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技術(shù)文章

愛普科斯MLCC家族添新丁，防靜電版本誕生

愛普科斯新型E系列多層陶瓷電容器為高度堅(jiān)固元件，采用X7R材料制作而成，其抗靜電放電脈沖能力與標(biāo)準(zhǔn)型號(hào)相比更加卓越。

2008-12-24

MLCC 靜電保護(hù) ESD AEC-Q200

Si7633DP/135DP：Vishay最新低導(dǎo)通電阻MOSFET

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新型 20-V 和 30-V p-通道 TrenchFET功率 MOSFET --- Si7633DP和Si7135DP。這次推出的器件采用 SO-8 封裝，具有 ±20V 柵源極電壓以及業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻。

2008-12-24

Si7633DP Si7135DP MOSFET 超低導(dǎo)通電阻

SML-L1/SML-J1系列：ROHM自動(dòng)對(duì)焦用高亮度LED

半導(dǎo)體制造商ROHM株式會(huì)社最近為滿足強(qiáng)烈要求小型、薄型化的數(shù)碼相機(jī)和數(shù)碼攝像機(jī)市場的需要，開發(fā)出自動(dòng)對(duì)焦輔助光用的大輸出功率表面貼裝透鏡LED SML-L1系列(側(cè)視型) 和SML-J1系列(頂視型)。

2008-12-24

自動(dòng)對(duì)焦表面貼裝透鏡LED LED SML-L1 SML-J1

愛普科斯與New Scale合作開發(fā)微型直線電機(jī)

電子元件及模塊和系統(tǒng)生產(chǎn)商愛普科斯公司與超小型運(yùn)動(dòng)系統(tǒng)制造商N(yùn)ewScaleTechnologies,Inc.(以下簡稱NewScale)達(dá)成了一項(xiàng)科技合作協(xié)議，旨在開發(fā)獨(dú)創(chuàng)性超聲波電機(jī)。此次合作結(jié)合了NewScale在開發(fā)微型壓電式電機(jī)方面的先進(jìn)技術(shù)與愛普科斯在生產(chǎn)多層壓電元件的能力

2008-12-24

愛普科斯直線電機(jī) NewScale 多層壓電

MEMS和石英技術(shù)爭奪振蕩器市場<br>——訪SiTime公司副總裁Piyush Sevalia先生

MEMS和石英技術(shù)爭奪振蕩器市場
——訪SiTime公司副總裁Piyush Sevalia先生

據(jù)業(yè)界預(yù)測，MEMS(微電子機(jī)械系統(tǒng))振蕩器正以120%的年增長率（在某些地方是該增長率的四倍）逐漸取代石英晶體振蕩器。與石英晶體相比，MEMS振蕩器的封裝很小，而且價(jià)格相對(duì)更實(shí)惠，因此更適用于消費(fèi)電子產(chǎn)品。筆者在美國硅谷采訪了MEMS(微電子機(jī)械系統(tǒng))振蕩器領(lǐng)先供應(yīng)商SiTime公司副總裁Piyush ...

2008-12-23

MEMS振蕩器石英晶振精度 Sitime 供貨周期頻率抖動(dòng) 擴(kuò)頻

FOD3120/50：飛兆最佳抗噪性能的柵極驅(qū)動(dòng)光電耦合器

飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)近日推出兩款柵極驅(qū)動(dòng)光電耦合器FOD3120 和 FOD3150，為光伏逆變器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和感應(yīng)加熱應(yīng)用帶來同級(jí)最佳共模抑制(common mode rejection, CMR)。

2008-12-23

FOD3120 FOD3150 濾波器光電耦合器共模抑制 CMR IGBT MOSFET

PCB業(yè)：急需國家政策支持

從今年8月、9月開始,我國電子電路行業(yè)開始面臨由國際金融危機(jī)帶來的影響，而且影響越來越嚴(yán)重。我們急需政府相關(guān)部門對(duì)行業(yè)提供政策層面的各種支持。

2008-12-23

PCB CCL 勞動(dòng)合同法手機(jī) HDI FPC 覆銅箔板中國印制電路行業(yè)協(xié)會(huì) CPCA 印制電路

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