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MEMS振蕩器與傳統(tǒng)石英晶振的比較優(yōu)勢(shì)
本文重點(diǎn)介紹了MEMES振蕩器與傳統(tǒng)石英振蕩器的比較優(yōu)勢(shì)。
2009-02-25
MEMS振蕩器 石英晶振 精度 Sitime 供貨周期 頻率 抖動(dòng) 擴(kuò)頻
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移動(dòng)大會(huì)四大看點(diǎn)：摩爾定律引入通信業(yè)
美國(guó)最大移動(dòng)運(yùn)營(yíng)商Verizon無(wú)線(xiàn)在巴塞羅那宣布了4G LTE的供應(yīng)商，愛(ài)立信與阿爾卡特朗訊勝出；Verizon無(wú)線(xiàn)是目前唯一明確LTE計(jì)劃的大型運(yùn)營(yíng)商。
2009-02-25
蘋(píng)果iPhone TG01 CDMA MT6516 智能手機(jī) 觸摸屏
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MWC2009手機(jī)演繹四大熱點(diǎn)
從各主要手機(jī)企業(yè)在2009移動(dòng)通信世界大會(huì)上的表現(xiàn)來(lái)看，今年手機(jī)產(chǎn)品將繼續(xù)向節(jié)能環(huán)保、智能等方向深入發(fā)展。在智能手機(jī)領(lǐng)域，Android平臺(tái)獲得手機(jī)企業(yè)的廣泛支持，不少PC（個(gè)人電腦）巨頭廠商也加入到該市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)中來(lái)。
2009-02-25
2009移動(dòng)通信世界大會(huì) Android MWC2009 手機(jī) 移動(dòng)運(yùn)營(yíng)商 通信 光能手機(jī)
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STY112N65M5：ST太陽(yáng)能電池功率調(diào)節(jié)器用MOSFET
意法半導(dǎo)體（ST）開(kāi)發(fā)出了用于配備太陽(yáng)能電池功率調(diào)節(jié)器的MOSFET。耐壓650V，有最大導(dǎo)通電阻為0.022Ω（漏極電流為93A）的“STY112N65M5”和最大導(dǎo)通電阻0.038Ω（漏極電流為66A）的“STW77N65M5”。 此前，太陽(yáng)能電池功率調(diào)節(jié)器一直使用IGBT，但由于MOSFET的導(dǎo)通電阻不斷降低，因此MOSFET正逐漸取代IG...
2009-02-25
MOSFET 太陽(yáng)能電池 功率調(diào)節(jié)器 IGBT ST STY112N65M5 STW77N65M5
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我國(guó)手機(jī)充電接口將統(tǒng)一，Micro-USB為首選
日前，在世界移動(dòng)通信大會(huì)上，全球移動(dòng)通信系統(tǒng)協(xié)會(huì)（GSMA）聯(lián)合OTMP發(fā)起了國(guó)際手機(jī)充電器統(tǒng)一標(biāo)準(zhǔn)的制定工作。 對(duì)于GSMA此次推行國(guó)際充電器標(biāo)準(zhǔn)的意義，泰爾實(shí)驗(yàn)室相關(guān)專(zhuān)家認(rèn)為，一方面，GSMA所提出的標(biāo)準(zhǔn)化方案很大程度上受到了我國(guó)所制定的相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的積極影響；另一方面，國(guó)際通信行業(yè)對(duì)于手...
2009-02-25
GSMA OTMP Micro-USB 手機(jī)接口 通用充電器 手機(jī)充電器
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意法半導(dǎo)體將集中精力增現(xiàn)金流
2009年，意法半導(dǎo)體將繼續(xù)集中精力增長(zhǎng)現(xiàn)金流，保持強(qiáng)大而靈活的資本結(jié)構(gòu)
2009-02-25
意法半導(dǎo)體 資金
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ASMT-Jx1x ：安華高最小型高功率LED
Avago Technologies (安華高科技) 今日宣布，面向固態(tài)照明應(yīng)用推出業(yè)內(nèi)最小尺寸之一的高功率 LED 產(chǎn)品
2009-02-25
安高華 LED 廣視角 照明 ASMT-Jx1x
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