-
為什么超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心要選用SiC MOSFET?
如今,數(shù)據(jù)中心迫切需要能夠高效轉(zhuǎn)換電能的功率半導(dǎo)體,以降低成本并減少排放。更高的電源轉(zhuǎn)換效率意味著發(fā)熱量減少,從而降低散熱成本。
2024-12-28
-
2025存儲前瞻:用存儲加速AI,高性能SSD普適化
縱觀2024年,存儲技術(shù)升級已經(jīng)給AI計算、云端應(yīng)用帶來了諸多便利,從年初鎧俠首款量產(chǎn)車規(guī)級UFS 4.0推動行業(yè)發(fā)展,到RM、PM和XG系列SSD與HPE攜手登陸國際空間站,再到推出容量高達2Tb的第八代BiCS FLASH? QLC,展示下一代前瞻性的光學(xué)結(jié)構(gòu)SSD,鎧俠與合作伙伴一起,不僅滿足了時下的存儲應(yīng)用需求,并已經(jīng)為未來存儲鋪墊全新的技術(shù)可行性。
2024-12-27
-
NeuroBlade在亞馬遜EC2 F2 實例上加速下一代數(shù)據(jù)分析
數(shù)據(jù)分析加速領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者NeuroBlade宣布其已經(jīng)與亞馬遜云科技(AWS)最新發(fā)布的Amazon Elastic Compute Cloud (Amazon EC2) F2實例實現(xiàn)集成,該實例采用了AMD FPGA與EPYC CPU技術(shù)。此次合作通過NeuroBlade創(chuàng)新的數(shù)據(jù)分析加速技術(shù),為云原生數(shù)據(jù)分析工作負載帶來了前所未有的性能和效率。
2024-12-27
-
熱烈祝賀 Andrew MENG 晉升為 ASEAN(東盟)市場經(jīng)理!
我們非常高興地宣布,Micro Crystal 瑞士微晶中國臺灣銷售與市場經(jīng)理 Andrew MENG 榮升為 ASEAN(以下簡稱為東盟)市場經(jīng)理!這一重要晉升不僅是對 Andrew 在職業(yè)生涯中卓越表現(xiàn)的高度認可,也是 Micro Crystal 瑞士微晶全力布局東盟市場的重要一步。
2024-12-26
-
功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)(八)——利用瞬態(tài)熱阻計算二極管浪涌電流
功率半導(dǎo)體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識,才能完成精確熱設(shè)計,提高功率器件的利用率,降低系統(tǒng)成本,并保證系統(tǒng)的可靠性。
2024-12-25
-
貿(mào)澤電子持續(xù)擴充工業(yè)自動化產(chǎn)品陣容
專注于引入新品的全球電子元器件授權(quán)代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 持續(xù)擴充其來自業(yè)界知名制造商和解決方案供應(yīng)商的工業(yè)自動化產(chǎn)品陣容,幫助客戶奠定工業(yè)5.0發(fā)展的基礎(chǔ)。
2024-12-25
-
第12講:三菱電機高壓SiC芯片技術(shù)
三菱電機開發(fā)了高耐壓SiC MOSFET,并將其產(chǎn)品化,率先將其應(yīng)用于驅(qū)動鐵路車輛的變流器中,是一家在市場上擁有良好業(yè)績記錄的SiC器件制造商。本篇帶你了解三菱電機高壓SiC芯片技術(shù)。
2024-12-22
-
芝識課堂【CMOS邏輯IC的使用注意事項】—深入電子設(shè)計,需要這份指南(一)
當(dāng)今的電子設(shè)計領(lǐng)域,CMOS邏輯IC因其低功耗、高集成度和良好的噪聲抑制能力而得到廣泛應(yīng)用。然而,要充分發(fā)揮CMOS邏輯IC的性能優(yōu)勢,確保系統(tǒng)的穩(wěn)定可靠運行,必須嚴(yán)格遵守一系列使用注意事項。從本期芝識課堂起,芝子將向大家奉上一份詳細的設(shè)計指南,幫助大家更好地避免潛在的設(shè)計陷阱和故障。
