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全民智駕熱潮下,ADAS系統(tǒng)對(duì)電源芯片的四大需求
南芯科技在 ADAS 電源芯片領(lǐng)域早有布局,并于去年發(fā)布了單芯片車(chē)載攝像頭 PMIC 系列,通過(guò)安全高效的電源管理提升 ADAS 系統(tǒng)攝像頭的穩(wěn)定性與可靠性。其中,SC6201Q 已于去年實(shí)現(xiàn)規(guī)模量產(chǎn),符合 ASIL-B 功能安全標(biāo)準(zhǔn)要求的 SC6205Q 和 SC6206Q 也已步入規(guī)模量產(chǎn)階段,持續(xù)為 ADAS 應(yīng)用保駕護(hù)航。
2025-02-26
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貿(mào)澤電子與Amphenol聯(lián)合推出全新電子書(shū)探索連接技術(shù)在電動(dòng)汽車(chē)和電動(dòng)垂直起降飛行器中的作用
注于推動(dòng)行業(yè)創(chuàng)新的知名新品引入 (NPI) 代理商?貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 宣布與Amphenol合作推出全新電子書(shū)《9 Experts Discuss the Role of Connectivity in e-Mobility》(9位專(zhuān)家探討連接技術(shù)在電動(dòng)出行中的作用),深入探討電動(dòng)汽車(chē)中的連接和傳感器技術(shù)。書(shū)中,來(lái)自交通運(yùn)輸行業(yè)和Amphenol的專(zhuān)家針對(duì)支持當(dāng)今純電動(dòng)/混合動(dòng)力汽車(chē) (EV/HEV) 以及電動(dòng)垂直起降 (eVTOL) 飛行器獨(dú)特需求的技術(shù)與策略提供了深度見(jiàn)解。
2025-02-22
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英飛凌推出采用Q-DPAK和TOLL封裝的全新工業(yè)CoolSiC MOSFET 650 V G2
電子行業(yè)正在向更加緊湊而強(qiáng)大的系統(tǒng)快速轉(zhuǎn)型。為了支持這一趨勢(shì)并進(jìn)一步推動(dòng)系統(tǒng)層面的創(chuàng)新,全球功率系統(tǒng)、汽車(chē)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)正在擴(kuò)展其CoolSiC MOSFET 650 V單管產(chǎn)品組合,推出了采用Q-DPAK和TOLL封裝的兩個(gè)全新產(chǎn)品系列。
2025-02-21
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意法半導(dǎo)體為數(shù)據(jù)中心和AI集群帶來(lái)更高性能的云光互連技術(shù)
服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體 (STMicroelectronics,簡(jiǎn)稱(chēng)ST;紐約證券交易所代碼:STM) 推出了新一代專(zhuān)有硅光技術(shù),為數(shù)據(jù)中心和 AI 集群帶來(lái)性能更高的光互連解決方案。隨著 AI 計(jì)算需求的指數(shù)級(jí)增長(zhǎng),計(jì)算、內(nèi)存、電源以及這些資源的互連都面臨著性能和能效的挑戰(zhàn)。意法半導(dǎo)體新推出的硅光技術(shù)和新一代 BiCMOS 技術(shù)可以幫助云計(jì)算服務(wù)商和光模塊廠商克服這些挑戰(zhàn)。計(jì)劃從 2025 年下半年開(kāi)始,800Gb/s 和 1.6Tb/s 光模塊將逐步提升產(chǎn)量。
2025-02-21
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第 4 代碳化硅技術(shù):重新定義高功率應(yīng)用的性能和耐久性
本白皮書(shū)重點(diǎn)介紹 Wolfspeed 專(zhuān)為高功率電子應(yīng)用而設(shè)計(jì)的第 4 代碳化硅 (SiC) MOSFET 技術(shù)?;谠谔蓟鑴?chuàng)新領(lǐng)域的傳承,Wolfspeed 定期推出尖端技術(shù)解決方案,重新定義行業(yè)基準(zhǔn)。在第 4 代發(fā)布之前,第 3 代碳化硅 MOSFET 憑借多項(xiàng)重要設(shè)計(jì)要素的平衡,已在廣泛用例中得到驗(yàn)證,為硬開(kāi)關(guān)應(yīng)用的全面性能設(shè)定了基準(zhǔn)。
2025-02-20
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可再生電力:道達(dá)爾能源將在15年內(nèi)為意法半導(dǎo)體法國(guó)供電1.5億千瓦時(shí)
道達(dá)爾能源公司 (TotalEnergies) 與服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體 (STMicroelectronics,簡(jiǎn)稱(chēng)ST;紐約證券交易所代碼:STM) 簽署了一份實(shí)體購(gòu)電協(xié)議,為意法半導(dǎo)體位于法國(guó)的工廠供應(yīng)可再生電力,這份為期十五年的合同于 2025 年 1 月生效,總購(gòu)電量為 1.5 億千瓦時(shí) (TWh)。
