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飛兆半導(dǎo)體任命Dan Kinzer為首席技術(shù)官
全球領(lǐng)先的高性能功率和便攜產(chǎn)品供應(yīng)商飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor) 宣布任命Dan Kinzer擔(dān)任首席技術(shù)官兼高級(jí)副總裁 (技術(shù))。在其領(lǐng)導(dǎo)下，飛兆半導(dǎo)體將鞏固公司對(duì)技術(shù)創(chuàng)新的專注，進(jìn)一步提升其針對(duì)功率電子和便攜應(yīng)用的先進(jìn)產(chǎn)品系列。
2011-01-25
飛兆半導(dǎo)體 飛兆半導(dǎo)體首席技術(shù)官任命 飛兆半導(dǎo)體新聞
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MEMS開始新的兩位數(shù)增長(zhǎng)階段
微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)市場(chǎng)2010年強(qiáng)勁增長(zhǎng)，營(yíng)業(yè)收入同比增長(zhǎng)18.3%。但據(jù)IHS iSuppli公司的最新研究，這只是MEMS和傳感器市場(chǎng)新一輪兩位數(shù)增長(zhǎng)周期的開始，其增長(zhǎng)趨勢(shì)將持續(xù)到 2014年。
2011-01-25
MEMS MEMS市場(chǎng) 微機(jī)電系統(tǒng)
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SiA427DJ：Vishay 推出P溝道器件最低導(dǎo)通電阻TrenchFET?功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc宣布，推出新款8V P溝道TrenchFET? 功率MOSFET---SiA427DJ。新器件采用2mm x 2mm占位面積的熱增強(qiáng)型PowerPAK? SC-70封裝，具有迄今為止P溝道器件所能達(dá)到的最低導(dǎo)通電阻。
2011-01-25
SiA427DJ Vishay TrenchFET?功率MOSFET
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阻抗變換器在有源濾波器中的應(yīng)用
在音頻系統(tǒng)中，為了避免因采用半導(dǎo)體或其它有源器件帶來(lái)的非線性和頻率特性畸變，保證實(shí)現(xiàn)平坦而寬闊的高頻響應(yīng)，通常選用分立元件構(gòu)成的濾波器來(lái)滿足DSD對(duì)頻率帶寬的苛刻要求。本文講述阻抗變換器在有源濾波器中的應(yīng)用……
2011-01-25
阻抗變換器 GIC 濾波器
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小電流可控硅固體開關(guān)的研制
本文通過(guò)脈沖變壓器隔離控制28個(gè)串聯(lián)可控硅（TYNl225），得到了20kV小電流開關(guān)，對(duì)固體開關(guān)的串聯(lián)技術(shù)進(jìn)行了試驗(yàn)研究，并討論了串聯(lián)電路所涉及到的觸發(fā)信號(hào)的高壓隔離技術(shù)、驅(qū)動(dòng)信號(hào)同步技術(shù)以及功率器件的動(dòng)態(tài)靜態(tài)均壓技術(shù)。
2011-01-25
可控硅固體開關(guān) 固體繼電器 SSR
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臺(tái)廠高管稱太陽(yáng)能電池價(jià)格低谷已過(guò)
潘文輝表示，由于歐洲寒冬、圣誕長(zhǎng)假、FIT補(bǔ)助政策出臺(tái)未期以及市場(chǎng)供過(guò)于求等四大因素，致使去年12月太陽(yáng)能電池跌價(jià)。但從目前的情況來(lái)看，F(xiàn)IT政策出臺(tái)差不多定調(diào)，1月面臨的環(huán)境已沒有去年12月份的困擾因素，因此，太陽(yáng)能電池價(jià)格的低谷已過(guò)去。
2011-01-25
太陽(yáng)能 電池 價(jià)格低谷
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低功耗高轉(zhuǎn)換速率CMOS模擬緩沖器
在這篇文章里，我介紹了一種能達(dá)到AB類特性軌到軌CMOS模擬緩沖器的電路技巧，產(chǎn)生了具有低功耗和高的驅(qū)動(dòng)能力的方法。
2011-01-24
CMOS 模擬緩沖器 PMOS NMOS
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