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GaN HEMT 大信號模型
GaN HEMT 為功率放大器設(shè)計者提供了對 LDMOS、GaAs 和 SiC 技術(shù)的許多改進。更有利的特性包括高電壓操作、高擊穿電壓、功率密度高達 8 W/mm、fT 高達 25 GHz 和低靜態(tài)電流。另一方面，GaN RF 功率器件具有自加熱特性，并且元件參數(shù)的非線性與信號電平、熱效應(yīng)和環(huán)境條件之間存在復(fù)雜的依賴關(guān)系。這些因素往往給準確預(yù)測器件大信號性能造成更多困難。
2022-09-15
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貿(mào)澤贊助Silicon Labs主辦的Works With 2022年開發(fā)者大會
2022年9月14日 – 專注于推動行業(yè)創(chuàng)新的知名新品引入 (NPI) 分銷商?貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 自豪地宣布成為Silicon Labs Works With 2022年線上會議的鉆石贊助商。Works With是一場以互聯(lián)設(shè)備開發(fā)為主題的免費網(wǎng)絡(luò)活動，將于9月13日至15日舉行。欲了解更多信息并免費注冊，請訪問Works With 2022官方頁面：https://workswith.silabs.com/。
2022-09-14
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深入剖析高速SiC MOSFET的開關(guān)行為
本文探討了影響高速SiC MOSFET開關(guān)特性的關(guān)鍵因素，包括器件特性、工作條件和外部電路；解釋了開關(guān)損耗的主要影響因素，并確定了影響器件行為和使用的重要因素，這些因素可以顯著提升SiC MOSFET在功率電路中的開關(guān)性能。
2022-09-13
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瑞能半導(dǎo)體以效率優(yōu)勢探索，憑新一代碳化硅MOSFET定義性能新高度
2022年9月6日，瑞能半導(dǎo)體CEO Markus Mosen先生受邀出席了在上海盛大舉辦的第九屆中國國際半導(dǎo)體高管峰會（以下簡稱：CISES）。在CISES上，Markus Mosen先生發(fā)表了《新一代碳化硅MOSFET，正在打造更加綠色的未來》的主題演講，聚焦在“雙碳”背景的驅(qū)動下，碳化硅產(chǎn)業(yè)充滿的機遇和前景，重點結(jié)合了最新推出的1700V SiC MOSFET產(chǎn)品的效率優(yōu)勢，詳解了瑞能半導(dǎo)體在應(yīng)用領(lǐng)域的建樹。
2022-09-08
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通過仿真分析ZVS工作原理
零電壓開關(guān)（Zero Voltage Switch）振蕩電路是功率開關(guān)管在導(dǎo)通和關(guān)斷（模式切換時）兩端電壓為0（實際上應(yīng)該是非常接近于0）的電路，這種特性使得電路功率損耗變小，所以被廣泛 應(yīng)用到大功率加熱、高壓電路中。比如在一些LLC 電源， 電磁爐驅(qū)動電路中。本文基于 LTspice 仿真，分析了 ZVS 振蕩器的工作原理以及相關(guān)的參數(shù)設(shè)計。
2022-09-08
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帶有集成式背磁體、先進全同步數(shù)字IC和EMC保護的真正通電狀態(tài)凸輪軸傳感器
之前我們介紹過Allegro 針對完全和輕度混合動力發(fā)動機應(yīng)用的巨磁阻（GMR）曲軸傳感器ATS16951，和這款曲軸傳感器完美配套的凸輪軸傳感器是Allegro 帶有集成式背磁體（back-biasing magnet）、先進全同步數(shù)字IC和EMC保護的ATS16351。這兩款產(chǎn)品能夠絕佳配合，幫助設(shè)計人員實現(xiàn)優(yōu)化的發(fā)動機設(shè)計，減少供應(yīng)商數(shù)量，降低系統(tǒng)復(fù)雜性。
2022-09-07
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帶過流保護的低側(cè)柵極驅(qū)動器PCB布局技巧
英飛凌的1ED44173/5/6是新的低側(cè)柵極驅(qū)動器IC，集成了過流保護（OCP）、故障狀態(tài)輸出和啟用功能。這種高集成度驅(qū)動器對于采用升壓拓撲結(jié)構(gòu)并接參考地的PFC（數(shù)字控制功率因數(shù)校正）應(yīng)用非常友好。
2022-09-05
