲得負(fù)電壓，正電壓轉(zhuǎn)負(fù)電壓的方法圖解
該電路圖顯示了如何從正電壓電源獲得負(fù)電壓。該電路的另一個優(yōu)點是，負(fù)電壓與原始正電源一起可用于模擬雙電源。該電路基于定時器ICNE555。NE555作為非穩(wěn)態(tài)多諧振蕩器接線，工作頻率約為1KHz。方波輸出（如果位于IC的引腳3處）。
2023-07-25
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借助更多的選項響應(yīng)正反饋
負(fù)反饋什么時候會變成正反饋？當(dāng)控制工程師想要實現(xiàn)不錯的增益和相位裕度時。本博文概述第 4 代 SiC FET 如何為設(shè)計人員提供理想性能和多種器件選擇，同時支持更高的設(shè)計靈活性，從而實現(xiàn)成本效益最優(yōu)的功率設(shè)計。
2023-07-24
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華潤微總裁李虹：中國半導(dǎo)體市場下滑趨勢有到底跡象！
6月17日，在廣州南沙召開的第二屆中國?南沙國際集成電路產(chǎn)業(yè)論壇（2023 IC NANSHA）上，國內(nèi)IDM大廠華潤微（SH688396）總裁李虹在演講中表示，中國半導(dǎo)體市場規(guī)模在過去的一年當(dāng)中，增速弱于全球，呈現(xiàn)周期性衰退，但下滑趨勢有到底跡象。
2023-07-24
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工程師必須知道的大電流單通道柵極驅(qū)動器設(shè)計技巧
NCD(V)5700x 是大電流單通道柵極驅(qū)動器，內(nèi)置電流隔離功能，用于在高功率應(yīng)用中實現(xiàn)高系統(tǒng)效率和可靠性。其特性包括：互補輸入（IN+ 和 IN-），開漏故障（1686908889869977.png）和就緒 (RDY) 輸出，復(fù)位或清除故障功能（1686908875512772.png），有源米勒箝位 (CLAMP)，去飽和保護 (DESAT)，去飽和情況下軟關(guān)斷，拉電流 (OUTH) 和灌電流 (OUTL) 分離驅(qū)動輸出（僅限 NCD(V)57000），精確欠壓閉鎖 (UVLO)，低傳播延遲（最大值90 ns）和小脈沖失真（最大值25 ns），較高的共模瞬變抗擾度 (CMTI)——在 VCM = 1500 V條件下可承受 100kV/us（最小值），輸入信號范圍涵蓋 5 V 和 3.3 V，輸出差分偏置電壓（VDD2-VEE2）最高 25 V（最大值），VDD2 額定值為 25 V（最大值），VEE2 額定值為 -10 V（最大值）。NCD(V)5700x 提供 5 kVrms 電流隔離和 1.2 kV 工作電壓能力，輸入和輸出之間的爬電距離保證至少 8 mm。寬體 SOIC-16 封裝滿足增強型安全絕緣要求。
2023-07-21
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LM358的工作電壓范圍
手邊有一堆之前購買到的 LM358 低功耗雙運放 IC 芯片。下面計劃對其基本功能進行測試。這是在面包板上搭建的一個振蕩電路。電路輸出方波和三角波。應(yīng)用 LM358 其中的一個運放，R1，R2 正反饋網(wǎng)絡(luò)使得LM358形成斯密特特性的比較器。R3, C1 構(gòu)成負(fù)反饋，形成多諧振蕩器。這是測量電路工作波形。藍色信號是 LM358的輸出，青色波形是 C1 電容上的充放電波形。振蕩頻率為 1.826kHz。下面應(yīng)用這個電路來測量兩個特性。一個是振蕩電路隨著工作電壓變化，對應(yīng)的頻率變化。另外一個是該電路的最大工作電壓是多少。下面讓我們看一下測量的結(jié)果。
2023-07-20
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安森美與博格華納擴大碳化硅戰(zhàn)略合作， 協(xié)議總價值超10億美元
智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)先企業(yè)安森美(onsemi，美國納斯達克股票代碼：ON)與提供創(chuàng)新可持續(xù)的車行方案的全球領(lǐng)先供應(yīng)商博格華納(BorgWarner，紐約證交所股票代碼：BWA)，擴大碳化硅（SiC）方面的戰(zhàn)略合作，協(xié)議總價值超10億美元。博格華納計劃將安森美的EliteSiC 1200 V和750 V功率器件集成到其VIPER功率模塊中。長期以來，雙方已在廣泛的產(chǎn)品領(lǐng)域開展戰(zhàn)略合作，其中即包括EliteSiC器件。
2023-07-19
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安森美引領(lǐng)行業(yè)的Elite Power仿真工具和PLECS模型自助生成工具的技術(shù)優(yōu)勢
本文旨在介紹 安森美 (onsemi) 的在線 Elite Power 仿真工具和 PLECS 模型自助生成工具 (SSPMG) 所具有的技術(shù)優(yōu)勢，提供有關(guān)如何使用在線工具和可用功能的更多詳細信息。我們首先介紹一些與 SPICE 和 PLECS 模型有關(guān)的基礎(chǔ)知識，接下來介紹開關(guān)損耗提取技術(shù)和寄生效應(yīng)影響的詳細信息，并介紹虛擬開關(guān)損耗環(huán)境的概念和優(yōu)勢。該虛擬環(huán)境還可用來研究系統(tǒng)性能對半導(dǎo)體工藝變化的依賴性。最后，本文詳細介紹對軟硬開關(guān)皆適用的 PLECS 模型以及相關(guān)的影響。總結(jié)部分闡明了安森美工具比業(yè)內(nèi)其他用于電力電子系統(tǒng)級仿真的工具更精確的原因。
2023-07-19
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具有更高效率與優(yōu)勢的碳化硅技術(shù)
碳化硅（SiC）技術(shù)具有比傳統(tǒng)的硅（Si）、絕緣柵雙極晶體管（IGBT）等技術(shù)具有更多優(yōu)勢，包括更高的開關(guān)頻率，更低的工作溫度，更高的電流和電壓容量，以及更低的損耗，進而可以實現(xiàn)更高的功率密度、可靠性和效率。本文將為您介紹SiC的發(fā)展趨勢與在儲能系統(tǒng)（ESS）上的應(yīng)用，以及由Wolfspeed推出的SiC電源解決方案。
2023-07-19
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