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英特爾CEO:加速IDM 2.0轉(zhuǎn)型,推進(jìn)代工服務(wù)發(fā)展
作為英特爾“IDM 2.0”轉(zhuǎn)型戰(zhàn)略的重要一環(huán),英特爾代工服務(wù)的搶眼表現(xiàn)支持了英特爾公司首席執(zhí)行官帕特·基辛格近日所言,“我仍然認(rèn)為‘IDM 2.0’是完全正確的,毫無(wú)疑問(wèn)”。在上任后不久的2021年3月,帕特·基辛格便提出了這一戰(zhàn)略,主要由以下三部分組成:強(qiáng)化英特爾用于大規(guī)模制造的全球化內(nèi)部工廠網(wǎng)絡(luò),...
2023-11-22
英特爾 IDM 2.0 代工服務(wù)
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ADALM2000實(shí)驗(yàn):IC溫度傳感器
本實(shí)驗(yàn)活動(dòng)的目標(biāo)是使用集成電路溫度傳感器測(cè)量環(huán)境溫度,這些溫度傳感器提供與絕對(duì)溫度成比例的輸出(電流或電壓)。
2023-11-22
IC 溫度傳感器 ADI
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pHEMT功率放大器的有源偏置解決方案
假晶高電子遷移率晶體管(pHEMT)是耗盡型器件,其漏源通道的電阻接近0 Ω。此特性使得這些器件可以在高開(kāi)關(guān)頻率下以高增益運(yùn)行。然而,如果柵極和漏極偏置時(shí)序不正確,漏極溝道的高電導(dǎo)率可能會(huì)導(dǎo)致器件燒毀。本文探討耗盡型pHEMT射頻(RF)放大器的工作原理以及如何對(duì)其有效偏置。耗盡型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(F...
2023-11-22
pHEMT 功率放大器 有源偏置
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如何利用電壓輸入到輸出控制自動(dòng)優(yōu)化LDO穩(wěn)壓器的效率
低壓差(LDO)穩(wěn)壓器是為噪聲敏感設(shè)備供電的可靠工具。除了提供直接電源軌外,LDO穩(wěn)壓器還能對(duì)其他電源進(jìn)行后置調(diào)節(jié)。來(lái)自開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器的噪聲會(huì)滲透到許多設(shè)計(jì)中,通常需要下游LDO穩(wěn)壓器來(lái)消除噪聲。LDO穩(wěn)壓器雖然有效,但其功耗可能對(duì)系統(tǒng)效率產(chǎn)生負(fù)面影響。專門設(shè)計(jì)的電壓輸入到輸出控制(VIOC)引腳可...
2023-11-22
VIOC LDO穩(wěn)壓器 效率
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高功率充電樁中的大電流元件哪里找?
電動(dòng)汽車的發(fā)展正在穩(wěn)步駛?cè)肟燔嚨?。根?jù)IEA的《Global EV Outlook 2023》顯示,2022年全球電動(dòng)汽車的銷量突破了1,000萬(wàn)輛,市場(chǎng)滲透率也從2021年的9%增加到了14%;而這一強(qiáng)勁的增長(zhǎng)勢(shì)頭在2023年還將持續(xù),2023年電動(dòng)汽車銷量將有望達(dá)到1,400萬(wàn)輛,同比增長(zhǎng)35%,滲透率則會(huì)攀升至18%。
2023-11-22
高功率 充電樁 大電流元件
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如何賦能新一代寬帶隙半導(dǎo)體?這三類隔離柵極驅(qū)動(dòng)器了解一下~
在電力電子領(lǐng)域,為了最大限度地降低開(kāi)關(guān)損耗,通常希望開(kāi)關(guān)時(shí)間短。然而快速開(kāi)關(guān)同時(shí)隱藏了高壓瞬變的危險(xiǎn),這可能會(huì)影響甚至損壞處理器邏輯。因此,必須設(shè)計(jì)更高性能的開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)。
2023-11-21
寬帶隙半導(dǎo)體 隔離柵極驅(qū)動(dòng)器
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模擬和數(shù)字技術(shù)交匯之處——智能邊緣
為了增強(qiáng)邊緣智能,機(jī)電執(zhí)行器需要智能和高度集成的驅(qū)動(dòng)器解決方案。這些智能邊緣設(shè)備融合了執(zhí)行器和傳感器功能,支持在機(jī)器層面更好地進(jìn)行實(shí)時(shí)決策,并向更高的控制層級(jí)、云或AI生產(chǎn)力解決方案提供原位反饋信息。本文討論了模擬和數(shù)字技術(shù)交匯之處——智能邊緣的智能驅(qū)動(dòng)器解決方案和技術(shù)。
2023-11-21
模擬技術(shù) 數(shù)字技術(shù) 智能邊緣
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