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功率器件模塊：一種滿足 EMI 規(guī)范的捷徑
相鄰或共用導電回路的電子器件容易受到電磁干擾 (EMI) 的影響，使其工作過程受到干擾。要確保各電氣系統(tǒng)在同一環(huán)境中不干擾彼此的正常運行，就必須最大限度地減少輻射。通常，由于硅 (Si) IGBT 和碳化硅 (SiC) MOSFET 等功率半導體器件在工作期間需要進行快速開關，因此通常會產(chǎn)生傳導型 EMI。在開...
2024-07-08
功率器件模塊 EMI
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芯原戴偉民：AIGC為端側AI帶來巨大機會
芯原在世界人工智能大會（WAIC 2024）同期舉辦的“RISC-V和生成式AI論壇”上，芯原股份創(chuàng)始人、董事長兼總裁，中國RISC-V產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟理事長戴偉民表示，AIGC為端側AI帶來巨大機會，在其中，汽車便是其中最大的終端。此外，他還分享了AIGC芯片的機遇與挑戰(zhàn)。
2024-07-08
芯原 AIGC 端側AI NPU
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碳化硅模塊助力更可靠更高效的換電站快充電路設計
在電動車發(fā)展的過程當中，充電和換電是兩個同時存在的方案。車載充電OBC可以通過兩相或三相電給汽車充電，但其無法滿足快充的需求。現(xiàn)在充電樁發(fā)展迅速，已經(jīng)有600kW的超充出現(xiàn)，充電速度越來越逼近換電速度，但對電網(wǎng)壓力很大，還需要時間普及。
2024-07-08
碳化硅模塊 換電站 快充電路設計
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設計車載充電器的關鍵考慮因素，一次性講透
改用電動汽車(EV)后，駕駛員感受到的最大變化可能是補能方式不一樣了。具體來說，他們不再需要驅車前往加油站，而是必須找到可用的充電點。
2024-07-08
車載充電器 電動汽車
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利用 I3C 提升嵌入式系統(tǒng)
物聯(lián)網(wǎng)幾乎涉及我們?nèi)粘Ｉ畹姆椒矫婷妫瑥募矣秒娖鞯綇碗s的樓宇自動化和可穿戴設備。這些互聯(lián)設備收集和交換數(shù)據(jù)，從根本上塑造了我們的數(shù)字生態(tài)系統(tǒng)。在物聯(lián)網(wǎng)設備中，不同類型的傳感器發(fā)揮著關鍵作用，測量、監(jiān)控和傳遞溫度、濕度、壓力和距離等關鍵物理屬性。
2024-07-08
I3C 嵌入式系統(tǒng)
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氮化鎵（GaN）的最新技術進展
氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 是兩種寬禁帶半導體，徹底改變了傳統(tǒng)電力電子技術。氮化鎵技術使移動設備的快速充電成為可能。氮化鎵是一種晶體半導體，能夠承受更高的電壓。通過氮化鎵材料的電流比通過硅半導體的電流速度更快，因此處理速度也更快。本文將探討氮化鎵材料以及氮化鎵技術如何顛覆整個...
2024-07-05
氮化鎵 GaN
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為邊緣 AI 節(jié)點供電：邊緣 AI 對供電系統(tǒng)設計的影響
邊緣 AI 是將 AI 模型直接部署在位于網(wǎng)絡邊緣的設備上；此舉可通過采用設備上的處理功能來實現(xiàn)低延遲響應，從而減少對云計算的依賴。若將邊緣 AI 添加到物聯(lián)網(wǎng)系統(tǒng)（構成 AIoT（人工智能物聯(lián)網(wǎng)）系統(tǒng)的組合）中，則還可以分析傳感器數(shù)據(jù)、識別模式、得出推論并在本地層面做出決策，從而盡量減少數(shù)據(jù)...
2024-07-05
邊緣 AI 供電系統(tǒng) 節(jié)點供電
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