2024-12-13
-
第11講:三菱電機工業(yè)SiC芯片技術(shù)
1200V級SiC MOSFET是一種能充分發(fā)揮SiC優(yōu)勢的器件,廣泛應(yīng)用于工業(yè)、汽車等領(lǐng)域。目前,1200V級SiC MOSFET被多家器件廠商定位為主力產(chǎn)品,本文主要介紹三菱電機1200V級SiC MOSFET的技術(shù)開發(fā)概要。
2024-12-12
-
如何選擇有效的ESD保護二極管
ESD 保護器件的目的是將數(shù)千伏的 ESD 輸入降低至受保護 IC 的安全電壓,并將電流從 IC 分流出去。盡管所需 ESD 波形的輸入電壓和電流在過去幾年中沒有變化,但保護 IC 所需的安全電壓水平卻有所下降。過去,IC 設(shè)計對 ESD 更加穩(wěn)健,并且可以處理更高的電壓,因此選擇能夠滿足 IEC61000-4-2 4 級要求的任何保護二極管就足夠了。
2024-12-12
-
意法半導(dǎo)體和ENGIE在馬來西亞簽訂可再生能源發(fā)電供電長期協(xié)議
服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM) 于11月7日宣布與BKH Solar Sdn Bhd太陽能發(fā)電公司簽訂為期21年的購電協(xié)議(PPA)。BKH Solar Sdn Bhd是全球著名的低碳能源服務(wù)公司ENGIE Renewable SEA Pte Ltd (ENGIE) 和馬來西亞迅速崛起的太陽能開發(fā)商Conextone energy Sdn Bhd的合資公司。
2024-12-10
-
安森美斥資1.15億美元收購碳化硅JFET技術(shù),強化AI數(shù)據(jù)中心電源產(chǎn)品組合
安森美(onsemi,納斯達克股票代碼:ON)宣布已與Qorvo達成協(xié)議,以1.15億美元現(xiàn)金收購其碳化硅結(jié)型場效應(yīng)晶體管(SiC JFET) 技術(shù)業(yè)務(wù)及其子公司United Silicon Carbide。該收購將補足安森美廣泛的EliteSiC電源產(chǎn)品組合,使其能應(yīng)對人工智能(AI)數(shù)據(jù)中心電源AC-DC段對高能效和高功率密度的需求,還將加速安森美在電動汽車斷路器和固態(tài)斷路器(SSCB) 等新興市場的部署。
2024-12-10
- 電容選型避坑手冊:參數(shù)、成本與場景化適配邏輯
- IO-Link技術(shù)賦能智能工廠傳感器跨協(xié)議通信實戰(zhàn)指南
- CMOS有源晶振電壓特性與精準(zhǔn)測量指南
- 有機實心電位器選型避坑指南:國際大廠VS國產(chǎn)新勢力
- 電解電容技術(shù)全景解析:從核心原理到國產(chǎn)替代戰(zhàn)略
- 意法半導(dǎo)體拓展新加坡“廠內(nèi)實驗室” 深化壓電MEMS技術(shù)合作
- 超越視距極限!安森美iToF技術(shù)開啟深度感知新紀(jì)元
- 意法半導(dǎo)體攜邊緣人工緣智能方案重磅登陸新加坡半導(dǎo)體展會
- 振蕩電路不起振怎么辦?專家教你步步排查
- 介質(zhì)電容選型全攻略:從原理到原廠成本深度解析
- 秒發(fā)3.5萬現(xiàn)貨!貿(mào)澤和Molex強強聯(lián)手:18萬種連接方案
- 超越視距極限!安森美iToF技術(shù)開啟深度感知新紀(jì)元
- 車規(guī)與基于V2X的車輛協(xié)同主動避撞技術(shù)展望
- 數(shù)字隔離助力新能源汽車安全隔離的新挑戰(zhàn)
- 汽車模塊拋負載的解決方案
- 車用連接器的安全創(chuàng)新應(yīng)用
- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall