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技術(shù)文章

什么是dV/dt失效

如下圖（2）所示，dV/dt失效是由于MOSFET關(guān)斷時流經(jīng)寄生電容Cds的瞬態(tài)充電電流流過基極電阻RB，導(dǎo)致寄生雙極晶體管的基極和發(fā)射極之間產(chǎn)生電位差VBE，使寄生雙極晶體管導(dǎo)通，引起短路并造成失效的現(xiàn)象。通常，dV/dt越大（越陡），VBE的電位差就越大，寄生雙極晶體管越容易導(dǎo)通，從而越容易發(fā)生失效...

2022-09-22

dV/dt失效 MOSFET

什么是雪崩失效

當(dāng)向MOSFET施加高于絕對最大額定值BVDSS的電壓時，就會發(fā)生擊穿。當(dāng)施加高于BVDSS的高電場時，自由電子被加速并帶有很大的能量。這會導(dǎo)致碰撞電離，從而產(chǎn)生電子-空穴對。這種電子-空穴對呈雪崩式增加的現(xiàn)象稱為“雪崩擊穿”。在這種雪崩擊穿期間，與 MOSFET內(nèi)部二極管電流呈反方向流動的電流稱為“雪...

2022-09-22

MOSFET 失效機理雪崩擊穿

為什么要計算電容器壽命？

電解電容器和聚合物混合電容器具有多項優(yōu)點，然而它們的使用壽命有限，用戶需要借助算法來確定其壽命。

2022-09-22

計算電容器壽命

在實時控制系統(tǒng)中使用傳感器優(yōu)化數(shù)據(jù)可靠性的3個技巧

實時控制是閉環(huán)系統(tǒng)在定義的時間窗口內(nèi)收集數(shù)據(jù)、處理數(shù)據(jù)并更新系統(tǒng)的能力。作為文章“實時控制簡介及其重要性”的續(xù)篇，本文將詳細(xì)介紹實時控制系統(tǒng)的第一個功能塊“檢測（收集）數(shù)據(jù)”，并針對如何通過關(guān)注特定傳感器參數(shù)來優(yōu)化實時控制系統(tǒng)的數(shù)據(jù)捕獲提供了三個技巧。

2022-09-22

實時控制傳感器優(yōu)化數(shù)據(jù)

表面貼裝的散熱面積估算和注意事項

到目前為止，我們已經(jīng)介紹過使用熱阻和熱特性參數(shù)來估算TJ的方法。本文將介紹在表面貼裝應(yīng)用中，如何估算散熱面積以確保符合TJ max，以及與熱相關(guān)的元器件布局注意事項。

2022-09-21

表面貼裝散熱面積估算

[技術(shù)淺談] 認(rèn)識三端保險絲

三端保險絲是芯片式表貼安裝產(chǎn)品，通常用于鋰離子電池組作為二次保護(hù)，使其在遭受過流與過壓風(fēng)險時能夠及時動作，有效減少鋰離子電池因為過充、過放以及短路等故障導(dǎo)致的起火爆炸等情況，讓電路與器件損壞控制在盡量小的區(qū)域。

2022-09-21

三端保險絲 Littelfuse

【無電感】小尺寸 AMOLED 電源芯片

SGM38045 是圣邦微電子重點推出的一顆專門為智能手環(huán)、智能手表等小尺寸 AMOLED 顯示屏提供 AVDD、ELVDD、ELVSS 的無電感電源管理芯片。

2022-09-21

AMOLED 電源芯片

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