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200kW逆變器參考設(shè)計
基于派恩杰1200V/400A SiC 模塊PAA12400BM3開發(fā)的800V 電機驅(qū)動平臺。采用如圖1所示三相橋式拓撲結(jié)構(gòu)，母線額定電壓為650V，工作母線電壓范圍為400-800V，最大輸入直流電流為200A，最大輸出連續(xù)功率為120kW，最大持續(xù)相電流為160A, 短時峰值功率為200kW/30s，短時峰值電流300A，使用SiC模塊的三相逆變器在效率上有了極大的提升，并且體積也相對減小，派恩杰62mm封裝SiC模塊最大工作結(jié)溫可達175℃，采用銅基板進行散熱。
2022-09-05
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瑞薩將收購Steradian以擴大其在雷達市場的業(yè)務(wù)范圍
2022 年 9 月 1 日，日本東京訊 - 全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子（TSE：6723）今日宣布，已達成最終協(xié)議，以全現(xiàn)金交易方式收購位于印度班加羅爾的無晶圓半導(dǎo)體公司Steradian Semiconductors Private Limited（“Steradian”），該公司提供4D成像雷達解決方案。根據(jù)慣例成交條件，此次收購預(yù)計將于2022年年底完成。收購Steradian的雷達技術(shù)將使瑞薩電子擴大其在雷達市場的影響力，并提升其汽車和工業(yè)傳感解決方案的實力。
2022-09-02
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愛芯元智亮相2022世界人工智能大會，核心技術(shù)AI-ISP“愛芯智眸”正式發(fā)布
中國 上海 2022年9月1日——人工智能視覺感知芯片研發(fā)及基礎(chǔ)算力平臺公司愛芯元智宣布，受邀出席為期3天的2022世界人工智能大會（WAIC）。大會以“智聯(lián)世界 元生無界”為主題，集中展示全球人工智能發(fā)展成果，把握人工智能與元宇宙相融互促的發(fā)展趨勢，描繪AI時代的美好圖景。作為受邀參展公司之一，愛芯元智攜全系列端側(cè)邊緣側(cè)AI芯片產(chǎn)品及智能消費、智慧城市、智慧交通等多領(lǐng)域應(yīng)用解決方案亮相，展現(xiàn)“芯向未來 視界無界”的AI“芯”生態(tài)，并正式公布了自研核心技術(shù)AI-ISP“愛芯智眸?”。
2022-09-02
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愛芯元智CEO仇肖莘出席WAIC2022芯片主題論壇，探討AI芯片的“差異化價值”
9月2日，2022世界人工智能大會正式開幕，全球人工智能發(fā)展成果和“AI+元宇宙”最新實踐集中亮相，深度演繹“智聯(lián)世界 元生無界”這一主題。作為大會重磅級論壇之一，由上海市集成電路行業(yè)協(xié)會承辦的芯片主題論壇1日下午在張江科學(xué)館舉行，人工智能芯片領(lǐng)域院士專家、代表性國內(nèi)外知名企業(yè)家和領(lǐng)軍人物齊聚，共話“AI未來，感知芯世界”。圓桌會議環(huán)節(jié)，愛芯元智創(chuàng)始人兼董事長、CEO仇肖莘博士等AI芯片領(lǐng)域代表人物受邀出席，圍繞元宇宙背景下的芯片市場端拓展、場景應(yīng)用、生態(tài)環(huán)境建設(shè)等話題進行分享交流，探討元宇宙時代芯片如何破局。
2022-09-02
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Digi-Key入選Fast Company的“2022創(chuàng)新者最佳工作場所100強”
全球供應(yīng)品類豐富、發(fā)貨快速的現(xiàn)貨電子元器件和自動化產(chǎn)品分銷商 Digi-Key Electronics，日前入選 Fast Company 的 2022 創(chuàng)新者最佳工作場所 100 強榜單。Digi-Key 在 100 家公司榜單中位列第 28 位；這是從申請加入的 1500 多家公司中評選出來。公司堅定致力于鼓勵各個層面的創(chuàng)新，因而獲得特別認可。
2022-09-01
- 利用運動喚醒功能優(yōu)化視覺系統(tǒng)的功耗
- 宜普電源轉(zhuǎn)換公司勝訴，美國國際貿(mào)易委員會終裁確認英諾賽科侵權(quán)
- 功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)（一）——功率半導(dǎo)體的熱阻
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- 貿(mào)澤電子與Analog Devices聯(lián)手推出新電子書探討電子設(shè)計中的電源效率與穩(wěn)健性
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