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第5講：SiC的晶體缺陷
SiC晶體中存在各種缺陷，對SiC器件性能有直接的影響。研究清楚各類缺陷的構(gòu)成和生長機制非常重要。本文帶你了解SiC的晶體缺陷及其如何影響SiC器件特性。
2024-09-12
SiC 晶體缺陷
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如何正確使用二極管
二極管和晶體管都是如此，它們由二極管 P 和 N 材料制成。二極管類別包括兩個可能對控制工程師很重要的例子：硅二極管和 LED。
2024-09-12
二極管
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艾邁斯歐司朗亮相2024 CIOE，多款創(chuàng)新產(chǎn)品引領(lǐng)光電新潮
全球領(lǐng)先的光學(xué)解決方案供應(yīng)商艾邁斯歐司朗（瑞士證券交易所股票代碼：AMS）今日宣布，將攜傳感、光源和可視化領(lǐng)域最新產(chǎn)品和技術(shù)組合，亮相第二十五屆中國國際光電博覽會（CIOE）。作為新質(zhì)生產(chǎn)力的代表，光電技術(shù)正高效賦能千百行業(yè)，不僅重塑傳統(tǒng)制造業(yè)，推動智能制造與工業(yè)自動化邁向新高度，更...
2024-09-12
艾邁斯歐司朗 光電
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半導(dǎo)體后端工藝 第十一篇（完結(jié)篇）：半導(dǎo)體封裝的可靠性測試及標準
本系列文章詳細介紹了半導(dǎo)體后端工藝，涵蓋了從不同類型的半導(dǎo)體封裝、封裝工藝及材料等各個方面。作為本系列的收篇之作，本文將介紹半導(dǎo)體的可靠性測試及標準。除了詳細介紹如何評估和制定相關(guān)標準以外，還將介紹針對半導(dǎo)體封裝預(yù)期壽命、半導(dǎo)體封裝在不同外部環(huán)境中的可靠性，及機械可靠性等評估...
2024-09-12
半導(dǎo)體 后端工藝 封裝
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充電器基礎(chǔ)知識以及電量計分區(qū)為何如此重要
電池充電系統(tǒng)的關(guān)鍵組件是充電器本身和電量計，電量計可電池充電狀態(tài) (SOC)、電量耗盡時間和充滿電時間等指標。電量計可在主機端或電池組中實現(xiàn)（見圖 1）。
2024-09-11
充電器 電量計分區(qū)
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為什么存儲系統(tǒng)的性能對AI工作負載至關(guān)重要？
數(shù)據(jù)是各種現(xiàn)代企業(yè)的生命線，而數(shù)據(jù)存儲、訪問與管理策略對企業(yè)的生產(chǎn)力、盈利能力以及競爭力會產(chǎn)生顯著影響。隨著人工智能（AI）的興起，各行各業(yè)都在經(jīng)歷變革，企業(yè)不得不重新思考如何利用數(shù)據(jù)來加速創(chuàng)新和增長。然而，AI訓(xùn)練和推理對數(shù)據(jù)管理和存儲提出了獨特的挑戰(zhàn)，因為它們需要處理龐大的數(shù)...
2024-09-11
存儲系統(tǒng) AI 工作負載
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第4講：SiC的物理特性
SiC作為半導(dǎo)體功率器件材料，具有許多優(yōu)異的特性。4H-SiC與Si、GaN的物理特性對比見表1。與Si相比，4H-SiC擁有10倍的擊穿電場強度，可實現(xiàn)高耐壓。與另一種寬禁帶半導(dǎo)體GaN相比，物理特性相似，但在p型器件導(dǎo)通控制和熱氧化工藝形成柵極氧化膜方面存在較大差異，4H-SiC在多用途功率MOS晶體管的制備...
2024-09-11
SiC
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