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SiC MOSFET和Si MOSFET寄生電容在高頻電源中的損耗對比
富昌電子（Future Electronics）一直致力于以專業(yè)的技術(shù)服務(wù)，為客戶打造個性化的解決方案，并縮短產(chǎn)品設(shè)計周期。在第三代半導體的實際應用領(lǐng)域，富昌電子結(jié)合自身的技術(shù)積累和項目經(jīng)驗，落筆于SiC相關(guān)設(shè)計的系列文章。希望以此給到大家一定的設(shè)計參考，并期待與您進一步的交流。
2022-12-13
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橋式結(jié)構(gòu)中的柵極-源極間電壓的行為：關(guān)斷時
具有驅(qū)動器源極引腳的SiC MOSFET，與不具有驅(qū)動器源極引腳的SiC MOSFET產(chǎn)品相比，在橋式結(jié)構(gòu)情況下的柵-源電壓的行為不同。在上一篇文章中，我們介紹了LS（低邊）SiC MOSFET導通時的行為。本文將介紹低邊SiC MOSFET關(guān)斷時的行為。
2022-12-12
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實現(xiàn)測試測量突破性創(chuàng)新，采用ASIC還是FPGA？
作為世界創(chuàng)新的幕后英雄，特別是在電子器件和通信技術(shù)方面，工程師們要開發(fā)測試設(shè)備，驗證這些新技術(shù)，以把新技術(shù)推向市場。這些工程師必須運行尖端技術(shù)，處理預測行業(yè)和創(chuàng)新未來的挑戰(zhàn)。在開創(chuàng)未來的過程中，測試測量工程師面臨的基礎(chǔ)性創(chuàng)新挑戰(zhàn)之一，是確定設(shè)計中采用專用集成電路(ASIC)還是現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA)。
2022-12-09
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高可靠性電容式MEMS麥克風在車載中的應用
采用MEMS技術(shù)制造的電容式硅麥克風在小型化、性能、可靠性、環(huán)境耐受性、成本及量產(chǎn)能力上與ECM（Electret Capacitance Microphone）相比具有巨大優(yōu)勢，一經(jīng)推出變迅速占領(lǐng)手機、PDA（Personal Digital Assistant）、耳機等消費電子產(chǎn)品市場。
2022-12-09
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聚焦器件可靠性、柵極驅(qū)動器創(chuàng)新和總體系統(tǒng)解決方案
碳化硅（SiC）技術(shù)能在大幅提高當前電力系統(tǒng)效率的同時降低其尺寸、重量和成本，因此市場需求不斷攀升。但是SiC解決方案并不是硅基解決方案的直接替代品，它們并非完全相同。為了實現(xiàn)SiC技術(shù)的愿景，開發(fā)人員必須從產(chǎn)品質(zhì)量、供貨情況和服務(wù)支持等各個方面仔細評估多家產(chǎn)品和供應商，并了解如何優(yōu)化不同SiC功率組件到其最終系統(tǒng)的集成。
2022-12-09
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汽車IC分類一張圖，國際大廠與中國步伐有差異
汽車IC就是車規(guī)級產(chǎn)品，滿足汽車質(zhì)量管理體系，符合可靠性和功能安全要求的集成電路。中國汽車芯片產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（以下簡稱“聯(lián)盟”）在2020年發(fā)布了《純電動乘用車車規(guī)級芯片一般要求》團體標準，將汽車半導體分為10個大類和60個小類，10個大類分別包括控制芯片、存儲芯片、計算芯片、信息安全芯片、驅(qū)動芯片、通信芯片、功率芯片、電源芯片、模擬芯片以及傳感器。
2022-12-09
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恒流負載導致的啟動故障
內(nèi)置折返式限流電路的線性穩(wěn)壓器IC，在IC啟動前輸出端被施加恒流負載時，可能會出現(xiàn)無法啟動的問題。
2022-12-08
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提高電源轉(zhuǎn)換器性能的低 RDS(on) SiC FET（SiC FET 架構(gòu)顯示出多項優(yōu)勢）
