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OBD-II 系統(tǒng)的 ESD 防護（下）
本文為OBD-II系統(tǒng)ESD保護系列文章的下篇。在前文《OBD-II系統(tǒng)的ESD防護（上）》中，我們已詳細介紹了OBD-II端口及其支持的協(xié)議。
2023-06-01
OBD-II系統(tǒng) ESD防護
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降低電源紋波噪聲的方法與實例
在應(yīng)用電源模塊常見的問題中，降低負載端的紋波噪聲是大多數(shù)用戶都關(guān)心的。下文結(jié)合紋波噪聲的波形、測試方式，從電源設(shè)計及外圍電路的角度出發(fā)，闡述幾種有效降低輸出紋波噪聲的方法。
2023-06-01
電源紋波 噪聲 方法
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SiC 和 GaN 功率器件的可靠性和質(zhì)量要求
在 SiC 方面，GeneSiC 使用溝槽輔助平面柵極工藝流程，確?？煽康臇艠O氧化物和具有較低傳導(dǎo)損耗的器件。測試表明，在 150-kHz、1,200-V、7.5-kW DC/DC 轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中，溫度較低的器件運行溫度約為 25°C。據(jù)估計，這種溫差可將器件壽命提高 3 倍。該公司對其 SiC 產(chǎn)品進行了 100% 的雪崩測試，其示例...
2023-05-31
SiC 功率器件 GaN 功率器件
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比對隔離電源與非隔離電源
在給嵌入式系統(tǒng)設(shè)計電源電路，或選用成品電源模塊時，要考慮的重要問題之一就是用隔離還是非隔離的電源方案。在進行討論之前，我們先了解下隔離與非隔離的概念，及兩者的主要特點。
2023-05-31
隔離電源 非隔離電源
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基于形式的高效 RISC-V 處理器驗證方法
RISC-V的開放性允許定制和擴展基于 RISC-V 內(nèi)核的架構(gòu)和微架構(gòu)，以滿足特定需求。這種對設(shè)計自由的渴望也正在將驗證部分的職責(zé)轉(zhuǎn)移到不斷壯大的開發(fā)人員社群。然而，隨著越來越多的企業(yè)和開發(fā)人員轉(zhuǎn)型RISC-V，大家才發(fā)現(xiàn)處理器驗證絕非易事。新標準由于其新穎和靈活性而帶來的新功能會在無意中產(chǎn)生...
2023-05-31
RISC-V 處理器 驗證
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國網(wǎng)新規(guī)下電力DTU最小系統(tǒng)核心板設(shè)計的新思路
根據(jù)國家能源局2020年能源領(lǐng)域行業(yè)標準制修訂計劃，中國電力科學(xué)研究院有限公司牽頭起草了《12kV一二次融合成套柱上開關(guān)》、《12kV一二次融合成套環(huán)網(wǎng)箱》兩項電力行業(yè)標準。2021年6月中國電科院配電技術(shù)中心組織30余家配電開關(guān)及配電終端主流生產(chǎn)企業(yè)開啟了兩項標準的執(zhí)行。
2023-05-31
DTU 核心板 MCU
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ST中國區(qū)總裁介紹半導(dǎo)體制造戰(zhàn)略：加大第三代半導(dǎo)體垂直整合，與客戶長期雙贏
對于ST而言，芯片設(shè)計和制造同樣重要。ST在制造上的戰(zhàn)略規(guī)劃正在逐步實施，將會幫助其實現(xiàn)200億美元營收和2027碳中和兩大目標。而因為芯片制造漫長而又復(fù)雜，所以芯片廠商需要客戶及早分享設(shè)計方案及生產(chǎn)計劃，這樣才能實現(xiàn)長期的雙贏。
2023-05-31
ST 射頻 功率GaN
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