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DDR測試系列之二——使用力科WaveScan技術(shù)分離DDR讀寫周期
測量DDR2存儲設(shè)備需要把讀/寫的訪問周期分離開來。在DDR2中通過Strobe和Data總線之間的關(guān)系可以區(qū)分出來讀和寫的操作。如圖1所示，在讀操作時Data和Strobe的跳變是同步的，而在寫操作時Strobe的跳變則領(lǐng)先于Data。我們利用這種時序上的差異就可以分離出讀操作和寫操作。
2009-12-18
DDR測試 力科 WaveScan 分離讀寫周期
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DDR測試系列之三—— 某SDRAM時鐘分析案例
SDRAM時鐘分析案例:串聯(lián)匹配是較好的SDRAM的時鐘端接策略，在原理圖設(shè)計中，需要加上串聯(lián)的電阻和并聯(lián)的電容，如果MCU輸出的時鐘驅(qū)動能力弱，可以不使用并聯(lián)的電容或者換用較小的電阻。準(zhǔn)確的測量內(nèi)存時鐘需要足夠帶寬的示波器和探頭，無源探頭在高頻時阻抗太小，不能準(zhǔn)確的測量波形，需要使用高帶...
2009-12-18
DDR 測試 SDRAM 時鐘分析
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AP2101/AP2111：Diodes推出為USB應(yīng)用優(yōu)化的高電流電源開關(guān)
Diodes針對高電流應(yīng)用推出兩款新器件以擴(kuò)展旗下AP21XX電源開關(guān)產(chǎn)品線。最新的單通道AP2101及AP2111可提供高達(dá)2A的連續(xù)輸出電流，且經(jīng)過優(yōu)化，適合自我供電和總線供電USB，以及其他3-5V的熱插拔應(yīng)用。
2009-12-18
AP2101 AP2111 Diodes USB 電流電源開關(guān)
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東大等驗證7μm的極薄晶圓也不會影響CMOS元件
東京大學(xué)研究生院工學(xué)系研究專業(yè)附屬綜合研究機(jī)構(gòu)與日本迪思科（Disco）、大日本印刷、富士通研究所以及WOW研究中心等共同開發(fā)出了可將300mm晶圓（硅底板）打薄至7μm的技術(shù)。
2009-12-18
東大 晶圓 CMOS元件 IEDM MOSFET WOW項目 硅
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工信部明確環(huán)保使用期限，控制電子產(chǎn)品污染
日前，為了幫助廣大電子信息產(chǎn)品制造企業(yè)確定所生產(chǎn)產(chǎn)品的環(huán)保使用期限，工業(yè)和信息化部發(fā)布了《電子信息產(chǎn)品環(huán)保使用期限通則》(簡稱《通則》)。
2009-12-18
工信部 電子產(chǎn)品污染 環(huán)保
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2010年LED產(chǎn)業(yè)展望
LED業(yè)者一致認(rèn)為，LED最終應(yīng)用將面向廣大的照明市場。2009年LED TV滲透率將從2008年0.3%，提升至2009年的2.8%。預(yù)估2011年LED 監(jiān)視器滲透率將上漲21.6%，2011年LED 監(jiān)視器滲透率將上降21.6%。而到了2012年，當(dāng)LED 發(fā)光效率達(dá)130 lm/W，且LED成本每千流明為5美元時，LED照明將更大量被采用。
2009-12-18
LED 照明 TV NB
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AUIPS7121R/7141R：IR推出堅固可靠的智能功率開關(guān)
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出 AUIPS7121R 和 AUIPS7141R 65V 高側(cè)智能功率開關(guān) (IPS) 。新產(chǎn)品具有精確的電流感應(yīng)和內(nèi)置保護(hù)電路，適用于嚴(yán)苛的24V汽車環(huán)境，如卡車的引擎罩接線盒等。
2009-12-18
IR AUIPS7121R AUIPS7141R 智能功率開關(guān)
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