近年來隨著高性能計算需求的持續(xù)增長，HBM（High Bandwidth Memory，高帶寬存儲器）總線接口被應用到越來越多的芯片產(chǎn)品中，然而HBM的layout實現(xiàn)完全不同于傳統(tǒng)的Package/PCB設(shè)計，其基于2.5D interposer的設(shè)計中，由于interposer各層厚度非常薄且信號線細，使得直流損耗、容性負載、容性/感性耦合等問題嚴重，給串擾和插損指標帶來了非常大的挑戰(zhàn)。
2022-12-08
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復雜電源系統(tǒng)中的明星：數(shù)字化多路電源模塊將即將嶄露頭角
近幾年來，板級電源模塊產(chǎn)品呈現(xiàn)爆炸式發(fā)展態(tài)勢，其集成度高、體積緊湊的優(yōu)點，吸引了越來越多的終端客戶選擇。而越來越多的應用類型、越來越復雜的使用場景，也對電源模塊產(chǎn)品提出了更高的挑戰(zhàn)。如何達到性能最優(yōu)？如何提升用戶設(shè)計體驗？如何增強可靠性？各種尖銳的問題，促使IC電源廠商不斷追求著控制策略優(yōu)化、工藝優(yōu)化、設(shè)計結(jié)構(gòu)優(yōu)化。MPS在電源模塊產(chǎn)品設(shè)計方面有著自己獨到的理解和技術(shù)沉淀，并藉此推動電源模塊產(chǎn)品的交付量迅猛增長。
2022-12-07
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適用于下一代大功率應用的XHP2封裝
軌道交通牽引變流器的平臺化設(shè)計和易擴展性是其主要發(fā)展方向之一，其對半導體器件也提出了新的需求。一方面需要半導體器件能滿足更寬的電壓等級和電流等級，另一方面也要兼容電力電子器件的新技術(shù)，比如IGBT5/.XT或SiC MOSFET。這樣既有利于電力電子系統(tǒng)的平臺化設(shè)計，也可以增加系統(tǒng)的功率密度，減小系統(tǒng)的尺寸和體積。因此，半導體器件需要具有更低的雜散電感、更大的電流等級和對稱的結(jié)構(gòu)布局。本文介紹了一種新的用于大功率應用的XHP? 2 IGBT模塊，包括低雜散電感設(shè)計原理、開關(guān)特性和采用IGBT5/.XT技術(shù)可以延長模塊的使用壽命等關(guān)鍵點。
2022-12-05
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用于 EV 充電系統(tǒng)柵極驅(qū)動的隔離式 DC／DC 轉(zhuǎn)換器
電動汽車充電系統(tǒng)正在不斷發(fā)展。目前通常使用 400V 電池充電總線電壓的 AC Level 2 壁掛式充電盒正在向需要 800V 總線電壓的直流快速充電 (DCFC) 系統(tǒng)遷移。像碳化硅這樣的寬帶隙功率器件非常適合這些應用，與硅 IGBT 相比具有更低的傳導和開關(guān)損耗。然而，SiC 更快的開關(guān)速率以及更高的電壓會對柵極驅(qū)動器電路提出一些獨特的要求。在本文中，我們將重點介紹 Murata 產(chǎn)品經(jīng)理 Ann-Marie Bayliss 在近的 electronica 2022電源論壇上關(guān)于該公司用于此類柵極驅(qū)動應用的隔離式 DC/DC 轉(zhuǎn)換器的演講的某些方面。
2022-12-05
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通過利用電化學診斷技術(shù)分析傳感器的健康狀況
電動汽車充電系統(tǒng)正在不斷發(fā)展。目前通常使用 400V 電池充電總線電壓的 AC Level 2 壁掛式充電盒正在向需要 800V 總線電壓的直流快速充電 (DCFC) 系統(tǒng)遷移。像碳化硅這樣的寬帶隙功率器件非常適合這些應用，與硅 IGBT 相比具有更低的傳導和開關(guān)損耗。然而，SiC 更快的開關(guān)速率以及更高的電壓會對柵極驅(qū)動器電路提出一些獨特的要求。在本文中，我們將重點介紹 Murata 產(chǎn)品經(jīng)理 Ann-Marie Bayliss 在近的 electronica 2022電源論壇上關(guān)于該公司用于此類柵極驅(qū)動應用的隔離式 DC/DC 轉(zhuǎn)換器的演講的某些方面。
2022-12-05
- 利用運動喚醒功能優(yōu)化視覺系統(tǒng)的功耗
- 宜普電源轉(zhuǎn)換公司勝訴，美國國際貿(mào)易委員會終裁確認英諾賽科侵權(quán)
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