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Vishay的101/102 PHR-ST螺旋式接線柱功率鋁電容器新增三種更大的外形尺寸
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，其101/102 PHR-ST螺旋式接線柱功率鋁電容器新增了90mm x 146mm、76mm x 220mm及90mm x 220mm三種更大的外形尺寸，接線柱的長度為13mm。
2010-01-27
Vishay 101/102 PHR-ST 電容器 RoHS指令 UPS設(shè)備
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推動LED產(chǎn)業(yè)發(fā)展需加強(qiáng)國產(chǎn)MOCVD設(shè)備開發(fā)
第十一屆全國MOCVD學(xué)術(shù)會議于2010年1月12日在江蘇蘇州召開，為期2天，會議上跟許多專家和學(xué)者進(jìn)行了交流，本次MOCVD探討的主要應(yīng)用集中在LED，太陽能/激光器方面的應(yīng)用也不少。國內(nèi)MOCVD的總體感覺是：關(guān)注的人多，做的人少。
2010-01-27
LED MOCVD 設(shè)備
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采用PowerFill外延硅工藝的電源器件
ASM International推出了其PowerFill的外延硅（Epi Si）溝槽填充工藝。新工藝可使帶有摻雜物的外延硅深溝無縫隙填充。 PoweRFill是一個精湛的工藝技術(shù)，因為它是同類流程速度的3倍，降低制造成本，創(chuàng)造了為電源設(shè)備設(shè)計在設(shè)計程度上新的級別。
2010-01-27
ASM PowerFill 外延硅工藝 電源器件 Fairchild
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Vishay Siliconix 推出4款600V MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出4款新的600V MOSFET --- SiHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK)、SiHG22N60S(TO-247)和SiHB22N60S(TO-263)，將其Super Junction FET?技術(shù)延伸到TO-220、TO-220F、TO-247和TO-263封裝。
2010-01-27
Vishay MOSFET FET?技術(shù)
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罐式電容式電壓互感器研制成功
國網(wǎng)電科院研制的罐式結(jié)構(gòu)特高壓電容式電壓互感器。其短時工頻耐受電壓達(dá)到1100kV/5min、雷電沖擊耐受電壓達(dá)到2400kV、操作沖擊耐受電壓達(dá)到1800kV，二次繞組準(zhǔn)確級達(dá)到0.2/0.5/0.5(3P)/3P。
2010-01-27
罐式電容式 電壓互感器 研制成功
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江門建LED產(chǎn)業(yè)基地 2015年產(chǎn)值或達(dá)500億
昨天在江門市召開的2010年全國半導(dǎo)體照明電子行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)發(fā)布及宣貫大會上，江門市常務(wù)副市長吳紫驪宣布，江門市將大力發(fā)展LED產(chǎn)業(yè)，到2015年實現(xiàn)500億元產(chǎn)業(yè)規(guī)模，建設(shè)中國重要的LED產(chǎn)業(yè)基地。
2010-01-27
江門 LED產(chǎn)業(yè) 基地 產(chǎn)值
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韓半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)宣告全面復(fù)蘇
韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的兩大支柱，三星電子和海力士去年第四季度均創(chuàng)造有史以來最高銷售業(yè)績，而且銷售利潤都超過了20％。
2010-01-27
韓國 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 全面復(fù)蘇
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