2025-02-18
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功率半導(dǎo)體驅(qū)動(dòng)電源設(shè)計(jì)(一)綜述
工業(yè)應(yīng)用中,功率半導(dǎo)體的驅(qū)動(dòng)電源功率不大,設(shè)計(jì)看似簡(jiǎn)單,但要設(shè)計(jì)出簡(jiǎn)單低成本的電路并不容易。這就需要一個(gè)集成度高,外圍器件少,功率密度高的DCDC輔助電源方案,減小線(xiàn)路板面積,這對(duì)避免受干擾,提高可靠性也有幫助。這是開(kāi)發(fā)EiceDRIVER? Power 2EP系列的背景。
2025-02-18
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設(shè)計(jì)高壓SIC的電池?cái)嚅_(kāi)開(kāi)關(guān)
DC總線(xiàn)電壓為400 V或更大的電氣系統(tǒng),由單相或三相電網(wǎng)功率或儲(chǔ)能系統(tǒng)(ESS)提供動(dòng)力,可以通過(guò)固態(tài)電路保護(hù)提高其可靠性和彈性。在設(shè)計(jì)高壓固態(tài)電池?cái)嚅_(kāi)連接開(kāi)關(guān)時(shí),需要考慮一些基本的設(shè)計(jì)決策。關(guān)鍵因素包括半導(dǎo)體技術(shù),設(shè)備類(lèi)型,熱包裝,設(shè)備堅(jiān)固性以及在電路中斷期間管理電感能量。本文討論了選擇功率半導(dǎo)體技術(shù)的設(shè)計(jì)注意事項(xiàng),并為高壓,高電流電池?cái)嚅_(kāi)開(kāi)關(guān)定義了半導(dǎo)體包裝,以及表征系統(tǒng)寄生電感和過(guò)度流動(dòng)保護(hù)限制的重要性。
2025-02-16
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如何測(cè)量PMIC的PSRR
PSRR是一個(gè)重要參數(shù),可評(píng)估LDO在輸入電源中的變化中保持一致輸出電壓的能力。在輸入電源體驗(yàn)波動(dòng)的情況下,實(shí)現(xiàn)高PSRR至關(guān)重要,從而確保輸出電壓的可靠性。下圖1說(shuō)明了測(cè)量PSRR的一般方法。
2025-02-16
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第15講:高壓SiC模塊封裝技術(shù)
SiC芯片可以高溫工作,與之對(duì)應(yīng)的連接材料和封裝材料都需要相應(yīng)的變更。三菱電機(jī)高壓SiC模塊支持175℃工作結(jié)溫,其封裝技術(shù)相對(duì)傳統(tǒng)IGBT模塊封裝技術(shù)做了很大改進(jìn),本文帶你詳細(xì)了解內(nèi)部的封裝技術(shù)。
2025-02-14
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意法半導(dǎo)體與HighTec EDV-Systeme合作助力打造更安全的軟件定義汽車(chē)
服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體 (STMicroelectronics,簡(jiǎn)稱(chēng)ST;紐約證券交易所代碼:STM) 和 HighTec EDV-Systeme公司合作開(kāi)發(fā)了一套先進(jìn)的汽車(chē)功能安全整體解決方案,以加快安全關(guān)鍵的汽車(chē)系統(tǒng)開(kāi)發(fā),提高軟件定義汽車(chē)的安全性和經(jīng)濟(jì)性。
2025-02-14
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迎刃而解——華大九天Polas利器應(yīng)對(duì)功率設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)
電源管理集成電路(PMIC)設(shè)計(jì)涉及電源轉(zhuǎn)換、電壓調(diào)節(jié)、電流管理等核心領(lǐng)域。隨著技術(shù)節(jié)點(diǎn)的演進(jìn),功率器件面臨著更大的電壓差、更高的電流密度以及更為嚴(yán)苛的功率/熱耗散要求;金屬互聯(lián)層的電阻在整體導(dǎo)通電阻中的占比越來(lái)越大;異形大金屬圖層以及功率器件拆分方式對(duì)參數(shù)提取的準(zhǔn)確性造成了影響;封裝對(duì)芯片內(nèi)電氣特性的影響亦愈發(fā)顯著。這些因素共同對(duì)功率設(shè)計(jì)在電遷移(EM)、熱性能(Thermal)和導(dǎo)通電阻(RDSon)等可靠性方面帶來(lái)了新的挑戰(zhàn)。此外,如何高效地驅(qū)動(dòng)具有較大有效柵極寬度的PowerMOS,以及如何防止上下管開(kāi)關(guān)切換過(guò)程中的穿通漏電現(xiàn)象,也成為功率設(shè)計(jì)領(lǐng)域的核心難題。
2025-02-13
- 高精度低噪聲 or 大功率強(qiáng)驅(qū)動(dòng)??jī)x表放大器與功率放大器選型指南
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